臺積電正在重新利用其位于新竹科學園的舊的、已折舊的 8 英寸 Fab 3 來生產極紫外薄膜，并將這種生產引入內部。EUV 薄膜是一種薄而高度透明的薄膜，拉伸在光掩模上方，以防止顆粒在 EUV 暴露期間接觸掩模。它旨在承受強烈的 EUV 輻射和熱應力，同時最大限度地減少光吸收和波前失真。生產薄膜是一種縮短更換周期的方法，并對組件施加更多控制，在 EUV 環境中，該組件必須保護光掩模免受顆粒影響，同時應對極端暴露條件。與舊的 DUV 工藝不同，EUV 系統使用 400 W 光源和局部加熱運行，掩模溫度接近 1
關鍵字：
臺積電 舊晶圓廠 EUV 薄膜生產
ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實現 8 納米分辨率——而當前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過昂貴的多重圖形匹配來達到這一效果，但 High-NA EUV 簡化了光刻步驟，盡管這帶來了新的技術挑戰。鑒于 High-NA EUV 機器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進下一
關鍵字：
EUV 光刻機 ASML 海力士
根據韓國媒體 outlet ETNews 的報道，美國和日本正積極通過政府主導的舉措將極紫外(EUV)光刻機引入公共研究機構。相比之下，韓國政府在這一領域的推動工作落后于美國和日本，報道暗示。美國 – 國家半導體技術中心加速 EUV 技術采用報告援引行業消息人士稱，美國國家半導體技術中心（NSTC）已在紐約的阿爾巴尼納米技術園區完成了 EUV 光刻設備的安裝，并計劃從 2025 年 7 月開始為企業提供服務。報告還指出，據稱 NSTC 計劃在 2026 年推出高 NA EUV 設備——
關鍵字：
EUV 光刻機
據外媒報道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點：未來晶體管設計，例如GAAFET和CFET架構，可能會降低芯片制造對先進光刻設備的依賴，尤其是對EUV光刻機的需求。這一觀點無疑對當前芯片制造技術的核心模式提出了挑戰。目前，ASML的極紫外光（EUV）及高數值孔徑（high-NA）EUV光刻機在先進制程中扮演關鍵角色，通過曝光步驟將電路設計轉印至晶圓，隨后通過沉積和蝕刻工藝形成晶體管結構。然而，該英特爾高層認為，隨著GAAFET和CFET等3D晶體管結構的發展，芯片制造將更依賴蝕刻技術，而非單純
關鍵字：
半導體 high-NA EUV
臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上重申了其對下一代高數值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場。該公司的下一代工藝技術不需要這些最高端的光刻系統，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技術。為此，TSMC 不會為這些節點采用 High-NA EUV 工具?！爱斉_積電使用 High-NA 時，人們似乎總是很感興趣，我認為我們的答案非常簡單，”副聯席首席運營官兼業務發展和全球銷售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動中說。“每當我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡
關鍵字：
臺積電 1.4nm 高數值孔徑 EUV
荷蘭阿斯麥（ASML）全新機臺卻讓臺積電望之卻步！ 英媒指出，盡管阿斯麥最新一代的高數值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）微影設備性能強大，但因這款機臺單價高達4億美元，臺積電高層表示，目前「找不到非用不可的理由」，因此暫時沒有計畫在A14及其后續制程中導入。路透27日報導，這款先進機臺價格逼近4億美元，幾乎是晶圓廠現有最昂貴設備的兩倍。 目前，各家芯片制造商正在仔細評估，這款設備在曝光速度以及分辨率上面的提升，是否真的符合如此高昂的價格。臺積電技術開發資深副總經理張曉強表示，即便不使用High-N
關鍵字：
臺積電 ASML EUV 機臺
據 The Elec 報道，三星計劃外包用于存儲芯片制造的光掩模的生產。到目前為止，該公司一直在內部生產所有光掩模，以防止技術泄漏。Elec 表示，據報道，三星正在評估低端光掩模的潛在供應商，例如 i-line 和 KrF。與此同時，消息人士稱，三星計劃將 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便將這些資源重新分配給 ArF 和 EUV。正如報告所強調的那樣，ArF 和 EUV 光掩模更先進，將成為增強三星技術競爭力的關鍵。據 Business Korea 援引消
關鍵字：
三星 低端光掩模 ArF EUV
5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構，其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復制到相片上。韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱，三星電子正計劃將內存芯片制造所需的光掩模生產業務進行外包。據稱，目前三星已啟動供應商評估流程，候選企業包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL（注：廠址位于京畿道），評估結果預計第三季度公布。TheElec 報道稱，三星準備將低端產品（i-
關鍵字：
三星 外包芯片 光掩模 ArF EUV 半導體
據荷蘭媒體報道，ASML計劃在2028年前將其員工遷入位于荷蘭埃因霍溫附近的全新Brainport產業園區。這一消息是在ASML與埃因霍溫市政府官員共同介紹城市發展計劃初步草案時透露的。這一擴張計劃引發了全球晶圓制造行業的廣泛關注。據Tom's Hardware報道，臺積電、英特爾和三星電子等半導體巨頭或將從中受益。ASML的擴張如果能按計劃推進，將有助于滿足全球對極紫外光（EUV）光刻設備的迫切需求，從而加速先進制程的開發與應用。Brainport產業園區的擴張計劃大約在一年前首次公開。據荷蘭消
關鍵字：
EUV 光刻機 ASML
據媒體報道，荷蘭半導體設備制造商ASM International（簡稱“ASM”）在2025年第一季度財報電話會議上宣布，將立即啟動在美國本土的生產計劃，以應對美國近期實施的關稅政策。今年4月初，美國總統特朗普簽署了一項“對等關稅”行政令，宣布對包括荷蘭在內的歐盟成員國加征25%的鋼鐵、鋁和汽車進口關稅，其他商品則面臨20%的關稅。這一政策覆蓋了歐盟對美出口的約70%，總價值高達5320億歐元。此外，特朗普還計劃對暫時豁免的藥品、半導體等產品單獨加征關稅。為避免關稅影響，ASM首席財務官Paul Ver
關鍵字：
ASML EUV 芯片工具
根據臺積電北美技術研討會的報告，代工臺積電不需要使用高數值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工藝上制造芯片。該公司在研討會上介紹了 A14 工藝，稱預計將于 2028 年投產。之前已經說過，A16 工藝將于 2026 年底出現，也不需要高 NA EUVL 工具。“從 2nm 到 A14，我們不必使用高 NA，但我們可以在加工步驟方面繼續保持類似的復雜性，”據報道，業務發展高級副總裁 Kevin Zhang 在發布會上說。這與英特爾形成鮮明對比，英特爾在積極采用高 NA 方面一直積極實施一項計
關鍵字：
臺積電 高NA EUV 光刻技術
三星電子和ASML曾于2023年12月宣布共同投資7億歐元（約1萬億韓元），在大都市地區建立極紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未來的半導體制造設備以保持三星在先進工藝制程技術的領先性。針對這次合作，ASML特別與韓國土地住宅公社（LH）簽訂了在京畿道華城購買6個地塊（約 19,000 平方米）的合同以建設研發中心。不過最近這項計劃可能出現了一些變動， ASML最近出售了其中的兩塊地塊，并且正在處理另外兩塊地塊。盡管還剩下兩個地塊，但ASML似乎沒有計劃在剩余的空間里與三星建立研發中心。 ASML 是
關鍵字：
三星電子 ASML EUV
近日，英特爾前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，擔任董事會執行董事長，xLight官網上個月也公布了這一消息。xLight是一家面向極紫外（EUV）光刻機開發基于直線電子加速器的自由電子激光（FEL）技術的EUV光源系統的初創公司。xLight雖然規模很小，但其團隊在光刻和加速器技術領域擁有多年的經驗，不僅擁有來自斯坦福直線加速器和其他地方的粒子加速器資深研究人士，其首席科學家Gennady Stupakov博士還是2024年IEEE核能和等離子體科學學會粒子加速器科學
關鍵字：
英特爾 EUV ASML xLight LPP FEL 光刻
2nm GAA 工藝進展被傳順利，但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發的技術限制。一份新報告指出，該公司已經成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而，由于量產目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術的應用。1nm 晶圓的開發需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出
2 納米以下芯片，據報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA
技術的試產過程中
關鍵字：
三星 1nm 芯片 臺積電 NA EUV
近日，荷蘭半導體設備制造商ASML宣布，計劃在日本將其先進的極紫外光（EUV）芯片工具的員工人數擴增五倍，這一舉措旨在加強其在全球半導體市場的競爭力。隨著全球對高性能芯片需求的激增，ASML的這一決策不僅能提升其在日本的業務運營，也將進一步推動當地半導體產業的發展。ASML在全球的影響力不斷增強，特別是在EUV技術方面，該技術被認為是制造下一代高性能芯片的關鍵。隨著日本在半導體制造領域的持續投入，ASML的擴張計劃將有助于促進當地人才的培養及技術的進步。此外，ASML的擴展計劃正值日本其他半導體公司如Ra
關鍵字：
ASML EUV 芯片工具
euv介紹
在半導體行業，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術。
EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473