SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的開發，并最終準備好大規模生產——成為世界上首家完成這一壯舉的公司。根據其新聞稿，該公司現在已準備好按照客戶的時間表交付頂級 HBM4。在其新聞稿中，SK hynix 強調，其現已成為大規模生產準備的 HBM4 提供了業內領先的數據處理速度和能效。通過采用 2,048 個 I/O 端，帶寬已翻倍——是上一代的兩倍，而能效提高了 40%以上。該公司還預計 HBM4 將使 AI 服務性能提高高達 69%，有助于克服數據瓶頸，并顯著降低數據中心電力成本，據
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據《彭博社》報道，國政府似乎正在考慮用年度許可證取代為三星和 SK 海力士的無限期晶圓廠設備出口許可的決定。這一決定將增加顯著的監管復雜性，但至少可以維持晶圓廠運營的連續性，這意味著不會擾亂全球 DRAM 和 NAND 存儲器的高波動供應。以前，三星和 SK 海力士在經過驗證的最終用戶（VEU）狀態下運營，這使他們能夠根據事先遵守美國安全和監控措施，獲得進口受限晶圓廠設備（WFE）到其中國晶圓廠的全面批準，這大大簡化了他們的運營。這些許可將于今年年底到期。作為 VEU 的替代方案，美國商務部最近向韓國官員
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ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實現 8 納米分辨率——而當前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過昂貴的多重圖形匹配來達到這一效果，但 High-NA EUV 簡化了光刻步驟，盡管這帶來了新的技術挑戰。鑒于 High-NA EUV 機器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進下一
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周六，中國商務部回應了美國撤銷英特爾、三星和海力士在中國制造業務的“驗證最終用戶”（VEU）授權的決定。周五，美國商務部宣布將英特爾半導體（大連）有限公司、三星中國半導體有限公司和SK海力士半導體（中國）有限公司從VEU名單中刪除。VEU 授權允許受美國限制的出口商將某些高科技民用物品運送到預先批準的實體，而無需為每批貨物單獨出口許可證。中國商務部將美國此舉描述為“出于美國的政治動機和自身利益”，并“將出口管制變成政治工具和武器”，以遏制中國在半導體技術方面的發展。該部還表示，美國。是“故意擾亂和破壞全球
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三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進口美國芯片制造設備——根據 路透社和 彭博社的數據，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙 。正如聯邦文件所示，報告表明撤銷將在 120 天后開始。報道補充說，值得注意的是，美國政府表示將批準三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現有晶圓廠的運營，但不會批準產能擴張或技術升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經在今年早些時候通過出售其大連工廠
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作為英偉達 HBM3 和 HBM3e 的關鍵供應商，也是人工智能繁榮的主要受益者，SK 海力士在其最新發布的 2025 年半年度報告中展示了其強大的行業地位，突出了與美國芯片巨頭的緊密合作關系。據 Yonhap News 報道，該公司僅從英偉達處在本年度上半年就據報道賺取了約 110 萬億韓元收入。值得注意的是，據 SK 海力士提供的數據，Yonhap 報道稱，來自單個“主要客戶”的收入在 2025 年上半年達到了 108.9 萬億韓元。同期，SK 海力士合并總收入為 398.7 萬億
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據稱，英偉達今年計劃采購高達 80 萬個 SOCAMM 單位，三大內存巨頭之間一個新的戰場正在形成。美國美光似乎正在領先，據報道，美光已開始為英偉達生產 SOCAMM 模塊。與此同時，三星和 SK 海力士正積極加入競爭。以下是他們最新的進展。什么是 SOCAMM？如 Hansbiz 所述，SOCAMM（小型輪廓壓縮附加內存模塊）是一種新型服務器內存模塊，使用低功耗 DRAM（LPDDR），并針對現有 HBM 無法完全支持的負載。韓國 Herald 解釋說，SOCAMM 垂直堆
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隨著英偉達以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動 HBM 需求增長，分析師警告明年可能面臨價格下跌。據高盛稱，經濟日報報道，競爭加劇和供過于求可能導致 2026 年首次出現 HBM 價格下跌——這對市場領導者 SK hynix 構成挑戰。值得注意的是，據高盛稱，2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數。此外，競爭加劇以及定價權向主要客戶轉移（SK hynix 受影響嚴重）可能擠壓該公司的利潤空間，高盛警告稱。根據高盛的預測，HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應的顯著增加
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隨著三星加速 1c DRAM 開發，試圖在 HBM4 競爭中奪回失地，當前領導者 SK 海力士正與科技巨頭合作推出定制 HBM 解決方案。據《 韓國經濟日報 》報道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——預計將在 2026 年下半年推出。報道顯示，SK 海力士已經贏得了包括英偉達、微軟和高通在內的主要客戶，使其成為定制和通用 AI 內存市場的領先者。值得注意的是，SK 海力士最近開始根據客戶需求定制 HBM，報道補充說，英偉達緊張的生產進度影響了其合作伙伴的選擇。定制 HBM 更
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3 月 18 日消息，據臺媒 digitimes 今日消息，SK 海力士預計將獨家供應英偉達 Blackwell Ultra 架構芯片第五代 12 層 HBM3E，預期與三星電子、美光的差距將進一步拉大。SK
海力士于去年 9 月全球率先開始量產 12 層 HBM3E 芯片，實現了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E的運行速度可達
9.6Gbps，在搭載四個 HBM 的 GPU 上運行‘Llama 3 70B’大語言模型時每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數的水平。去年 11 月，SK
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2月19日消息，據報道，SK海力士已經準備好首款自研CXL（Compute Express Link）控制器，支持CXL 3.0/3.1標準，由臺積電（TSMC）負責制造，選擇更為先進的工藝。同時，SK海力士還在積極推進2.5D和扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術的開發，并計劃將相關芯片技術商業化。據消息透露，SK海力士計劃從2025年第一季度末開始批量生產基于CXL標準的DDR5內存模塊，進一步鞏固其在高端內存市場的領先地位。CXL作為一種開放性的互聯協議，能夠實現CPU與GPU、FPGA或其他加速器之間
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12 月 3 日消息，據韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標準化 LPDDR6-PIM 內存產品。該合作伙伴關系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標準化。報道提到，兩家公司已經確定，有必要建立聯盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進行向聯合電子設備工程委員會（JEDEC）注冊標準化的初步工作。目前正在討論每一個需要標準化項目的適當規格。▲ 圖源三星PIM 內存技術是一種將存儲和計
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10 月 17 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 當地時間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業務規模，全力聚焦高利潤產品 HBM 以及 CXL 內存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業務的研發投資，同時月產能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠遠落后于競爭對手。同時，SK 海力
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IT之家 8 月 20 日消息，據韓媒 MK 報道，SK 海力士負責 HBM 內存業務的副總裁 Ryu Seong-soo 當地時間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達了希望 SK 海力士為其開發定制 HBM 產品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業進行電話溝通，并為滿足這些企業的需
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海力士 HBM 內存
IT之家 8 月 20 日消息，受人工智能（AI）服務器需求激增影響，企業級固態硬盤（SSD）的價格飆升了 80% 以上。為滿足市場需求，SK 海力士及其子公司 Solidigm 正加速擴產 NAND 閃存。AI 熱潮持續升溫，不僅帶動了高帶寬內存（HBM）芯片需求，如今也正在推動企業級 SSD 市場快速增長。AI 服務器存儲的數據量呈指數級增長，企業紛紛搶購大容量 SSD，甚至不惜高價確保供應。面對企業級 SSD 的旺盛需求，SK 海力士和 Solidigm 正優先擴大采用四層單元（QLC）技
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海力士介紹
海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現代電子產業有限公司的名字創立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業務，同年他們開發出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價格操控與處份
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