ASML 和 SK hynix 在韓國的工廠組裝了業界首個“商用”High NA EUV 系統

ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實現 8 納米分辨率——而當前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過昂貴的多重圖形匹配來達到這一效果，但 High-NA EUV 簡化了光刻步驟，盡管這帶來了新的技術挑戰。

鑒于 High-NA EUV 機器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進下一代 DRAM 的原型設計，這些 DRAM 將使用依賴現有 Low-NA EUV 和 DUV 工具的工藝技術制造。只有到那時，該工具才會用于開發實際需要 High-NA EUV 設備才能獲得良好產率和循環時間的制造工藝。ASML 在一次面向投資者的演示中估計，DRAM 制造商將在 2030 年代過渡到 High-NA EUV 工具。

快速原型制作大大加快了下一代工藝技術的開發速度。高 NA EUV 設備能夠比現有的低 NA EUV 工具更快地詳細原型制作 DRAM 結構（例如，電容器溝槽、位線、字線），這為 SK hynix 的研發提供了關鍵推動力。

從長遠來看（到 2030 年代），SK hynix 可以使用該工具測試圖形極限，開發新的布局，并評估它將在需要使用高 NA EUV 工具的制造節點中需要的材料，遠遠早于需要承諾全面基于高 NA EUV 的生產。

SK hynix 和 ASML 于周三早些時候宣布，他們在韓國伊川的公司 M16 工廠組裝了業界首款 Twinscan NXE:5200B 高數值孔徑 EUV 光刻系統。該設備最初將作為下一代工藝技術的開發工具，但幾年后它將用于采用尖端工藝技術的 DRAM 大規模生產。

對于 SK hynix 來說，組裝業界首批 Twinscan NXE:5200B EUV 系統（配備 0.55 數值孔徑光學系統）意味著它超越了其主要競爭對手美光和三星，以及半導體行業絕大多數公司，這些公司中許多仍然必須采用現有的 0.33 數值孔徑 EUV 系統。

“我們預計，關鍵基礎設施的添加將使我們所追求的技術愿景變為現實，”SK hynix 研發負責人 Cha Seon Yong 表示?！拔覀冎荚诮柚焖侔l展的 AI 和下一代計算市場所需的尖端技術，增強我們在 AI 存儲領域的領導地位。”

ASML 在客戶現場（在此案例中為 SK hynix 的 M16，確實是一個大規模量產工廠）組裝其首臺 Twinscan NXE:5200B 機器，標志著該公司的一個里程碑，因為此前它曾在俄勒岡州希爾茲伯勒附近的英特爾 D1X 開發工廠建造了 Twinscan NXE:5000 機器 ，在那里他們 已經生產了數萬片晶圓 。NXE:5000 系統被認為是預生產系統，但可以升級以獲得高容量制造所需的性能。

"高 NA EUV 是一項關鍵技術，它開啟了半導體產業的下一章，”ASML 客戶團隊負責人金丙燦表示?！癆SML 將密切與 SK hynix 合作，推動下一代內存的創新?！?/p>