安森美半導體（美國納斯達克上市代號：ONNN）致力于不斷推出高性能、節省空間的器件，新推出的五款保護器件在1.6 x 1.6 x 0.6 mm SOT553或SOT563單封裝內集成了多個瞬變電壓抑制（TVS）元件。這些SOT5xx封裝TVS器件不僅符合靜電放電（ESD）保護的嚴格要求，更較傳統的SC88封裝減少電路板空間達36%，降低厚度40%。它們可理想應用于重視電路板空間的便攜設備，例如手機、數字照相機、MP3播放器、掌上游戲機以及PDA。安森美半導體副總裁兼集成電源產品總經理Ramesh Ramc
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安森美 封裝
安森美半導體（美國納斯達克上市代號：ONNN）不斷提升產品性能，在其品種全面的分立元件系列中增添SOD-123FL封裝。這五十款器件[包括瞬變電壓抑制（TVS）元件與肖特基二極管]現已提供低厚度的扁平引腳封裝。今年稍后，將有更多新型封裝的器件面世。安森美半導體副總裁兼標準元件部總經理Charlotte Diener說：“由于SOD-123FL優化電路板空間占用每單位內的功率耗散，該封裝是便攜與無線電路板設計所需之TVS元件與肖特基二極管的理想選擇，此類設計必須符合電源管理和保護的嚴格要求。” SO
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安森美 封裝
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroPak 8 新型8引腳芯片級無引腳封裝，具備1、2和3位邏輯和開關功能。全新的TinyLogic
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飛兆半導體 封裝
安森美半導體（美國納斯達克上市代號：ONNN）率先推出35個以上采用SOT553 和SOT563超小型、低厚度、無鉛有引線封裝的小信號、標準邏輯及二極管陣列器件。公司將會在第二季度末推出同樣封裝的另外15個新器件。安森美半導體副總裁兼標準元件部門總經理Charlotte Diener說：“安森美半導體發現，電路板設計人員對我們具實效的小體積封裝標準及集成標準元件的需求日益增加，這種封裝能在世界最多的領先電路板制造商采用的取放設備上裝配，同時可進行目視檢驗——因為這仍是一種通用、經濟的行業慣例。安森美半導體
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安森美 封裝
優化的LFPAK封裝MOSFET具有接近于零的封裝電阻和低熱阻，電性能極好，所需元件數量更少皇家飛利浦電子集團擴展其功率MOSFET產品系列，推出創新性的SOT669無損封裝（LFPAK）。新LFPAK器件針對DC/DC轉換器應用而設計，具有體積更小、效率更高、性能更加優化等特點，可用于眾多新應用，如筆記本電腦、臺式機、服務器、高頻應用等。 飛利浦的LFPAK封裝MOSFET主要特點有接近于零的封裝電阻和主板連接低熱阻，以增強功率功能。MOSFET還具有低封裝電感，從而提高了開關速度，使飛利浦LFPAK
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飛利浦 封裝
功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝，采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能，有助降低傳導損耗，卻不增加開關損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設計的iMOTION集成設計平臺系列的一部分。新器件的工作結溫高達175°C，標準工作范圍比同類產品高出20%。另外，它們
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IR 封裝
日前，皇家飛利浦電子集團在創新性的低VCesa BISS晶體管產品系列中加入了非常重要的、性能大大提高的新成員，從而成為全球首個推出1612尺寸SOT666/SS-Mini封裝BISS晶體管的半導體廠商。PBSS4240V和PBSS5240V的集電極電流高達2A，具有一流的性能，并在功能增強的同時，相對其他較為著名的SOT23 封裝1A器件還節省了41%的PCB空間。PBSS4240V和PBSS5240V還提供極低的集電極-發射極電阻（RCEsat = 190 mW），由于產生熱量更少，還可提高整體電路
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飛利浦 封裝
凌特公司（Linear Technology）宣布推出高效快速照相閃光燈電容充電器 LT3468。LT3468 是一個獨立的解決方案，用于照相閃光燈電容充電，所需線路板面積最小，無需軟件開發。LT3468 能迅速有效地給高壓（一般為 320 V）照相閃光燈電容充電。這個器件既可用于數字相機，也可用于膠片相機，采用限流回掃拓撲結構。它可用 3.6V 電池在 4.6 秒內將一個 100uF 電容充到 320V。LT3468 具有受控的 1.4A 峰值電流，與標準回掃變壓器配合使用，能以高于 80% 的效率對任
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凌特公司 封裝
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P溝道MOSFET器件FDJ129P，為便攜設備電源管理帶來綜合的性能和節省空間優勢，這些設備包括移動電話、PDA、便攜音樂播放機、GPS接收裝置、低壓/低功率DC-DC轉換器及數碼相機等。FDJ129P在緊湊的SC75 FLMP（倒裝引腳鑄模封裝）中結合了飛兆半導體的高性能 PowerTrench
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飛兆 封裝
環球儀器公司 (Universal Instruments) 表面貼裝技術（SMT）實驗室已和馬里蘭大學CALCE電子產品及系統中心（EPSC）達成合作協議，共同針對封裝及裝配的可靠性和制造能力進行研究。研究內容將著重于無鉛制造的互連可靠性和技巧方面。環球儀器SMT實驗室George Westby解釋道：“我們希望能夠充分利用這一領域現有的全部研究基金。通過將我們的知識與CALCE的研究工作相結合，特別是在模制和仿真技術領域，我們期望能以更低的總成本和更快的速度，為客戶制定新的解決方案。”CALCE的Mi
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環球儀器 封裝
2003年8月，英特爾宣布在四川省成都市投資建立封裝和測試英特爾半導體產品的工廠。
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Intel 封裝 測試
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型FOD2742光隔離誤差放大器，其誤差范圍低至0.5%和尺寸小的性能特點，使該產品成為精密電源和轉換器設備的理想器件。FOD2742是飛兆光隔離誤差放大器系列的第四款產品，其它三款產品包括FOD2712、FOD2711和FOD2741，為設計人員提供了參考電壓、容差和封裝尺寸的不同選擇。元件編號 VREF 最佳容差 VISO 封裝類型FOD2712 1.24V 1% 2.5kV SOICFOD2411 1.24V 1% 5.0kV
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飛兆 封裝
功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝，采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能，有助降低傳導損耗，卻不增加開關損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設計的iMOTION集成設計平臺系列的一部分。新器件的工作結溫高達175°C，標準工作范圍比同類產品高出20%。另外，它們
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飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroPak 8 新型8引腳芯片級無引腳封裝，具備1、2和3位邏輯和開關功能。全新的TinyLogic
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飛兆 封裝
不久前，美國國家半導體公司(NS)宣布了采用塑膠球柵陣列(PBGA)封裝的GeodeTMSCx200解決方案。內含有集成中央處理器；可執行多路轉換操作的PCI/Sub-ISA接口；視頻輸入端口(VIP)；低腳數(LPC)接口/通用輸入輸出(GPIO);AC97/AMC97 2.0修訂版中頻；ACPI 1.0控制器；3個通用串行總線(USB)端口；ATA-33接口；輸入輸出；電壓輸入為3.3V，輸出為1.8V。典型功耗為1.8W(233MHz)及2.3W(300MHz), 423球型PBGA封裝后的體積僅為
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NS 封裝
封裝介紹
程序 封裝 (encapsulation)
隱藏對象的屬性和實現細節，僅對外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級別.
封裝 (encapsulation)
封裝就是將抽象得到的數據和行為(或功能)相結合，形成一個有機的整體，也就是將數據與操作數據的源代碼進行有機的結合，形成“類”，其中數據和函數都是類的成員。
封裝的目的是增強安全性和簡化編程，使用者不必了解具體的 [
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