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    封裝 文章 最新資訊

    IC封裝設計極大影響信號完整性

    • IC器件的封裝不是一個在IC芯片和外部之間的透明連接,所有封裝都會影響IC的電性能。由于系統頻率和邊緣速率的增加,封裝影響變得更加重要。在兩種不同封裝中的同樣IC,具有兩種完全不同的性能特性。這些電性能以寄生器件的形式出現,包括連線或引線之間的電容耦合、電感和電阻值。封裝的布局和結構確定了寄生器件的值,這些值在IC整體性能上有重要影響。信號中由封裝導致的寄生參數的影響包括接地反彈和噪聲、傳播延遲、邊緣速率、頻率響應和輸出引線時滯。目前有朝著更小的CSP封裝發展的趨勢,例如DQFN封裝。其他封裝設計正在經歷
    • 關鍵字: 飛兆半導體公司  封裝  

    可以解決眾多封裝難題的CSP-ASIP

    • 無線手持設備、掌上電腦以及其他移動電子設備的增加導致了消費者對各種小外形、特征豐富產品的需要。為了滿足越來越小的器件同時具有更多功能的市場趨勢和移動設計要求,業界開發了芯片級封裝(CSP)形式的特定應用集成無源(ASIP)陣列或集成無源器件(IPD)。某種程度上,CSP是一種“沒有封裝體”的產品,芯片就是它的封裝體。CSP-ASIP可以在目前許多無線手持設備中找到,掌上電腦、移動消費類電子產品也已經采用這些新的設計。一些半導體供應商采用CSP技術制造ASIP,從如何包裝芯片的角度來看,CSP技術與傳統的標
    • 關鍵字: 封裝  封裝  

    東芝推出兩款無引腳封裝型2比特單向電平變換IC

    •     東芝公司開發出采用超小型封裝的低電壓低消耗電流的單向電平變換IC——TC7WP3125FC/FK和TC7WPN3125FC/FK,適用于手機、PDA等小型便攜式設備。      東芝的這兩款IC工作電壓范圍從3.6V到1.1V,可在電源電壓不同的2個系統之間進行電平變換。它們采用無法輸出狀態時切斷內部電路的電路結構,在無法輸出時,使電流消耗接近0mA,從而有效降低電流消耗。新器件采用CST8 (1.45
    • 關鍵字: 東芝  封裝  

    凌特采用 MSOP 封裝的500kHz、1.4A(IOUT)36V 降壓型 DC/DC 轉換器

    • 凌特公司(Linear Technology)推出具有內部 1.9A 電源開關的電流模式 PWM 降壓型 DC/DC 轉換器 LT1936,該器件采用纖巧 8 引線耐熱增強型 MSOP 封裝。LT1936 的 3.6V 至 36V 寬輸入范圍使之非常適用于調節來自多種來源的電源,如未穩壓的墻上變壓器、24V 工業電源和汽車電池等。就汽車應用而言,器件能夠在低于 4V 的輸入條件下輕松操作,這是汽車“冷車發動”時所要求的。其 500kHz 工作頻率允許使用微小的低成本電感器和陶瓷電容器,從而產生小的可預測輸
    • 關鍵字: 凌特  封裝  

    用于 DDR/QDR 存儲器終端的雙輸出、兩相、無檢測電阻型同步控制器采用4mm x 4mm DFN 封裝

    • 凌特公司(Linear Technology)推出用于 DDR/QDR 存儲器終端應用的兩相、雙輸出同步降壓開關穩壓控制器 LTC3776。該控制器的第二輸出(VTT)可將其輸出電壓穩定在 1/2 VREF(通常是 VDDQ),同時可對稱地提供或吸收輸出電流。LTC3776 采用 2.75V 至 9.8V 輸入工作,能在無需任何外部偏置情況下采用 3.3V 輸入電壓軌工作。無檢測電阻(No RSENSETM)、恒定頻率、電流模式架構免除了增設檢測電阻的需要,并提高了效率。兩個控制器異相工作最大限度地降低了
    • 關鍵字: 凌特公司  封裝  

    意法半導體(ST)在多片封裝內組裝8顆裸片

    •     2005年4月4日存儲器和微控制器多片封裝技術應用的領導者意法半導體日前宣布該公司已開發出能夠疊裝多達8顆存儲器芯片的高度僅為1.6mm的球柵陣列封裝(BGA)技術,這項封裝技術還可以將兩個存儲器芯片組裝在一個厚度僅為0.8mm的超薄細節距BGA封裝(UFBGA)內,采用這項制造技術生產的器件可以滿足手機、數碼相機和PDA等體積較小的設備的存儲需求。     ST的多片封裝(MCP)器件內置通常是二到四顆不同類型的存儲芯片,如SRAM、閃
    • 關鍵字: ST  封裝  

    Siliconix與ST達成雙面冷卻型MOSFET封裝技術許可協議

    •     2005年3月10日意法半導體與Siliconix宣布達成一項許可協議,Siliconix將向ST提供最新的功率MOSFET封裝技術的許可使用權,這項技術使用強制性空氣冷卻方法,系統頂端與底部設有散熱通道,從而使封裝具有更加優異的散熱性能。Siliconix是Vishay Intertechnology科技有限公司(紐約證券交易所:VSH)持有80.4%股權的子公司。     Siliconix提供給ST的新封裝命名為Polar
    • 關鍵字: ST  封裝  

    安森美半導體在便攜式應用的分立元件封裝小型化方面領先業界

    •     2005年4月13日為滿足便攜式產品行業對分立元件封裝進一步小型化的需求,安森美半導體推出50多種SOT-723 平引腳封裝的小信號晶體管和小信號二極管。這新型封裝僅利用1.44 mm2的印刷電路板(PCB)面積,可提高硅與封裝之比率,并提供卓越的功耗性能。     安森美半導體小信號產品總經理馬文樂(Mamoon Rashid)說,“安森美半導體擁有最廣泛的先進技術,將提供采用SOT-723封裝的小信號器件
    • 關鍵字: 安森美  封裝  

    中芯國際擬與新加坡公司在成都建封裝測試廠

    •     中芯國際(0981.HK)日前宣布將與合作伙伴在四川成都成立集成電路封裝測試廠,業界猜測該合作伙伴可能是新加坡聯合測試與裝配中心公司(UTAC),但雙方均不就此事置評。UTAC發言人表示,現階段不作評論,也不會猜測任何市場傳言。    中芯國際總裁兼首席執行長張汝京上周在分析員電話會議沒透露合營伙伴的名稱,只表示, 待4月正式簽訂合作協議后,最快5月向外公布。他指出,集團將持有該座集成電路封裝測試廠的控股權,新廠房已于去年底動工,預計今年9月遷入生
    • 關鍵字: 中芯  封裝  

    LinearDFN和SOT-23 封裝的微功率LDO可承受高達 100V 輸入電壓

    • 凌特公司(Linear Technology)推出可提供 20mA 輸出電流的高壓、微功率、低壓差穩壓器 LT3014。該器件采用范圍為 3V 至 80V 的持續輸入電壓工作,可以 350mV 的低壓差產生 1.22V 至 60V 的輸出電壓,非常適用于汽車、48V 電信備份電源和工業控制應用。7uA(工作時)和 1uA(關機狀態)的超低靜態電流使該器件成為要求最長工作時間并由電池供電的存儲器“保持有效”系統的極好選擇。LT3014HV 版本可耐受持續 2ms 的 100V 輸入瞬態電壓,是電信和汽車應用
    • 關鍵字: 凌特公司  封裝  

    DFN和SOT-23封裝的微功率LDO可承受高達100V輸入電壓

    •    2005 年 4 月 5 日凌特公司(Linear Technology)推出可提供 20mA 輸出電流的高壓、微功率、低壓差穩壓器 LT3014。該器件采用范圍為 3V 至 80V 的持續輸入電壓工作,可以 350mV 的低壓差產生 1.22V 至 60V 的輸出電壓,非常適用于汽車、48V 電信備份電源和工業控制應用。7uA(工作時)和 1uA(關機狀態)的超低靜態電流使該器件成為要求最長工作時間并由電池供電的存儲器“保持有效”系統的極好選擇。LT3014HV 版本可耐受持續 2ms
    • 關鍵字: 凌特  封裝  

    采用ThinSOT封裝的超低功率10kHz至1MHz硅振蕩器

    • 凌特公司(Linear Technology)推出在 100kHz 時具有 18uA 超低工作電流的 LTC6906 可編程硅振蕩器。LTC6906 是便攜式設備的理想時鐘芯片,其占板面積僅為 LTC6906 ThinSOTTM 封裝和一個電阻所占面積。這些振蕩器無需旁路電容,可以編程至介于 10kHz 至 1MHz 之間的任何頻率。與晶體和陶瓷諧振器不同,LTC6906 不受加速、沖擊和震動問題的困擾。其時鐘啟動時間僅為 200us,非常適用于時鐘速度可能降低或甚至關斷時鐘以節省功率的便攜式設備。LTC
    • 關鍵字: 凌特公司  封裝  

    采用ThinSOT封裝的超低功率10kHz 至1MHz硅振蕩器

    •   凌特公司(Linear Technology)推出在 100kHz 時具有 18uA 超低工作電流的 LTC6906 可編程硅振蕩器。LTC6906 是便攜式設備的理想時鐘芯片,其占板面積僅為 LTC6906 ThinSOTTM 封裝和一個電阻所占面積。這些振蕩器無需旁路電容,可以編程至介于 10kHz 至 1MHz 之間的任何頻率。   與晶體和陶瓷諧振器不同,LTC6906 不受加速、沖擊和震動問題的困擾。其時鐘啟動時間僅為 200us,非常適用于時鐘速度可能降低或甚至關斷時鐘以節省功率的便攜式
    • 關鍵字: 凌特  封裝  

    鋁碳化硅為電子封裝提供熱管理解決方案

    • 2004年10月B版簡介利用最先進的材料設計低成本的高度可靠的微波電子、微電子、光電子和功率半導體系統是不現實的。為了保證此類設備的可靠性,需要電子封裝和襯底熱管理解決方案,因此工程師需要既能夠提供熱管理特性,同時又能夠在更小型的設計中達到最優功率密度的材料。要低成本生產此類材料需要滿足封裝設計功能要求的健壯成型工藝。鋁碳化硅(AlSiC)金屬基體復合材料為電子封裝提供了高度可靠且成本經濟的熱管理解決方案。它可提供高熱傳導率(~200 W/mK)以及可調的低熱膨脹系數(CTE)。對于需要減輕重量以及需要耐
    • 關鍵字: 封裝  

    安森美半導體推出微型封裝電壓抑制器件

    • 安森美半導體(ON Semiconductor)推出全新高性能、微型封裝的靜電放電(ESD)保護二極管系列,專為便攜式產品和電池供電應用中電壓敏感元件提供單線保護而設計。新系列中的五個ESD5Z器件包括ESD5Z2.5T1(2.5 V), ESD5Z3.3T1(3.3 V), ESD5Z5.0T1 (5.0 V), ESD5Z6.0T1(6.0 V)和ESD5Z7.0T1(7.0 V)。這些器件為鉗制快速上升的ESD脈沖而設計,防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30 kV的輸入波形(符合 IEC61000
    • 關鍵字: 安森美  封裝  
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    封裝介紹

    程序  封裝 (encapsulation)   隱藏對象的屬性和實現細節,僅對外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級別.   封裝 (encapsulation)   封裝就是將抽象得到的數據和行為(或功能)相結合,形成一個有機的整體,也就是將數據與操作數據的源代碼進行有機的結合,形成“類”,其中數據和函數都是類的成員。   封裝的目的是增強安全性和簡化編程,使用者不必了解具體的 [ 查看詳細 ]

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