臺積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術藍圖

　　臺積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術藍圖，預計于2010年第三季進行試產(Risk Production)。

　　臺積電自2008年九月發表28納米技術以來，技術的發展與進入量產的時程皆按預期計劃進行。就試產時程順序而言，低耗電氮氧化硅(簡稱28LP)工藝預計于2010年第一季底進行試產，高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)工藝則預計于2010年第二季底開始試產，而低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)工藝的試產時程將繼前兩者之后推出，于2010年第三季進行試產。

　　臺積電采用gate-last方法的28HPL工藝是28HP工藝的延伸，強調低耗電、低漏電、但仍能維持中高效能。至于28HPL工藝則適用于行動電話、智能上網本(smart netbook)、無線通訊、可攜式消費性電子等多種的低耗電應用。

　　28HPL工藝有完備的元件支援，適用于通用型市場應用的系統單晶片(SoC)平臺，與28LP工藝在特色上各有所強。28LP因延伸自氮氧化硅(SiON)工藝，因而成本更低、且有利于快速上市，尤其適用于手機與手持裝置的應用。

　　此外，臺積電于2008年九月宣布之28HP工藝亦采用gate-last 方法，適合中央處理器(CPU)、繪圖處理器(GPU)、芯片組(Chipset)與可程式化閘陣列(FPGA)、游戲主機與行動計算等高效能導向的應用。

　　臺積電研究發展副總經理孫元成博士表示：“在技術發展的過程中，我們采用gate-last的方式來發展28HPL相關技術，就其在電晶體特性、利于高階與低階應用的優勢及可制造性的這些方面，都比gate-first方法來得好。”

　　臺積電先進技術事業資深副總經理劉德音博士表示：“在HKMG工藝中的低耗電應用上，我們已與客戶共同發展了一段時間。將28HPL納入28納米工藝系列，再加上28LP與28HP兩項工藝，代表臺積電目前提供給業界的是最全面的28納米工藝組合。”

　　為了將28納米工藝的功效在全系列各式不同客戶產品中充分發揮，臺積電已與客戶和設計伙伴密切合作，在我們的開放創新平臺(Open Innovation Platform，OIP)上提供完備的設計架構。開放創新平臺系由臺積電主導，并開放給客戶與伙伴參與。