臺積電 2 納米晶圓價格達到 3 萬美元，據報道 SRAM 的良率達到了 90%

臺積電在過去幾年中穩步提高其最先進的半導體工藝節點的價格——如此之高，以至于一項分析表明， 晶體管成本在十多年里沒有下降。進一步的價格上漲，由關稅和不斷上升的開發成本推動，正在強化摩爾定律已經死亡的觀念。

《商業時報》報道，臺積電即將推出的 N2 2 納米半導體每片晶圓將售價 3 萬美元，比該公司 3 納米芯片大約上漲了 66%。未來的節點預計將更加昂貴，并且可能僅限于最大的制造商使用。

臺積電通過指出建造 2 納米晶圓廠的巨大成本來為其價格上漲辯護，這些成本最高可達 7.25 億美元。根據聯合報報道，像蘋果、AMD、高通、博通和英偉達等主要玩家預計將在年底前下單 ，盡管價格上漲，這可能會使臺積電在亞利桑那州的 2 納米晶圓廠達到滿負荷運轉。

明年新款 iPhone 18 Pro 中的 A20 處理器預計將是首款采用臺積電 N2 工藝的芯片。英特爾的目標是桌面和可能的高端筆記本電腦的 Nova Lake 處理器，也計劃使用 N2 工藝，并預計明年推出。

早期報道表明，臺積電 2 納米工藝的良率去年達到了 60%，并有所提升。新數據顯示，256Mb SRAM 良率現已超過 90%。試驗生產可能已經開始，大規模生產計劃于今年晚些時候啟動。

隨著基于 2nm 工藝的芯片量產超越同一開發階段的以往節點，臺積電計劃在 2025 年底前生產數萬片晶圓。

臺積電還計劃在明年下半年推出 N2P 和 N2X，以接續 N2。N2P 預計在相同功耗下比 N3E 性能提升 18%，在相同速度下能效提升 36%，并且邏輯密度顯著提高。N2X 計劃于 2027 年開始大規模生產，將最大時鐘頻率提高 10%。

隨著半導體幾何尺寸的不斷縮小，功耗泄漏成為一個主要問題。臺積電的 2 納米節點將通過環繞柵極（GAA）晶體管架構來解決這個問題，實現更精確的電流控制。

超過 2 納米就是埃時代，臺積電將實施背面電源傳輸以進一步提升性能。未來的工藝節點如 A16（1.6 納米）和 A14（1.4 納米）的晶圓成本可能高達 45,000 美元。

與此同時， 英特爾正試圖超越臺積電的路線圖。該公司最近開始風險生產其 A18 節點，該節點也采用環繞柵極和背面電源傳輸技術。這些芯片預計將于今年晚些時候在英特爾即將推出的筆記本電腦 CPU，代號為獵戶座中亮相。