臺積電規(guī)劃32納米制程提供HKMG技術

　　據(jù)Chinatimes報道，臺積電年底40納米即將導入量產(chǎn)，對次世代32納米技術也有了新規(guī)劃，除了提供一般型及低功耗的32納米技術外，近期業(yè)內(nèi)已傳出將提供高介電金屬柵電極（High-K Metal Gate，HKMG）技術，此舉等同于可提供中央處理器（CPU）代工服務，業(yè)內(nèi)預期這是為了爭取AMD處理器訂單而先行鋪路。

　　臺積電于今年3月底正式推出40納米晶圓共乘服務，提供客戶泛用型制程（40G）及低耗電制程（40LP）等兩種制程，下半年亦有多個產(chǎn)品完成設計定案（tape-out），明年第二季將推出行動通訊制程（40LPG），確實已獲得數(shù)十個客戶進行產(chǎn)品設計。臺積電預計年底40納米的量產(chǎn)將如期進行，明年將轉(zhuǎn)入40納米投片的客戶，已包括高通（Qualcomm）、阿爾特拉（Altera）、英偉達（NVIDIA）、AMD等。

　　臺積電持續(xù)基于摩爾定律進行制程微縮工程，明年底將推出32納米制程，原本只計劃提供泛用型制程（32G）及低耗電制程（32LP）等兩種，但是臺積電已經(jīng)開始著手32納米的HKMG制程，以利其后續(xù)爭取更多的中央處理器代工訂單。

　　設備商表示，目前先進制程微縮至32納米有兩大挑戰(zhàn)，一是微影技術（Lithography）的微縮問題，二是愿意導入32納米的邏輯組件訂單十分有限，且每項產(chǎn)品的設計研發(fā)金額高達7，500萬美元，較45及40納米高出50％。臺積電為了如期提供32納米技術，已透過雙重曝影（double patterning）方式，將浸潤式（immersion）微影技術應用延伸至32納米，現(xiàn)在面臨的問題則是要找到夠多的訂單填補開出的產(chǎn)能。

　　業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電希望以處理器代工訂單做為32納米最大需求來源，所以才會增加32納米HKMG技術，因為除了其為Sun計算機代工的Sparc處理器，可能需要用到HKMG技術來降低漏電，也可開始為其一年來積極爭取的AMD處理器代工訂單進行鋪路，因為AMD已透露32納米世代可能導入HKMG技術。