4nm大戰,三星搶先導入將EUV,研發GAAFET

　　晶圓代工之戰，7nm制程預料由臺積電勝出，4nm之戰仍在激烈廝殺。 Android Authority報道稱，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設備，又投入研發能取代「鰭式場效晶體管」(FinFET)的新技術，目前看來似乎較占上風。

　　Android Authority報導，制程不斷微縮，傳統微影技術來到極限，無法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長更短的EUV， 才能準確刻蝕電路圖。 5nm以下制程，EUV是必備工具。 三星明年生產7nm時，就會率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競賽搶先起跑，可望加快發展速度。

　　相較之下，臺積電和格羅方德的第一代7nm制程，仍會使用傳統的浸潤式微影技術，第二代才會使用EUV。

　　制程微縮除了需擁抱EUV，也需開發FinFET技術接班人。 晶體管運作是靠閘極(gate)控制電流是否能夠通過，不過芯片越做越小，電流信道寬度不斷變窄，難以控制電流方向，未來FinFET恐怕不敷使用，不少人認為「閘極全環場效晶體管」( Gate-all-around FET，GAAFET)是最佳解決方案。

　　今年稍早，三星、格芯和IBM攜手，發布全球首見的5nm晶圓技術，采用EUV和GAAFET技術。 三星路徑圖也估計，FinFET難以在5nm之后使用，4nm將采用GAAFET。 盡管晶圓代工研發不易，容易遇上挫折延誤，不過目前看來三星進度最快。 該公司的展望顯示，計劃最快在2020年生產4nm，進度超乎同業，也許有望勝出。