4nm 文章 最新資訊
臺積電將于下個月破土動工1.4nm晶圓廠
- 經(jīng)濟新聞日報》道，臺積電將于 10 月破土動工，耗資 490 億美元的 Fab 25 工廠用于其 1.4 納米工藝。1.4nm 的試生產(chǎn)計劃于 2027 年底在構(gòu)成 Fab 25 的四個晶圓廠中的第一個進行。Fab 25 將在臺中市附近的臺灣中部科學(xué)園區(qū)舉行。所有四個晶圓廠都將運行 1.4nm 工藝，能夠生產(chǎn) 50k wpm。該工廠將容納四家工廠，最初的晶圓廠計劃于 2027 年底開始試生產(chǎn)，并于 2028 年下半年量產(chǎn)。臺積電的第二代 GAA 工藝 1.4nm 工藝與 20nm 工藝相比，邏輯密度超過
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三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進，2028-29前不太可能實現(xiàn)1.4nm
- 據(jù)報道，隨著主要競爭對手臺積電和英特爾的目標是在 2025 年下半年實現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn)，三星也在調(diào)整其業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱，它現(xiàn)在專注于提高和優(yōu)化其當前先進節(jié)點的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒有給出修改后的時間表，但該報告表明，三星的 1.4nm 生產(chǎn)現(xiàn)在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據(jù) ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級代工生態(tài)系統(tǒng)）論壇 2025”期間發(fā)布的。據(jù)報道，在此次活動中，三星透
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三星4nm工藝UCIe芯片完成性能評估，傳輸帶寬達24Gbpsv
- 據(jù)韓媒etnews于6月18日報道，三星電子近期在高性能計算（HPC）和人工智能（AI）領(lǐng)域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評估，傳輸帶寬達到24Gbps。這一成果標志著三星在芯粒互聯(lián)技術(shù)上的顯著進展。UCIe（統(tǒng)一芯?；ヂ?lián)接口）是一種通用的芯?；ヂ?lián)標準，能夠?qū)崿F(xiàn)不同來源和工藝的芯粒之間的互聯(lián)通信，從而將分散的芯粒生態(tài)系統(tǒng)整合為統(tǒng)一平臺。三星早在去年就對其工藝進行了優(yōu)化，以支持UCIe IP的開發(fā)。此次原型芯片的成功運行，表明其技術(shù)已具備向商業(yè)量產(chǎn)邁進的能力。
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臺積電美國廠首批4nm晶圓送往臺灣封裝
- 據(jù)臺媒報道，臺積電位于美國亞利桑那州的晶圓廠已經(jīng)完成了為蘋果、英偉達（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，數(shù)量達到了2萬片晶圓，目前這些芯片已經(jīng)送往中國臺灣進行封裝。這批在臺積電亞利桑那州晶圓廠生產(chǎn)的4nm制程晶圓，其中包括了英偉達Blackwell AI GPU、蘋果公司面向iPhone的A系列處理器和AMD第五代EPYC數(shù)據(jù)中心處理器。由于臺積電目前在美國沒有封裝廠，因此這些晶圓還需要發(fā)送到中國臺灣的臺積電的先進封裝廠利用CoWoS技術(shù)進行先進封裝。雖然臺積電也計劃在美國建設(shè)兩座先進封裝廠，但是目
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臺積電重申1.4nm級工藝技術(shù)不需要高數(shù)值孔徑EUV
- 臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術(shù)研討會上重申了其對下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場。該公司的下一代工藝技術(shù)不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技術(shù)。為此，TSMC 不會為這些節(jié)點采用 High-NA EUV 工具?！爱斉_積電使用 High-NA 時，人們似乎總是很感興趣，我認為我們的答案非常簡單，”副聯(lián)席首席運營官兼業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動中說。“每當我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡
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英特爾版 X3D 技術(shù)將至：18A-PT 芯片工藝官宣，14A 節(jié)點即將推出
- 4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項目上的進展。陳立武宣布，公司現(xiàn)在正在與即將推出的 14A 工藝節(jié)點（1.4nm 等效）的主要客戶進行接觸，這是 18A 工藝節(jié)點的后續(xù)一代。英特爾已有幾個客戶計劃流片 14A 測試芯片，這些芯片現(xiàn)在配備了公司增強版的背面電源傳輸技術(shù)，稱為PowerDirect。陳立武還透露，公司的關(guān)鍵 18A 節(jié)點現(xiàn)在處于風險生產(chǎn)階段，預(yù)計今年晚
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臺積電推1.4nm 技術(shù)：第2代GAA晶體管，全節(jié)點優(yōu)勢2028年推出
- 臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術(shù)，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢。在周三舉行的 2025 年北美技術(shù)研討會上，該公司透露，新節(jié)點將依賴其第二代全環(huán)繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過 NanoFlex Pro 技術(shù)提供進一步的靈活性。臺積電預(yù)計 A14 將于 2028 年進入量產(chǎn)，但沒有背面供電。計劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本。“A14 是我們的全節(jié)點下一代先進芯片技術(shù)，”臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級副總
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搶單失敗，高通4nm訂單未選擇三星
- 移動處理器大廠高通（Qualcomm）計劃推出一款新的4納米高端芯片組，雖然定位低于旗艦級的Snapdragon 8 Elite，但性能依然備受市場關(guān)注。 最新消息指出，這款可能命名為Snapdragon 8s Gen 4的新芯片，高通似乎仍傾向于與老伙伴臺積電合作，而非選擇三星代工。追蹤三星相關(guān)消息的南韓科技媒體SamMobile報導(dǎo)，盡管三星的4納米制程已經(jīng)通過測試，也經(jīng)過市場驗證，看似有搶單的機會，然而高通似乎仍對三星持保留態(tài)度，最終還是決定交由臺積電獨家代工這款新芯片。其實三星早在2021年就以第
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高通驍龍 8s 至尊版芯片曝光：安兔兔跑分逼近 200 萬
- 3 月 24 日消息，消息源 @Gadgetsdata 于 3 月 22 日在 X 平臺發(fā)布推文，分享了高通驍龍 8s 至尊版芯片的更多細節(jié)，并透露該芯片的各項配置更接近于驍龍 8s Gen 3 芯片。援引博文介紹，高通驍龍 8s 至尊版采用 4nm 制程工藝，沒有采用Oryon自研核心，其配置信息如下：驍龍8s Gen 38s Elite8 Elite節(jié)點4nm4nm3nmCPU,主核1x Cortex-X4 @ 3.0GHz1x Cortex-X4 @ 3.21GHz2x Oryon @ 4.32GH
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臺積電美國廠4nm芯片生產(chǎn)進入最后階段
- 知情人士稱，蘋果在臺積電美國亞利桑那州工廠（Fab 21）生產(chǎn)的4nm芯片已進入最后的質(zhì)量驗證階段，英偉達和AMD也在該廠進行芯片試產(chǎn)。不過，臺積電美國廠尚不具備先進封裝能力，因此芯片仍需運回臺灣封裝。有外媒在最新的報道中提到，去年9月份就已開始為蘋果小批量代工A16仿生芯片的臺積電亞利桑那州工廠，目前正在對芯片進行認證和驗證。一旦達到質(zhì)量保證階段，預(yù)計很快就能交付大批量代工的芯片，甚至有可能在本季度開始向蘋果設(shè)備供貨?！?臺積電亞利桑那州晶圓廠項目工地，圖源臺積電官方臺積電位于亞利桑那州的在美晶圓廠項目
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臺積電美國工廠明年開產(chǎn)4nm芯片：你買安卓、蘋果產(chǎn)品可能要多付30%
- 12月30日消息，據(jù)國外媒體報道稱，臺積電亞利桑那工廠將于2025年下半年開始量產(chǎn)4nm工藝，蘋果、英偉達、AMD 和高通等客戶將成為主要受益者。不過，對于消費者來說就不那么友好了，因為如果真是這樣的話，那么大家要承擔30%漲價。為什么這么說？報道中提到，臺積電的4nm工藝將在亞利桑那州工廠的一期（1A）廠區(qū)投產(chǎn)，但生產(chǎn)成本預(yù)計將比現(xiàn)有的高出30%，這是美國客戶需要考慮的問題。據(jù)悉，該工廠將負責4nm生產(chǎn)，但這是第一階段的計劃，因為在第二階段，臺積電計劃在2028年量產(chǎn)2nm，盡管目前這還有點不確定。按照
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臺積電美國晶圓廠4nm試產(chǎn)良率已與在臺工廠相近
- 據(jù)彭博社援引消息稱，臺積電美國亞利桑那州晶圓廠項目首座工廠4nm產(chǎn)線的試產(chǎn)良率已與臺積電位于臺灣地區(qū)的南科廠良率相近。臺積電在回應(yīng)彭博社報道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項目“正在按計劃進行，進展良好”。根據(jù)此前的信息顯示，臺積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產(chǎn)線的架設(shè)，并開始接電并投入基于4nm制程進行工程測試晶圓的生產(chǎn)，而根據(jù)彭博社最新的報道來看，基于該生產(chǎn)線的第一批試產(chǎn)的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當，那么表明其后續(xù)如果量產(chǎn)，良率將不是問題。根據(jù)規(guī)劃，臺積電將在美國亞利
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高通入門級驍龍4s Gen2發(fā)布：三星4nm、主頻2.0GHz
- 7月29日消息，高通正式發(fā)布了新款移動平臺驍龍4s Gen 2，這款芯片定位于入門級市場，采用三星4nm工藝技術(shù)。CPU為八核心設(shè)計，包括2個最高可達2.0GHz的A78內(nèi)核和6個A55內(nèi)核，最高頻率為1.8GHz。這款芯片支持Wi-Fi 5、藍牙5.1、5G NR，以及最高8400萬像素的照片拍攝和1080P 60P視頻錄制，同時兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X運行內(nèi)存。與前代產(chǎn)品高通驍龍4 Gen 2相比，驍龍4s Gen 2的多項性能參數(shù)有所降低，例如CPU大核主頻從2
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4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點
- 根據(jù)韓國媒體Etnews的報導(dǎo)，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導(dǎo)指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計劃于2024年底開始分階段運營。以三星電子DS部門前負責人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節(jié)點制程的產(chǎn)品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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4nm介紹
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