臺積電計劃于2012年Q3開始試產22nm HP制程芯片

　　據臺積電公司負責開發的高級副總裁蔣尚義透露，他們計劃于2012年第三季度開始試產22nm HP(高性能)制程的芯片產品，并將于2013年第一季度開始試產22nm LP(低功耗)制程的芯片產品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半導體產業論壇會議上透露這些信息的。

　　會上蔣尚義還透露了臺積電28nm制程推進計劃的細節，據他表示，臺積電將于今年6月底前開始試產28nm低功耗制程(LP)產品，基于這種制程產品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺積電計劃啟動首款基于HKMG柵極結構的28nm制程--28HP的試產;最后，今年12月份晚些時候他們會開始第二款基于HKMG柵極結構的28nm制程(28HPL)的試產。

　　另外，蔣尚義還表示目前臺積電已經從Altera，富士通，高通以及信力公司那里接到了28nm芯片的代工訂單。

　　至于40nm制程部分，臺積電表示其生產的40nm制程產品在市場上的份額已經達到80%強。盡管去年中期曾出現過良率不佳的問題，但經過兩個季度的改進和完善之后，其40nm制程工藝的缺陷密度(Defect Density：一種質量特征，用每層和每平方厘米晶片上的缺陷數表示。)已經由原來的0.3-0.4降至0.1-.0.3左右。

　　臺積電的銷售所得分布方面，蔣尚義表示，到今年年底，臺積電的40nm制程業務方面所得的營收額將占到公司總營收額的20%左右，而去年年底這個比例則只有4%左右。

　　目前臺積電40nm制程芯片的季度產能約為8萬片12英寸晶圓，蔣尚義并表示到今年年底，有關的產能將實現倍增。目前臺積電只有Fab12一間工廠能夠制作40nm制程芯片，不過臺積電計劃讓Fab14工廠也具備40nm制程芯片的制造能力，以滿足增加40nm芯片產能的需要。