臺積電取得ASML超紫外光微影設備以研發新世代工藝

　　TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設備，是全球六個取得這項設備的客戶伙伴之一。

　　這項設備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺積十二廠，用以發展新世代的工藝技術。TSMC也將成為全球第一個可以在自身晶圓廠發展超紫外光微影技術的專業集成電路制造服務業者。

　　相較于現行浸潤式微影技術以193納米波長當作光源，超紫外光微影技術導入更短波長的光源，將有機會降低生產成本，而成為集成電路制造更先進技術世代一個有潛力的選擇。TSMC目前正在對超紫外光及其他微影技術的最佳成本效益的潛力進行評估。

　　TSMC研究發展資深副總經理蔣尚義博士表示：「TSMC將會利用ASML公司的TWINSCAN™ NXE:3100設備，進行更先進世代工藝技術的研發。超紫外光微影技術是我們正在研究的下世代微影技術之一，而導入此項設備，不但切合我們保持先進技術領先的目標，更強化了我們不斷投資于歐洲半導體業創新的一貫承諾。經由ASML和其他公司，歐洲半導體業將在TSMC未來工藝技術的發展上，繼續扮演重要的角色。」

　　ASML公司執行副總裁暨產品及技術長Martin van den Brink表示：「包括此次提供NXE:3100設備給TSMC，ASML已經為邏輯、動態隨機存取記憶體、NAND快閃記憶體及專業集成電路制造服務等芯片制造的主要領域提供超紫外光設備。而藉由為TSMC提供未來芯片制造最佳的技術，將可促進我們與TSMC長久的伙伴關系。」