SK海力士HBM3e良率已接近80%

5月23日消息，據英國《金融時報》報道，SK海力士高層Kwon Jae-soon近日向其透露，SK海力士的HBM3E良率接近80%，生產效率也明顯提升。

相較標準DRAM產品，HBM制造過程牽涉DRAM層間建立TSV硅通孔和多次芯片鍵合，復雜程度直線上升。一層DRAM出問題，就讓整個HBM堆疊報廢。故HBM生產必須更謹慎，提升效率也更難。八層至12層堆疊HBM3E天生良率就落后標準DRAM。

此前韓媒DealSite曾于3月報道稱，SK海力士的HBM良率僅約65%。現在SK海力士的HBM良率提高到80%，顯示良率有明顯改進。

Kwon Jae-soon也提到，SK海力士已將HBM3E生產周期減少50%。更短產期代表更高效率，輝達等下游客戶貨源更充足。他也再次確認SK海力士今年重點是生產八層堆疊HBM3E，因目前是客戶需求大宗。Kwon Jae-soon強調，人工智能時代，提高產量對保持領先地位越來越重要。

編輯：芯智訊-林子