3d-ic 文章最新資訊

李飛飛對(duì)計(jì)算機(jī)視覺的愿景：World Labs 正為機(jī)器提供 3D 空間智能

斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競(jìng)賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識(shí)別 1000 個(gè)類別的物體和動(dòng)物。2012 年，一個(gè)名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動(dòng)，它的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時(shí)起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費(fèi)訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計(jì)算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型可一鍵生成超逼真3D互動(dòng)世界

12月5日消息，美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，谷歌旗下人工智能研究機(jī)構(gòu)DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時(shí)候推出的Genie模型的升級(jí)版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個(gè)可愛的機(jī)器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構(gòu)建出一個(gè)交互式的實(shí)時(shí)場(chǎng)景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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Teledyne推出用于在線3D測(cè)量和檢測(cè)的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

Teledyne DALSA推出在線3D機(jī)器視覺應(yīng)用開發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡(jiǎn)化生產(chǎn)線上的3D測(cè)量和檢測(cè)任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動(dòng)汽車（電動(dòng)汽車電池、電機(jī)定子等）、汽車、電子、半導(dǎo)體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動(dòng)化應(yīng)用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡(jiǎn)化的工具，用于
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三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據(jù)韓媒報(bào)道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。報(bào)道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨(dú)家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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官宣了！IC China 2024將于11月18日在北京舉行

11月1日下午，第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)（IC China 2024）新聞發(fā)布會(huì)在北京舉行。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)兼秘書長(zhǎng)張立、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)執(zhí)行秘書長(zhǎng)王俊杰、北京賽迪出版?zhèn)髅接邢薰究偨?jīng)理宋波出席會(huì)議，分別介紹IC China 2024的舉辦意義、籌備情況、特色亮點(diǎn)，并回答記者提問。發(fā)布會(huì)由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)專職副理事長(zhǎng)兼書記劉源超主持。發(fā)布會(huì)披露，IC China 2024由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主辦，北京賽迪出版?zhèn)髅接邢薰境修k，將于11月18日—20日在北京國(guó)家會(huì)議中心舉辦。自2003年
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臺(tái)積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

臺(tái)積電OIP（開放創(chuàng)新平臺(tái)）于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開，除表?yè)P(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。臺(tái)積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺(tái)積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動(dòng)AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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倒計(jì)時(shí)5天！ICDIA-IC Show & AEIF 2024 蓄勢(shì)待發(fā)

（一）會(huì)議概況2024中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)暨第四屆IC應(yīng)用展（ICDIA-IC Show）和第十一屆汽車電子創(chuàng)新大會(huì)（AEIF）暨汽車電子應(yīng)用展將于9月25-27日在無錫同期召開，兩會(huì)共設(shè)2場(chǎng)高峰論壇、8場(chǎng)專題分會(huì)（含1場(chǎng)供需對(duì)接+1場(chǎng)強(qiáng)芯發(fā)布），150場(chǎng)報(bào)告，6000+平米展區(qū)展示，200+展商展示IC創(chuàng)新成果與整機(jī)應(yīng)用，200+行業(yè)大咖，500+企業(yè)高管，5000+行業(yè)嘉賓參會(huì)。會(huì)議看點(diǎn)1、第十屆汽車電子創(chuàng)新大會(huì)（AEIF）概況2024 AEIF技術(shù)展覽規(guī)模將全面升級(jí)，聚焦大模型與AI算力、汽車電
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東芝推出全新可重復(fù)使用的電子熔斷器(eFuse IC)系列產(chǎn)品

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出新系列8款小型高壓電子熔斷器（eFuse IC）——TCKE9系列，支持多種供電線路保護(hù)功能。首批兩款產(chǎn)品“TCKE903NL”與“TCKE905ANA”于今日開始支持批量出貨，其他產(chǎn)品將陸續(xù)上市。TCKE9系列產(chǎn)品具有電流限制和電壓鉗位功能，可保護(hù)供電電路中的線路免受過流和過壓狀況的影響，這是標(biāo)準(zhǔn)物理熔斷器無法做到的。即使發(fā)生異常過流或過壓，也能保持指定的電流和電壓。此外，新產(chǎn)品還具有過熱保護(hù)和短路保護(hù)功能，當(dāng)電路產(chǎn)生異常熱量或發(fā)生意外短路時(shí)，可通
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

近日，據(jù)媒體報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長(zhǎng)，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長(zhǎng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(zhǎng)速度，預(yù)測(cè)到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時(shí)間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報(bào)道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)演講會(huì)上表示，公司計(jì)劃于2030至2031
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

6月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士在近期于美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測(cè)試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過一半（即561個(gè)）為良
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西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場(chǎng)

●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對(duì)從芯片設(shè)計(jì)和?3D?組裝的早期探索到項(xiàng)目?Signoff?過程中的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進(jìn)的設(shè)計(jì)工具，能夠在整個(gè)設(shè)計(jì)流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對(duì)?3D?
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西門子推出 Solido IP 驗(yàn)證套件，為下一代 IC 設(shè)計(jì)提供端到端的芯片質(zhì)量保證

●? ?西門子集成的驗(yàn)證套件能夠在整個(gè)IC設(shè)計(jì)周期內(nèi)提供無縫的IP質(zhì)量保證，為IP開發(fā)團(tuán)隊(duì)提供完整的工作流程西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前推出 Solido? IP 驗(yàn)證套件 (Solido IP Validation Suite)，這是一套完整的自動(dòng)化簽核解決方案，可為包括標(biāo)準(zhǔn)單元、存儲(chǔ)器和 IP 模塊在內(nèi)的設(shè)計(jì)知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP) 提供質(zhì)量保證。這一全新的解決方案提供完整的質(zhì)量保證 (QA) 覆蓋范圍，涵蓋所有 IP 設(shè)計(jì)視圖和格式，還可提供 “版本到版本” 的 IP 認(rèn)證，能夠提升完整芯
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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全球芯片設(shè)計(jì)廠商TOP10：英偉達(dá)首次登頂

得益于人工智能需求激增推動(dòng)的英偉達(dá)營(yíng)收大增，全球前十大芯片設(shè)計(jì)廠商在去年的營(yíng)收超過了1600億美元，英偉達(dá)也首次成為年度營(yíng)收最高的芯片設(shè)計(jì)廠商。
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3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測(cè) [ 查看詳細(xì) ]