受訪人：亞德諾半導體 大規模數據中心、企業服務器和5G電信基站、電動汽車充電站、新能源等基礎設施的廣泛部署使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。近年來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現更緊湊、更具成本效益的功率應用。好馬
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202207 ADI 第三代半導體 IC 功率器件
IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢報告顯示，在供需失衡、庫存高漲的狀況下，預計第三季度驅動 IC 的價格降幅將擴大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢進一步表示，中國面板驅動 IC 供貨商為了鞏固供貨動能，更愿意配合面板廠的要求，價格降幅可達到 10%-15%。報告指出，在需求短期間難以好轉下，面板驅動 IC 價格不排除將持續下跌，且有極大可能會比預估的時間更早回到 2019 年的起漲點。此外，TrendFor
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IC TrendForce 市場
可靠的電壓監控器IC始終是工業界的行業需求，因為它可以提高系統可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時提升系統性能。半導體制造商也在不斷提高電壓監控器IC的性能。監控器IC需要一個稱為上電復位（VPOR）的最低電壓來生成明確或可靠的復位信號，而在該最低電源電壓到來之前，復位信號的狀態是不確定的。一般來說，我們將其稱之為復位毛刺。復位引腳主要有兩種不同的拓撲結構，即開漏和推挽（圖1），兩種拓撲結構都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復位拓撲的開漏配置和推挽配置圖2. 復位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
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ADI IC
近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數據、AIoT的加速
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長江存儲 3D NAND
這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態盤，都呈現火力全開的姿態，從技術到產品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯網、嵌入式、服務器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態規格
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長江存儲 3D NAND
近日，有消息稱，國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會實現232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發布了業界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了。可見，國產存儲芯片，在技術上確實已經追上了三星
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長江存儲 3D NAND
中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經完成192層3D NAND閃存樣品生產，預計年底實現大規模量產交付。長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發，并成功在2020年正式宣布研發成功，它是
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長江存儲 3D NAND
頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發的192層3D NAND閃存已經送樣，預計年底實現量產。長江存儲一直是我們優秀的國產存儲芯片企業，從成立之初便保持了一個高速的發展狀態。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發，并在2020年正式宣布研發成功，它是業內首款128層QLC規格的3D N
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長江存儲 3D NAND
比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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imec 晶背供電 邏輯IC 布線 3D IC
集成電路是信息技術產業的核心，是支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產業，是世界主要國家和地區搶占工業經濟制高點的必爭領域。為了進一步鼓勵我國具有市場競爭實力和投資價值的集成電路企業健康快速發展，進一步總結企業發展的成功模式，挖掘我國集成電路領域的優秀創新企業，對優秀企業進行系統化估值，提升企業的國際和國內影響力。在連續成功舉辦四屆遴選活動的基礎上，由賽迪顧問股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯合主辦的2021-2022（第五屆）中國IC獨角獸遴選活動歷時兩個月，收到企業自薦及機構推薦
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IC 獨角獸
3D深度傳感器在汽車座艙監控系統中發揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創新的汽車智能座艙，支持新服務的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實現自動駕駛愿景等都至關重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統領域的湃安德（pmd）合作，開發出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標準，具有更高的分辨率。
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3D 圖像傳感器
增強現實（AR）應用將從根本上改變人類的生活和工作方式。預計今年下半年，AR領域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業級應用而設計，將成為市場上最具沉浸感的企業級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計，擁有行業領先的光學技術和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優化復雜的流程，并支持員工進行無縫協作。Magic Leap 2的核心優勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D s深度傳感
隨著全球通膨疑慮升高及能源成本飆升，加上大陸因疫情實施封控，以及俄烏戰爭懸而未決，經濟逆風對今年全球經濟成長將造成挑戰，但包括Gartner及IC Insights等市調機構仍預估，今年全球半導體市場仍會較去年成長一成以上。IC Insights表示，今年全球半導體總銷售額仍可年增11％，與今年初預測相同，但外在變化造成的不確定性，導致芯片銷售成長幅度或有消長。其中，微處理器及功率分離式組件銷售將高于先前預期，包括嵌入式處理器及手機應用處理器成長強勁，功率組件價格續漲且成長幅度增加，至于CMOS影像傳感器
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Gartner IC Insights 半導體市場
5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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當人們在75年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實時成像照片時，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創舉。時至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉過來，亦即在幾秒鐘內將一組靜態影像變成數字 3D 場景。 NVIDIA Research 透過人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場景這項稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程，利用 AI 來預估光線在真實世界中的表現，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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3D CPU GPU NVIDIA
3d-ic介紹
3D IC產業鏈依制程可概略區分成3大技術主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [
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