3d-ic 文章最新資訊

格力1.5億元參設創投基金，重點投資孵化IC等產業

珠海市招商署消息顯示，5月6日，珠海賽納永盈一期創投基金成立暨項目簽約儀式舉行。據悉，珠海賽納永盈一期創投基金由珠海賽納科技有限公司聯合格力集團、正方集團共同組建，計劃規模8億元，重點投資孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成電路及上下游相關產業。格力集團消息稱，格力集團旗下格力金投出資1.5億元并參與管理。儀式上，賽納科技、格力集團、正方集團三方簽約代表簽署“珠海賽納永盈一期創投基金”協議，基金擬投資企業珠海諾威達電機有限公司、廣州市小篆科技有限公司分別和賽納科技簽署項目落地協議。
關鍵字：格力創投基金 IC

DRAM迎來3D時代？

3D DRAM 領域的技術競爭升溫。
關鍵字： 3D DRAM 存儲芯片 NEO 3D X-DRAM

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術

5 月 5 日消息，鎧俠和西數展示最新的技術儲備，雙方正在努力實現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據其公布的技術論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側向
關鍵字： 3D NAND

基于RT3607HP的 Intel CPU IMVP 8/9 Vcore 電源方案

1. CPU Vcore 簡介:VCORE轉換器（調節器）是在臺式個人電腦、筆記本式個人電腦、服務器、工業電腦等計算類設備中為CPU（中央處理器）內核或GPU（圖形處理器）內核供電的器件，與普通的POL（負載點）調節器相比，它們要滿足完全不同的需要：CPU/GPU都表現為變化超快的負載，需要以極高的精度實現動態電壓定位 (Dynamic Voltage Positioning) ，需要滿足一定的負載線要求，需要在不同的節能狀態之間轉換，需要提供不同的參數測量和監控。在VCORE轉換器與CPU之間通常以串列
關鍵字： Richtek 立锜 Intel IMVP8 RT3607 多相電源 PWM IC

什么是混合信號 IC 設計？

在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對于一些壓電加速度計，放大器內置在傳感器外殼中。現代 IC 通常由來自各個領域的元素組成。還有各種片上系統 (SoC) 和系統級封裝 (SiP) 技術，包括單個 IC 上的每個 IC 設計域，或包含各種半導體工藝和子 IC 的封裝。本簡介概述了典型混合信號 IC 設計流程中的步驟。在本文中，我們系列文章中短的一篇，我們將給出混合信號 IC 設計流程的視圖——同時具有模擬和數字電路的 IC 設計流程。數據轉換器——
關鍵字：混合信號 IC

德州儀器推出業內先進的獨立式有源 EMI 濾波器 IC，支持高密度電源設計

中國上海（2023 年 3 月 28 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）今日宣布推出業內先進的獨立式有源電磁干擾 (EMI) 濾波器集成電路 (IC)，能夠幫助工程師實施更小、更輕量的 EMI 濾波器，從而以更低的系統成本增強系統功能，同時滿足 EMI 監管標準。隨著電氣系統變得愈發密集，以及互連程度的提高，緩解 EMI 成為工程師的一項關鍵系統設計考慮因素。得益于德州儀器研發實驗室 Kilby Labs 針對新概念和突破性想法的創新開發，新的獨立式有源 EMI 濾波器 I
關鍵字：德州儀器有源 EMI 濾波器 IC 電源設計

平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規則？

近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱這將改變存儲器行業的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發明了動態隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導體行業締造了一個影響巨大且市場規模超千億美元的產業帝國。DRA
關鍵字： 3D DRAM 存儲器

外媒：存儲大廠正在加速3D DRAM商業化

據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產業的未來增長動力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現有
關鍵字：存儲 3D DRAM

芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”

國內EDA行業領導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現，近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計，這一事件引起了我們極大的關注。“3D InCites創始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
關鍵字：芯和半導體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎

晶圓廠貨源多元布局，代工報價面臨壓力

IT之家 3 月 13 日消息，據臺媒中央社報道，半導體產業景氣反轉向下，晶圓代工產能松動，IC 設計廠為強化供應鏈，同時因未來可能變化的需求，紛紛針對貨源展開多元布局，晶圓代工報價恐將面臨壓力。臺媒指出，晶圓代工廠今年來因為終端市場需求疲弱，供應鏈持續調整庫存，產能明顯松動，世界先進第一季度產能利用率恐較去年第四季度下滑 10 個百分點，力積電將降至 6 成多水準，聯電第一季度產能利用率也將降至 7 成。IC 設計廠多數表示，晶圓代工廠并未調降代工價格，不過廠商針對配合預先投片備貨的客戶提供優
關鍵字：晶圓代工 IC 設計

芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎”

國內EDA行業領導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現，近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計，這一事件引起了我們極大的關注。“3D?InCites創始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
關鍵字：芯和半導體 3D InCites Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎

探索IC電源管理新領域的物聯網應用

本文深入探討物聯網電池技術，并提出設計人員可能面臨的一些電源問題，以及ADI提供的解決方案。這些高效的解決方案可以協助克服物聯網裝置中的其他問題，包括尺寸、重量和溫度。隨著物聯網裝置越來越密集地應用于工業設備、家庭自動化和醫療應用中，透過減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗，或者加快充電時間（對于可攜式物聯網裝置）來優化這些裝置的電源管理的壓力也越來越大。相關的要求是所有這些都必須以小尺寸實現，既不能影響散熱，也不能干擾裝置實現無線通信。物聯網裝置的應用領域幾乎沒有止境，每天都會考慮新的裝置和使用情況。
關鍵字： IC 電源管理物聯網 ADI

支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創新

本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
關鍵字： 3D NAND DRAM 5nm SoC

不是“空中樓閣”：努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內容生態

近日，努比亞宣布，將在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驅動3D平板：努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術，這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣點，是否會向其他同類產品一樣，淪為“空中樓閣”。而今天，努比亞打消了用戶的這一顧慮。今天，努比亞官方宣布，努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內容生態系統，包含大量運用裸眼3D技術的App，并獲得了來自多個包括Unity、UNREL等游戲引擎，以及GAMELOFT等游戲開發商的內容支持。
關鍵字：努比亞 MWC 3D 游戲引擎

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3d-ic介紹

3D IC產業鏈依制程可概略區分成3大技術主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]