• <li id="00i08"><input id="00i08"></input></li>
  • <sup id="00i08"><tbody id="00i08"></tbody></sup>
    <abbr id="00i08"></abbr>
  • 新聞中心

    EEPW首頁 > 嵌入式系統 > 業界動態 > ARM與臺積電宣布7nm FinFET制程合作協議

    ARM與臺積電宣布7nm FinFET制程合作協議

    作者: 時間:2016-03-22 來源:eettaiwan 收藏

      與臺積公司(TSMC)共同宣布一項為期多年的協議,針對7奈米FinFET制程技術進行合作,包括支援未來低功耗、高效能運算系統單晶片(SoC)的設計解決方案。這項新協議將擴大雙方長期的合作夥伴關系,推動先進制程技術向前邁進,超越行動產品的應用并進入下一世代網路與資料中心的領域。此外,這項協議并延續先前采用 Artisan基礎實體IP之16奈米與10奈米FinFET的合作。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/201603/288569.htm

      執行副總裁暨產品事業群總經理Pete Hutton表示:“既有以ARM為基礎的平臺已展現提升高達10倍運算密度的能力,支援特定資料中心的工作負載,未來ARM特別為資料中心與網路架構量身設計,并針對臺積公司7奈米FinFET進行最佳化的技術,將協助雙方客戶在各種不同效能產品上皆能使用業界最低功耗的架構。”

      臺積公司研究發展副總經理侯永清表示:“臺積公司持續投入先進制程技術的研發以支援客戶事業的成功,藉由7奈米FinFET制程,我們的制程與設計生態環境解決方案已經從行動擴大到高效能運算的應用。客戶設計的下一世代高效能運算系統單晶片將受惠于臺積公司領先業界的7奈米FinFET制程。相較于10奈米FinFET制程,7奈米FinFET制程將在相同功耗下提供更多的效能優勢,或在相同效能下提供更低的功耗。ARM與臺積公司共同最佳化的解決方案將能夠協助客戶推出具有顛覆性創新且市場首創的產品。”

      此項最新協議奠基于ARM與臺積公司先前在16奈米FinFET與10奈米FinFET制程技術成功的合作基礎之上。臺積公司與ARM長期保持合作,共同創新,提供先進的制程與矽智財來協助客戶加速產品開發周期。近期成果包括客戶及早使用Artisan實體IP及采用16奈米FinFET與10奈米FinFET制程完成的ARM Cortex-A72處理器設計定案。



    關鍵詞: ARM 臺積電

    評論


    相關推薦

    技術專區

    關閉
    主站蜘蛛池模板: 小金县| 泸西县| 舞钢市| 乳山市| 灵璧县| 洪雅县| 长沙县| 托里县| 德格县| 宝兴县| 保靖县| 韶山市| 页游| 霍邱县| 久治县| 贡山| 文成县| 共和县| 新竹市| 仪征市| 金川县| 浮梁县| 建湖县| 临朐县| 庄浪县| 高密市| 定州市| 化州市| 禹城市| 石泉县| 沙雅县| 甘孜县| 梁山县| 凯里市| 汾西县| 平昌县| 白水县| 天峨县| 子洲县| 大渡口区| 镇远县|