日前，《麻省理工科技評論》刊文評出了2018年十大突破性技術，“對抗性神經網絡”(GAN)赫然在列。
什么是對抗性神經網絡?為什么它能入選MIT十大突破性技術?它的發展脈絡如何?與我們此前耳熟能詳的神經網絡有什么區別?能夠應用在人工智能的哪些場景?還有哪些關鍵問題有待攻克?
中國自動化學會混合智能專委會副主任、中國人工智能學會機器學習專委會常委、復旦大學博士生導師張軍平教授在接受科技日報記者采訪時做了深入淺出的解釋。
故事中的GAN
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對抗性神經網絡 GAN
什么是對抗性神經網絡?為什么它能入選MIT十大突破性技術?它的發展脈絡如何?與我們此前耳熟能詳的神經網絡有什么區別?能夠應用在人工智能的哪些場景?還有哪些關鍵問題有待攻克?
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AI GAN
超密集組網通過增加基站部署密度，可實現頻率復用效率的巨大提升，并且帶來可觀的容量增長，未來隨著基站數量的增加，基站內射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預測，射頻前端的市場規模預估到2020年將達到180億美元。Small Cell Forum預測，全球小基站市場空間有望在2020年超過60億美元。
Qorvo亞太區FAE高級經理楊嘉
有業內分析師就表示，3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS，同時，GaAs也將從小型基站網絡的需求增長中受益。Qorvo亞太區FA
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GaN 5G
慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數萬名電子行業的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商，則攜物聯網、汽車、微波通信、功率電子、工業控制及自動化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領域的最新產品及方案亮相。 憑借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業物聯網、無線充電與快充、工業4.0、人工智能、樓宇照明、智能網聯汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
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SiC GaN
2018年3月6日，Nexperia(安世半導體)公司廣東分立器件封裝和測試新工廠正式投產，該工廠將重點解決產能問題，用于支持Nexperia后續業務發展規劃。
【安世半導體(中國)有限公司廣東后道工廠】
據Nexperia首席運營官Sean Hunkler介紹，新工廠投產之后，Nexperia全年總產量將超過1千億件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封裝外，還提供安世半導體(中國)有限公司開發的最新封裝，包括
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安世 GaN
德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)驅動器，進一步擴展了其業內領先的GaN電源產品組合，可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡追蹤等速度關鍵應用中實現更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關頻率的同時提高效率，并可實現以往硅MOSFET無法實現的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
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TI GaN
《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術”，這份全球新興科技領域的權威榜單至今已經有 17 年的歷史。
1、給所有人的人工智能 AI for everyone
入選理由：將機器學習工具搬上云端，將有助于人工智能更廣泛的傳播
重大意義：目前，人工智能的應用是受到少數幾家公司統治的。但其一旦與云技術相結合，那它將可以對許多人變得觸手可及，從而實現經濟的爆發式增長。
主要研究者：Google,亞馬遜，阿里云，騰訊云，百度云，金山云，京東云
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機器學習 GAN
一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產品。
“不會游泳的時候就跳下了水”
蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商， 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設備開始研發，逐步研發成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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GaN 氮化鎵
EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術如何實現兩種改變業界游戲規則的消費電子應用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達應用。 EPC將在AirFuel聯盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統，可以在桌面上任何位置對多種設備同時充電，可傳送高達300 W功率。可傳送這么大功率使得我們可以同時對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
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宜普 GaN
接近62%的能源被白白浪費
美國制造創新網絡(目前稱為MgfUSA)已經闡明了美國制造業規劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯網自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創新研究院“美國電力創新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創新中心。
圖1：整體的能源轉換效率約在38
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SiC GaN
未來五年，通信產業向5G時代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術產業現狀。這不僅是針對智能手機市場，還包括3W應用RF通信基礎設施應用，并且，5G將為RF功率市場的化合物半導體技術帶來重大市場機遇。
未來幾年，據Yole最新發布的《RF功率市場和技術趨勢-2017版》報告預計，隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長，RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間，整體RF功率市場營收或將增長75%，帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規模將從2016年的15億美元增長至202
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GaN 5G
展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術，LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
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5G GaN
什么是MOCVD?
MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長，是LED以及半導體器件的關鍵設備。
根據Technavio統計，全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14%，市場規模將從201
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MOCVD GaN
隨著無線通信的帶寬、用戶數目以及地理覆蓋范圍擴展，基地臺收發器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優勢，首先，最明顯的好 處是降低運營成本；同時，更少的熱意味著更低的設備冷卻需求以及更高的可靠性。
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GaN AMO 放率放大器 LINC DPDm
gan介紹
GaN
即氮化鎵，屬第三代半導體材料。
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