SiC和GaN MOSFET技術的出現，正推動著功率電子行業發生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉換系統的效率提高了多個百分點，而這在幾年前是不可想象的。 在現實世界中，沒有理想的開關特性。但基于新材料、擁有超低開關損耗的多種寬禁帶器件正在出現，既能實現低開關損耗，又能處理超高速率dv/dt轉換，并支持超快速開關頻率，使得這些新技術既成就了DC/DC轉換器設計工程師的美夢，但同時也變成了他們的惡夢。 比如一名設計工程師正在開發功率轉換應用，如逆變器或馬達驅動控制器，或者正在設
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SiC GaN
納微(Navitas)半導體公司宣布成為2018年11月4日至7日在中國深圳舉辦的第二屆國際電力電子技術及應用會議(IEEEPEAC'2018)的鉆石贊助商。在此次大會上，納微將發布并展示GaNFast功率IC的重大發展成果，這些進展推動業界實現的新一代電源系統，將會打造能效、功率密度和快速充電的全新基準。 這些技術發展成果從27W到300W，包括用于智能手機、筆記本電腦、一體式電腦、電視/顯示器以及GPU的充電器和適配器應用。納微將展示客戶
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GaN 電源 IC
橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關器件制造技術。該硅基氮化鎵功率技術將讓意法半導體能夠滿足高能效、高功率的應用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和服務器。 本合作項目的重點是開發和檢測在200mm晶片上制造的先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構。研究公司IHS認為，該市場將在2019年至2024[1]年有超過2
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意法半導體 GaN
生成對抗網絡(GAN)是當今最流行的圖像生成方法之一，但評估和比較 GAN 產生的圖像卻極具挑戰性。之前許多針對 GAN 合成圖像的研究都只用了主觀視覺評估，一些定量標準直到最近才開始出現。本文認為現有指標不足以評估 GAN 模型，因此引入了兩個基于圖像分類的指標——GAN-train 和 GAN-test，分別對應 GAN 的召回率(多樣性)和精確率(圖像質量)。研究者還基于這兩個指標評估了最近的 GAN 方法并證明了這些方法性能的顯著差異。上述評估指標表明，數據集復雜程度(從 CIFAR10 到
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GAN
TI正在設計基于GaN原理的綜合質量保證計劃和相關的應用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵(GaN)的材料屬性可使電源開關具有令人興奮且具有突破性的全
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GaN 可靠性 綜合方法
作為電源工程師，我們能夠回憶起第一次接觸到理想化的降壓和升壓功率級的場景。還記得電壓和電流波形是多么的漂亮和簡單(圖1)，以及平均電流的計算是
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GaN 升降壓 電源
行業標準的收緊和政府法規的改變是使產品能效更高的關鍵推動因素。例如，數據中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時)的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監管措施，以確保所有依賴能源的產品都需具有最高能效。 同時，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目
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SiC GaN
隨著全球能源結構向低碳能源和節能運輸轉移，節能汽車產業面臨著挑戰。如今，整個電動汽車(EV)市場的增長率已經超過傳統內燃機(ICE)汽車市場增長率的10倍。預計到2040年，電動汽車市場將擁有35%的新車銷量份額，對于一個開始批量生產不到10年的市場而言，這樣的新車銷售份額是引人注目的。
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EV GaN IC 201807
GaN(氮化鎵)功率器件的全球領軍企業GaN Systems Inc.(以下簡稱“GaN Systems公司”)和功率半導體的領軍企業ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)為促進電力電子市場的創新與發展，開始就GaN功率器件事業展開合作。 此次合作將充分發揮GaN Systems公司GaN功率晶體管的業界頂級性能與羅姆的GaN功率器件技術優勢及豐富的電子元器件設計/制造綜合實力。雙方將利用GaN Systems公司的GaNPXTM封裝技術和羅姆的功率元器件傳統封裝技術，聯合開發最適合GaN
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GaN 羅姆
目前在IoT應用領域中，“智能照明”已經展現其巨大的市場發展潛力，其可用在家庭和商業領域、并結合室內定位功能服務等創新應用，有望顛覆傳統照明市場，為相關開發業者帶來龐大商機。在近日舉辦的第27屆LED照明驅動暨智能照明技術研討會上，世強元件電商就攜手Silicon Labs帶來了多協議無線Mesh解決方案，包括Blue Gecko 組合、Mighty Gecko 組合等，助力中國照明企業加速智能照明應用落地。 不僅如此，為了助力中國照明企業在無線智能照明領域快人一步，世強元件電商還早早在這一方面布局
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世強 GaN
當你看到現在消費、通信，甚至工業設備越來越小時，功率卻越來越高，功能越來越豐富時，你是否有想過究竟是哪些技術的突飛猛進帶來的時下這一自帶濾鏡的世界？你可能會想到從印刷術到計算機；也可能會想到從手工制作到機械臂；或許你是熱衷科技的小能手，也會想到從CPU到GPU。不過這些都不是本編今天要給大家講的，本編今天要給大家講的是這些技術升級背后的故事——當下半導體材料的革命。
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GaN，汽車，消費
硅半導體器件在過去數十年間長期占據著電子工業的統治地位，它鑄就了電子世界的核心，覆蓋我們日常生活中的絕大部分應用。寬禁帶電子器件，以碳化硅和氮化鎵的形式，因其自身有著傳統的硅技術無法克服的優勢正在日益普及。
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力特，SiC，GaN
更為嚴格的行業標準和政府法規的變遷是更高能效產品的關鍵驅動因素。例如數據中心正呈指數級增長以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應量（+ 400TWh）的3％，也占總溫室氣體排放量的2％，與航空業的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下，各地政府正加緊實施更嚴格的標準和新的法規，以確保所有依賴能源的產品必須達到最高能效。
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安森美，SiC，GaN
介紹了包括SiC、GaN在內的新一代功率器件，面向工業和汽車的新型功率模塊，可穿戴設備的電源管理IC的發展概況及相關新技術和熱門產品。
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SiC GaN 電源管理 201804
相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設計，達到減少模組、系統周邊的零組件及冷卻系統的體積。根據估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約3百萬美元。
此外，除了輕化車輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失，兩者對于電動車續航力的提升有相當的幫助。因此，
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SiC GaN
gan介紹
GaN
即氮化鎵，屬第三代半導體材料。
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