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    5G推動RF PA技術改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

    作者: 時間:2017-07-24 來源:新電子 收藏
    編者按:展望未來,采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術,LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。

      研究機構Yole Developpement指出,隨著技術日益成熟,未來射頻功率放大器(RF PA)市場將出現顯著成長,但傳統的LDMOS制程將逐漸被新興的氮化鎵()取代,砷化鎵(GaAs)的市場占比則相對穩定。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/201707/362075.htm

      據Yole預估,電信基地臺設備升級與小型基地臺的廣泛布建,將是推動RF PA市場規模成長最主要的動力來源。 2016年全球RF PA市場規模約為15億美元,到2022年時,市場規模將達到25億美元,復合年增率(CAGR)為9.8%。 不過,由于導入新的射頻技術,并且使用更高的通訊頻段,因此RF PA必須使用新的制程技術來實現。




    關鍵詞: 5G GaN

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