GaN 功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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GaN SiC 第三代半導體材料
MACOM是半導體行業的支柱型企業，在60多年的蓬勃發展歷程中，公司敢于采用大膽的技術手段，為客戶提供真正的競爭優勢并為投資者帶來卓越的價值，致力于構筑更加美好的世界。
在基礎設施的建設領域中，MACOM的技術提高了移動互聯網的速度和覆蓋率，讓光纖網絡得以向企業、家庭和數據中心傳輸以前無法想象的巨大通信量，讓數百萬人在生活中每時每刻方便地交流溝通。
日前在上海舉辦的EDICON展會上，MACOM展出了一系列應用在基礎設施領域中的射頻功率晶體管產品，根據客戶的需求及痛點提供一站式解決方案。
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MACOM GaN
汽車功率電子產品正成為半導體行業的關鍵驅動因素之一。這些電子產品包括功率元器件，是支撐新型電動汽車續航里程達到至少200英里的核心部件。
雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩健增長，2015-2020年該行業的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源
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SiC GaN
相較于過去所使用的硅晶體管，氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應用在同等電壓條件下，以更高的切換頻率運作。 這代表在相同條件下，GaN能夠較以硅為基礎的解決方案實現更高的效率。
電源供應設計
德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型，讓工程師能夠輕松地將GaN技術設計至電源解決方案中，進而超越傳統上功率密度限制。 基于數十年的電源測試專業經驗，TI針對GaN進行了數百萬小時的加速測試，并建立了能夠實現基于GaN電源設計的生態系統。
GaN將在功率密集的應用中大展身手，它能夠在保持或提
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德州儀器 GaN
雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩健增長，2015 - 2020年該行業的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源相關芯片。 與遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運用更老的技術節點，使用200毫米(和
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SiC GaN
2017電源市場需求和技術趨勢風向如何?來e星球，與超六萬的專業人士一起把握潮流! 需求往往是推動創新的源泉，無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領域都存在這樣的現象。抓住了用戶需求，潛在的創新動力才會被激發，也只有適應需求的創新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業觀眾以及眾多的國內外領先電源廠商集聚上海新國際博覽中心，深度探討2017年中國電源市場需求與走勢，
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SiC GaN
引言 太陽能不再是一項新興技術，而是正在經歷重大技術變革的技術，日趨成熟。我們朝著電網平價(太陽能成本與傳統能源發電類型的成本相當)，并且改進傳統能源發電類型構成的目標前進，因為將面板中的直流電轉換為可用交流電的過程變得更加高效且經濟實惠。 但是，雖然太陽能面板在近幾年價格顯著降低，但下一波太陽能發展浪潮將由功率轉換器系統的新技術推動。先進復雜的多級功率開關拓撲的興起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料，加上更高的工作電壓(最高1600 VDC)，實現更加快速的功率開關，與傳統系
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光伏逆變器 GaN
日本三菱化學及富士電機、豐田中央研究所、京都大學、產業技術綜合研究所的聯合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關鍵技術。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術。日本通過發光二極管的開發積累了GaN元件技術，GaN芯片生產量占據世界最高份額。若做到現有技術的實用化，將處于世界優勢地位。
功率半導體有利于家電、汽車、電車等的節能，產業需求很大。GaN功率半導體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經量產，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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GaN MOSFET
通信、汽車驅動市場增長，國有品牌競爭力提升
市場規模繼續擴大，增速較2015年有所回升
2016年，中國電子信息制造業生產總體平穩，增速有所加快，受此影響，中國功率器件市場規模持續擴大，市場規模預計達到1496.1億元，同比增長7.2%，增速較2015年有所回升。
通信、汽車成為2016年市場增長亮點
從下游應用產品的需求來看，通信和汽車領域是推動功率器件市場增長的主要驅動力。
從通信主要產品產量來看，1-10月，我國生產手機17億部，同比增長19.9%，其中智能手機12
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功率器件 GaN
在我國綠色能源產業發展的推動下，功率半導體已經成為建設節約型社會、促進國民經濟發展、踐行創新驅動發展戰略的重要支撐。
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功率半導體 GaN
如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實現對電能的高效產生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產業轉型升級的整體方向與發展規劃，在此過程中，功率半導體發揮的作用不可替代。
然而，與集成電路產業相似，我國功率半導體產業的發展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節能減排”、“開發綠色
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功率半導體 GaN
充電和電池管理對智能手機來說，仍是關鍵的功能，未來多年將持續有創新。有線和無線充電的改進可能大大擴展便攜式產品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統要求供電產品(如壁式適配器)或無線充電發射器和接收器(如智能手機和平板電腦)的設計都具高能效。安森美半導體專注于這兩大應用，提供完整、優化和高能效的充電方案，以滿足所有這些產品的功率要求。 市場對于更快充電時間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機和平板電腦的供電能力推到傳統半導體器件不可行的地步。新一代系統將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統M
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安森美 GaN
1 GaN 功率管的發展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
1 GaN 功率管的發展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
1 GaN 功率管的發展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
gan介紹
GaN
即氮化鎵，屬第三代半導體材料。
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