Transphorm推出SuperGaN FET的低成本驅動器解決方案

新時代電力系統的未來，氮化鎵（GaN）功率轉換產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.發布了一款高效能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電競電腦，加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。

不同于同類競爭的e-mode GaN解決方案需要采用定制驅動器或柵極保護器件的電平移位元電路，Transphorm的SuperGaN FET由于可以與市售的驅動器搭配使用，更易于驅動，因此可提升客戶使用Transphorm器件的成本優勢。本次發布的新款解決方案采用高速、非隔離式、高電壓半橋柵極驅動器，在不影響GaN FET或系統效能的情況下，進一步降低了系統總成本。

Transphorm業務發展和市場行銷資深副總裁Philip Zuk表示：「我們的常關型氮化鎵平臺能夠與業界熟知的市售驅動器配合使用，更適合市場應用，也更受市場歡迎。能夠根據需要來選定驅動器，對客戶來說是一個非常重要的優勢。客戶可以為不同效能優勢權重的設計挑選相應的驅動，從而更好地控制電力系統的成本。這對價格敏感的終端市場尤為重要。Transphorm的GaN能夠提供更高效能，采用我們的氮化鎵器件，客戶可以根據最終結果來挑選BOM，從而以極佳的成本效益實現所需的效能。」

Transphorm還推薦各種其他驅動器，這些驅動具有高額定隔離電壓（控制至輸出的驅動信號）、短延遲、快速開啟/關斷、以及可程序設計死區時間等優點，非常適合較高功率的應用。電源適配器、電競NB充電器、LED照明、以及兩輪車和三輪車充電等中低功率應用對價格非常敏感，這些產品中的電源系統通常不需要類似安全隔離這樣的先進功能，使用高端的驅動器可能導致BOM成本不必要升高。

效能分析

該半橋柵極驅動器采用了Transphorm的650V、72 mΩ PQFN88封裝器件TP65H070LSG進行測試。可用于橋式拓撲結構，如諧振半橋、圖騰柱PFC、正弦波逆變器或有源箝位元反激式電路。測試結果表明，無論是否使用散熱器或強制空氣進行冷卻，該低成本的驅動解決方案在低于／等于150kHz的開關頻率下均運行良好。此解決方案最終在選定的配置中實現了接近99%的效率。