3d-mems 文章最新資訊

國(guó)產(chǎn)廠商切入下一代存儲(chǔ)技術(shù)：3D DRAM

隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長(zhǎng)，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級(jí)態(tài)勢(shì)攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強(qiáng)勁的計(jì)算芯片，更離不開(kāi)高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設(shè)計(jì)，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過(guò)高以及容量限制這三大關(guān)鍵難題，為 AI 應(yīng)用的高效運(yùn)行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時(shí)還能進(jìn)一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲(chǔ)廠商也普遍將 3D
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汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動(dòng)的EDA工具打破障礙

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因?yàn)樗捎米詣?dòng)駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對(duì)緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長(zhǎng)，這些解決方案能夠應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項(xiàng)有前途的發(fā)展是三維集成電路（3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方法，有可能重塑汽車市場(chǎng)。通過(guò)垂直堆疊多個(gè)芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時(shí)克服車輛系統(tǒng)的關(guān)鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設(shè)計(jì)和實(shí)施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動(dòng)的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具發(fā)揮至關(guān)重要作用
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實(shí)現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問(wèn)世

高密度 3D DRAM 可能即將到來(lái)。
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ST 以 9.5 億美元收購(gòu) NXP 的 MEMS 業(yè)務(wù)，造成重大損失

ST 本季度因重組成本虧損了 1.77 億美元，今年上半年收入同比下降了 21%。“我們實(shí)現(xiàn)了 27.7 億美元的營(yíng)收，比我們業(yè)務(wù)展望范圍的中間值高出 5.6 億美元，汽車業(yè)務(wù)略低于我們的預(yù)期，這是由于客戶特定的原因，”ST 首席執(zhí)行官讓-馬克·切里說(shuō)道。“這被個(gè)人電子和工業(yè)領(lǐng)域的高收入所抵消。”與 NXP 的交易將使 ST 支付 9 億美元，并提供 5000 萬(wàn)美元的激勵(lì)，這一舉措將提振陷入困境的模擬、MEMS 和傳感器部門。該交易預(yù)計(jì)將在 2026 年上半年完成。“從同比來(lái)看，模擬產(chǎn)品、MEMS 和傳
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鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲(chǔ)器開(kāi)始送樣

全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲(chǔ)器已開(kāi)始送樣（1）。該產(chǎn)品計(jì)劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應(yīng)用。為應(yīng)對(duì)尖端應(yīng)用市場(chǎng)的多樣化需求，同時(shí)提供兼具投資效益與競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
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意法半導(dǎo)體將收購(gòu)恩智浦的MEMS傳感器業(yè)務(wù)

全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）計(jì)劃收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）的MEMS傳感器業(yè)務(wù)，以加強(qiáng)其全球傳感器能力，該業(yè)務(wù)專注于汽車安全產(chǎn)品以及工業(yè)應(yīng)用傳感器。該交易將補(bǔ)充和擴(kuò)展意法半導(dǎo)體領(lǐng)先的MEMS傳感器技術(shù)和產(chǎn)品組合，為汽車、工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)會(huì)。意法半導(dǎo)體模擬、功率和分立器件、MEMS和傳感器事業(yè)部總裁Marco Cassis表示：“此次收購(gòu)對(duì)意法半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常合適的戰(zhàn)略選擇。“與意法半導(dǎo)體現(xiàn)有的MEMS產(chǎn)品組合一起，這些高
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將MEMS技術(shù)集成到下一代汽車安全功能中

傳感器技術(shù)徹底改變了汽車行業(yè)，在安全性、舒適性和自動(dòng)化方面取得了重大進(jìn)步。如今，車輛擁有利用精確傳感功能來(lái)增強(qiáng)駕駛員和乘客體驗(yàn)的系統(tǒng)，同時(shí)降低道路風(fēng)險(xiǎn)。MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）技術(shù)處于這項(xiàng)創(chuàng)新的前沿，可提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的緊湊性、準(zhǔn)確性和可靠性。支持 MEMS 的無(wú)線技術(shù)使汽車能夠共享有關(guān)交通狀況、潛在危險(xiǎn)和路線優(yōu)化的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，從而提高現(xiàn)代道路的安全性和效率。基于 MEMS 的慣性測(cè)量單元（IMU）尤其值得注意。它們有效地解決了與大燈調(diào)平、導(dǎo)航和穩(wěn)定性控制相關(guān)的挑戰(zhàn)。它們能夠?qū)⒏呒?jí)傳感與低功
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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

從5月29日美國(guó)政府頒布對(duì)華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時(shí)間里中美之間的博弈從未停止，但對(duì)于EDA公司來(lái)說(shuō)，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實(shí)力。作為芯片設(shè)計(jì)最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來(lái)芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計(jì)工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場(chǎng)全球性的競(jìng)賽，將在未來(lái)十年內(nèi)重新定義幾乎每個(gè)領(lǐng)域。在過(guò)去幾個(gè)月美國(guó)四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢(shì)，這些趨
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西門子EDA推新解決方案，助力簡(jiǎn)化復(fù)雜3D IC的設(shè)計(jì)與分析流程

●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計(jì)流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段對(duì)芯片封裝交互作用進(jìn)行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計(jì)與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。西門
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使用MEMS傳感器的三個(gè)好處

MEMS 傳感器開(kāi)辟了具有高精度、更高安全性和增強(qiáng)功能的新產(chǎn)品設(shè)計(jì)機(jī)會(huì)。微機(jī)電系統(tǒng) （MEMS）是由電子和機(jī)械部件組成的微觀設(shè)備。許多最新的傳感器設(shè)計(jì)都利用 MEMS 技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高精度和小型化，以實(shí)現(xiàn)特定目標(biāo)和創(chuàng)新。電子工程師在設(shè)計(jì)中使用基于 MEMS 的傳感器時(shí)有哪些優(yōu)勢(shì)？以下是三個(gè)好處。當(dāng)電子工程師開(kāi)發(fā)具有廣泛潛在用例的解決方案時(shí)，他們可能會(huì)獲得更多的市場(chǎng)吸引力和利益相關(guān)者的興趣。這包括使用先進(jìn)的傳感器與人工智能相結(jié)合來(lái)開(kāi)發(fā)新的用例。一個(gè)例子是 Ainos Inc. 的 AI Nose，它包括來(lái)自&
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2.5D/3D 芯片技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體封裝發(fā)展

來(lái)自日本東京科學(xué)研究所（Science Tokyo）的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面（2D）中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開(kāi)發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對(duì)于高性能計(jì)算，研究人員通過(guò)采用 3D 堆棧計(jì)算架構(gòu)開(kāi)發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器堆棧上方的處理單元組成，標(biāo)志著 3D 芯片封裝的重大進(jìn)步。為了實(shí)現(xiàn) BBCube，研究人員開(kāi)發(fā)了涉及精確和高速粘合
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AI 攻擊從MEMS麥克風(fēng)中拾取聲音

美國(guó)和日本的研究人員已經(jīng)確定了筆記本電腦和智能助手（如 Google Home）中使用的 MEMS 麥克風(fēng)存在安全風(fēng)險(xiǎn)。這些 MEMS 設(shè)備存在一個(gè)漏洞，即甚至可以隔著墻壁檢測(cè)到電磁輻射，使用 AI 重建麥克風(fēng)拾取的聲音。佛羅里達(dá)大學(xué)和日本電氣通信大學(xué)的研究人員還確定了解決設(shè)計(jì)缺陷的多種方法，并表示他們已經(jīng)與制造商分享了他們的工作，以尋求未來(lái)的潛在修復(fù)方法，并建議將擴(kuò)頻時(shí)鐘作為防御措施。研究人員測(cè)試了意法半導(dǎo)體的 MP34DT01-M、樓氏電子 SPM0405（現(xiàn)在是 Synaptics 的一部分）、TD
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AI 攻擊開(kāi)始從 MEMS 麥克風(fēng)獲取聲音

美國(guó)和日本的 researchers 已經(jīng)發(fā)現(xiàn)筆記本電腦和智能助手（如 Google Home）中使用的 MEMS 麥克風(fēng)存在一個(gè)安全風(fēng)險(xiǎn)。這些 MEMS 設(shè)備存在一個(gè)漏洞，即電磁輻射可以被檢測(cè)到，即使隔著墻壁，也可以使用 AI 重建麥克風(fēng)拾取的聲音。佛羅里達(dá)大學(xué)和日本電子通信大學(xué)的 researchers 還發(fā)現(xiàn)了多種解決設(shè)計(jì)缺陷的方法，并表示他們已經(jīng)與制造商分享了他們的工作，以供未來(lái)可能的修復(fù)，并建議使用擴(kuò)頻時(shí)鐘作為防御措施。研究人員測(cè)試了來(lái)自意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）的 MP
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器（1T1C）和三個(gè)晶體管、零電容器（3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測(cè)該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測(cè)試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
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3D打印高性能射頻傳感器

中國(guó)的研究人員開(kāi)發(fā)了一種開(kāi)創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對(duì)共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子）和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達(dá) 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對(duì)超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴(kuò)展性。該技術(shù)
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