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“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺”項(xiàng)目啟動(dòng)
- 據(jù)賽微電子消息，近日，2023年度國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“智能傳感器”重點(diǎn)專項(xiàng)“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺”項(xiàng)目啟動(dòng)暨實(shí)施方案論證會在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)召開。該項(xiàng)目由賽微電子控股子公司賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司牽頭，聯(lián)合武漢大學(xué)、蘇州大學(xué)、中國科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、武漢敏聲新技術(shù)有限公司、北京智芯微電子科技有限公司、成都纖聲科技有限公司、上海矽睿科技股份有限公司等單位共同實(shí)施。資料顯示，賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司專業(yè)從事半導(dǎo)體晶
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見的射頻干擾問題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運(yùn)效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營收
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如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云
- Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯(cuò)誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí)，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
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3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)
- 在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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3D NAND，1000層競爭加速！
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會春季會議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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意法半導(dǎo)體通過全新的一體化MEMS Studio桌面軟件解決方案提升提升傳感器應(yīng)用開發(fā)者的創(chuàng)造力
- 意法半導(dǎo)體的MEMS Studio是一款新的多合一的MEMS傳感器功能評估開發(fā)工具，與STM32微控制器生態(tài)系統(tǒng)的關(guān)系密切，支持Windows、MacOS和?Linux操作系統(tǒng)。從評估到配置和編程，通過整合統(tǒng)一傳感器開發(fā)流程，MEMS Studio?可以加快傳感器應(yīng)用軟件開發(fā)，簡化在開發(fā)項(xiàng)目中增加豐富的情境感知功能。增強(qiáng)的功能有助于應(yīng)用輕松獲取傳感器數(shù)據(jù)，并清晰地顯示可視化的傳感器數(shù)據(jù)，方便開發(fā)者探索傳感器工作模式，優(yōu)化傳感器性能和測量準(zhǔn)確度。軟件包中還有預(yù)構(gòu)建庫測試工具，以及方便的鼠
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Melexis MLX90830 Triphibian MEMS傳感器在貿(mào)澤開售
- 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入?(NPI)?代理商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開售Melexis的MLX90830?Triphibian? MEMS壓力傳感器。MLX90830采用懸臂設(shè)計(jì)，可測量各種環(huán)境下的氣體和液體壓力，精度高，可靠性強(qiáng)。該傳感器既可作為獨(dú)立器件使用，也可嵌入到電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)的膨脹閥、電子壓縮機(jī)或泵中，是HVAC-R應(yīng)用的理想選擇。Melexis?MLX90830傳感器是率先采用Triphibian
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超級詳細(xì)！17000字圖文讀懂常見MEMS傳感器的原理和構(gòu)造
- MEMS傳感器是當(dāng)今最熱門的傳感器種類，MEMS技術(shù)使傳感器微型化、低功耗、集成化成為可能，是未來傳感器技術(shù)的發(fā)展方向之一。本文編譯自傳感器寶典——《現(xiàn)代傳感器手冊——原理、設(shè)計(jì)和應(yīng)用》，說明了MEMS電容式傳感器、MEMS觸覺傳感器、MEMS壓電式加速度計(jì)等常見傳感器的原理和構(gòu)造，可選自己感興趣的部分MEMS傳感器知識閱讀。如需《現(xiàn)代傳感器手冊——原理、設(shè)計(jì)和應(yīng)用》（美第五版，790P，PDF）一書電子文檔，可在傳感器專家網(wǎng)公眾號后臺回復(fù)【現(xiàn)代傳感器手冊】獲取下載鏈接。本文內(nèi)容較全面，可按目錄獲取需要的
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局
- 從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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歷時(shí) 7 年研制，賽微電子 MEMS-OCS 光鏈路交換器件實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- 2023 年 12 月 24 日，北京賽微電子股份有限公司發(fā)布關(guān)于全資子公司 MEMS-OCS 啟動(dòng)量產(chǎn)的公告，全資子公司 Silex Microsystems AB 以 MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems 的縮寫，即微電子機(jī)械系統(tǒng)，簡稱為微機(jī)電系統(tǒng)）工藝為某客戶制造的 OCS（Optical Circuit Switch 的縮寫，即光鏈路交換器件）完成了工藝及性能驗(yàn)證（工藝開發(fā)與試產(chǎn)的總耗費(fèi)時(shí)間超過 7 年），并于 2023 年 12 月 22 日收到該客戶發(fā)出的
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300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖
- 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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