中國芯片傳來捷報，長江存儲取得技術突破，正式打破三星壟斷

中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經完成192層3D NAND閃存樣品生產，預計年底實現大規模量產交付。

長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發，并成功在2020年正式宣布研發成功，它是業內奇跡般的崛起，擁有全領域最高單位面積的存儲密度，這些，長江存儲只用了3年的時間，完成了同領域需要6年才能走完的路。

懂行的朋友應該清楚，三星在存儲芯片的層數最高量產也就是192層，也就是現在的世界頂尖水平，200層以上，韓國三星還沒能突破技術瓶頸，無法達到量產的水平。此前，長江存儲已經 推出了UFS3.1規格通用閃存芯片--UC023，要知道，在這一方面，NAND閃存的最高規格也就是US3.1，至于更高更先進的，韓國三星還僅存在于理論層面，沒有技術支持，那么，這些意味著什么呢？

科學技術是第一生產力，創新是引領發展的第一動力，長江存儲的技術突破帶領國家發展走向更加現代化、科技化的道路，長江存儲的成功，離不開自身對科研發展的熱愛和追求，同時也離不開國家對科研工作的大力支持。現在長江存儲的NAND 閃存芯片應用非常廣泛，依托中國這個全球最大的市場，加上中國力推芯片自主化，長江存儲得到了前所未有的發展機遇，如今除了華為，長江存儲也打入了蘋果供應鏈，為iPhone SE 3供應閃存芯片，這也是中國科技力量最好的體現。

當然，客觀來講，我們在這一領域需要努力的地方還有很多，畢竟我國起步較晚，加上西方國家對核心技術的惡意封鎖，導致我們需要付出比常人更多的努力，但從成果來看，我們已經取得了跨越性進步。另外，在行業里看，其他廠商的發展速度也不能忽視，三星還在追趕224層3D閃存芯片的量產計劃，所以從這個維度來看，我們離全球最頂尖水平還有1到2年的時間，不過我們相信，用不了多久，一定可以消除這個差距。

總體來講，長江存儲的192層3D NAND閃存芯片，是中國芯片發展的一大里程碑，同時它也意味著，國產存儲芯片在追趕美國、韓國頂尖企業的道路上，又邁進了一大步，由此可以帶動其他芯片技術和相關產業的發展，只有掌握科學技術的核心，才能真正改變人類生產生活的方式，進而影響世界發展格局，這些都是我們努力就可以做到的事情，弘揚科學精神、傳播科學思想，是我們新一代年輕人應該為社會發展、構建人類命運共同體做出的貢獻。