3d-nand 文章 最新資訊
美光凍結(jié)價格，推理 AI 推動 SSD 需求激增及供應(yīng)短缺
- 隨著全球數(shù)據(jù)中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓練 AI 轉(zhuǎn)向推理 AI，推動了對大容量內(nèi)存需求的持續(xù)增長，并導致內(nèi)存供應(yīng)緊張從 DRAM 轉(zhuǎn)向 NAND。供應(yīng)鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價格上調(diào) 10%之后，美光也通知客戶將暫停所有產(chǎn)品的價格一周。行業(yè)內(nèi)部人士報告稱，美光將從今天開始停止向分銷商和 OEM/ODM 制造商報價，涵蓋 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品，甚至不愿意討論明年的長期合同。供應(yīng)鏈消息人士表示，在審查客戶 FCST（需求預測）后，美光發(fā)現(xiàn)將面臨嚴重的供應(yīng)短缺，促使公司緊急暫停
- 關(guān)鍵字： 美光 AI 存儲 NAND SSD
國產(chǎn)廠商切入下一代存儲技術(shù)：3D DRAM
- 隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設(shè)計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關(guān)鍵難題，為 AI 應(yīng)用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲廠商也普遍將 3D
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
長江存儲加速產(chǎn)能擴張：新公司注冊資本達207億，其認繳出資104億元
- 現(xiàn)在，國產(chǎn)存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司正式注冊成立，注冊資本高達207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設(shè)計、銷售及芯片產(chǎn)品進出口，并涉及技術(shù)服務(wù)、貨物進出口、技術(shù)進出口等全鏈條業(yè)務(wù)，引起了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。股權(quán)結(jié)構(gòu)方面，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司由長江存儲科技有限責任公司與湖北長晟三期投資發(fā)展有限責任公司共同持股 —— 長江存儲科技有限責任公司持股比例為50.19%、認繳104億元；湖北長
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 YMTC NAND 三星
汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動的EDA工具打破障礙
- 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應(yīng)對日益復雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項有前途的發(fā)展是三維集成電路 （3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導體設(shè)計方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時克服車輛系統(tǒng)的關(guān)鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設(shè)計和實施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動的電子設(shè)計自動化 （EDA） 工具發(fā)揮至關(guān)重要作用
- 關(guān)鍵字： 汽車應(yīng)用 3D-IC 人工智能 EDA工具
內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴
- 根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結(jié)構(gòu)性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報告強調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 NAND DRAM
實現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世
- 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
第二季度NAND收入環(huán)比增長22%
- TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應(yīng)商的總收入環(huán)比增長22%，達到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環(huán)比增長 52.5%，達到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環(huán)比增長11.4%至21.4億美元，環(huán)比增長11.4%，排名第三。美光收入環(huán)比增長 3.7%，達到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環(huán)比增長 12.2% 至 19 億美元
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce
美國撤銷對三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證：解碼市場影響
- 三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進口美國芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙 。正如聯(lián)邦文件所示，報告表明撤銷將在 120 天后開始。報道補充說，值得注意的是，美國政府表示將批準三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現(xiàn)有晶圓廠的運營，但不會批準產(chǎn)能擴張或技術(shù)升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時候通過出售其大連工廠
- 關(guān)鍵字： 三星 海力士 晶圓廠 NAND
三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計劃
- 據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領(lǐng)域，導致對NAND的投資負擔加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進轉(zhuǎn)換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉(zhuǎn)換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現(xiàn)有設(shè)備，效率較高。然而，近期三星針對最先進NAND的轉(zhuǎn)換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉(zhuǎn)換投資
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 NAND
美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認證
- 美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴苛環(huán)境使用而設(shè)計。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標準進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標準 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
- 關(guān)鍵字： 美光 內(nèi)存 NAND
鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣
- 全球存儲解決方案領(lǐng)導者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應(yīng)用。為應(yīng)對尖端應(yīng)用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
- 關(guān)鍵字： 鎧俠 3D 閃存 TLC存儲器 閃存 3D閃存
中國長江存儲計劃通過使用國產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國制裁
- (圖片來源：YMTC)長江存儲技術(shù)有限公司（YMTC），中國領(lǐng)先的 NAND 存儲器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來一直被美國商務(wù)部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設(shè)備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產(chǎn)能力，目標是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲器生產(chǎn)市場的 15%，據(jù)《Digitimes》報道。該公司還計劃建設(shè)一條僅使用中國制造設(shè)備的試驗生產(chǎn)線。YMTC 將擴大產(chǎn)能至每月 15 萬片晶圓啟動據(jù) DigiTimes 報道，預計到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達到每月
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 NAND 內(nèi)存
中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產(chǎn)
- 中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國內(nèi)市場需求和政府補貼的推動下，中國內(nèi)存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內(nèi)存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
- 關(guān)鍵字： CXMT YMTC DRAM NAND
NAND Flash合約價 Q3看漲10%
- 根據(jù)TrendForce預估，第三季NAND Flash價格走勢，預估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優(yōu)于預期，增強第三季回補動能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發(fā)換機潮，以及DeepSeek一體機熱潮，皆帶動client SSD需求。此外，部分原廠積極推動大容量QLC產(chǎn)品，帶動出貨規(guī)模。 綜合以上因素，預估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生
- 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實力。作為芯片設(shè)計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設(shè)計的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個領(lǐng)域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
- 關(guān)鍵字： EDA 3D IC 數(shù)字孿生
3d-nand介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d-nand的理解，并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d-nand的理解，并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3d-nand相關(guān)帖子
3d-nand資料下載
3d-nand專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473