中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產

中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力，在大約一年后將其產能幾乎翻了一番。

自去年以來，中國內存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統 DRAM 開始，在國內市場需求和政府補貼的推動下，中國內存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產品線提出了挑戰，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。

根據 ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia 最新報告，CXMT 的 DRAM 產能（基于晶圓輸入）從去年同期的 420,000 片晶圓增長到第三季度的 720,000 片，增長了約 70%。按年計算，CXMT 的 DRAM 晶圓產量預計將從去年的 162 萬片增長到今年的 273 萬片。

就在 2 到 3 年前，CXMT 在全球 DRAM 市場的份額微不足道，無法用數字來衡量，但它正在短時間內迅速增加生產線和出貨量。根據 Omdia 對明年的出貨量預測，CXMT 的 DRAM 出貨量預計將接近業內第三大公司美光。這就是為什么有人預測目前 DRAM 領域的三家公司主導地位（三星電子、SK 海力士、美光）將轉變為四家公司的結構。

由于 YMTC 產量的快速增長，NAND 閃存在市場上也出現了供過于求的情況。雖然三星電子、SK 海力士、鎧俠和美光等大公司因 NAND 閃存價格下跌而繼續減產，但長江存儲自去年第一季度以來已大幅提高其武漢二期工廠的產量。今年第二季度，長江醫療武漢二期生產線的 NAND 產量達到 130,000 片，比去年同期的 60,000 片增加了一倍多。與去年同期相比，長江科技的 NAND 總產量也增長了 42%。

兩家公司不僅在通用和傳統存儲器方面擴展了他們的產品組合，而且還在擴展了先進的產品。CXMT 在由 SK 海力士引領的高帶寬內存 （HBM） 市場的發展速度快于預期。CXMT 計劃在今年年底前完成其第四代 HBM 產品 HBM3 的量產認證流程。

一位半導體設備行業負責人指出，“CXMT 正在積極擴建其在北京和合肥的工廠，預計未來將投資 HBM 封裝設施”，并解釋說“CXMT 已經設定了一個內部目標，即在兩年內開始量產最先進的第五代 HBM （HBM3E），目前由 SK 海力士和美光主導。

長江存儲還專注于通過增加 3D NAND 閃存的層數來推進其技術。層數越多，性能越好。就像建造高層公寓一樣，隨著層數的增加，可以存儲和處理更多的數據。目前，量產 NAND 的最高層數是 SK 海力士的 321 層，其次是三星電子的 286 層和 YMTC 的 270 層。雖然仍低于三星電子和 SK 海力士，但正在趕上可比水平。市場研究公司 TechInsights 評估稱，長江存儲取得了重大進展，達到了 NAND 的性能指標每平方毫米 （?） 20.47 Gb。

與此同時，NAND市場全年一直處于供過于求的狀態。據估計，三星電子在今年第二季度報告了 NAND 業務的虧損，盡管長期進入減產狀態，而其他存儲器公司也因價格持續下跌而盈利能力惡化。此前，市場研究公司TrendForce集邦咨詢已將NAND閃存需求的年度增長預測從30%下調至10-15%。