長江存儲加速產能擴張：新公司注冊資本達207億，其認繳出資104億元

現在，國產存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司正式注冊成立，注冊資本高達207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設計、銷售及芯片產品進出口，并涉及技術服務、貨物進出口、技術進出口等全鏈條業務，引起了業內廣泛關注。

股權結構方面，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司由長江存儲科技有限責任公司與湖北長晟三期投資發展有限責任公司共同持股 —— 長江存儲科技有限責任公司持股比例為50.19%、認繳104億元；湖北長晟三期投資發展有限責任公司持股比例為49.81%、認繳103.2億元。

其中，湖北長晟三期投資發展有限責任公司成立于2025年9月2日，注冊資本151.2億，股東為武漢光谷金融控股集團有限公司（持股比例40%，認繳出資額60.48億元）、江城產業投資基金（武漢）有限公司（持股比例40%，認繳出資額60.48億元）、長江產業投資集團有限公司（持股比例20%，認繳出資額30.24億元）。

湖北長晟三期作為產業投資平臺，擅長資源整合與資本運作。而長江存儲自2016年7月成立以來，在半導體集成電路領域尤其是3D NAND閃存方面成果顯著，不僅推出了眾多產品，還打造了零售存儲品牌致態，在行業內占據重要地位。

新公司的股權結構形成「技術掌舵+資本護航」的雙輪驅動模式：既保留了長江存儲的技術主導權，又借助地方資本的力量放大項目落地效率，是國內半導體重大項目典型合作路徑，有助于加速產能擴張和技術突破。

總產能有望實現翻倍

長江存儲經過多年發展和布局，在今年第一季度占據全球NAND閃存市場8.1%的份額。有業內人士預測，按照這一增長速度，長江存儲將在一至兩年內與SK海力士、美光等巨頭并駕齊驅。

目前長存總產能月約14萬片/月，占全球3D NAND市場份額約12%，根據歷史環評信息，長江存儲規劃產能為30萬片/月，項目分三期建設，每期產能為10萬片/月。中國地區NAND閃存市場銷售額占全球比重在30%以上，結合后續自主可控的需求，以及存儲需求的回暖，長存擴產的動力充足。

長存一期投資為370億元，主要投資方包括國家大基金等，項目規劃從2016-2020年，產能目標為月產能10萬片。2017年成功設計中國首款3D NAND閃存；2019年實現64層技術量產，與國外差距縮小至2年；2020年4月研發出128層QLC閃存，技術差距進一步縮短至1年。二期投資約250億元，投資方包括大基金二期等，項目于2020年啟動，追加月產能20萬片，總產能達30萬片，并繼續推進Xtacking架構優化與UFS 3.1接口研發，取得諸多重大突破。

長江存儲是國家大基金投資最龐大的單個企業，國家大基金在長江存儲擁有超過22%的股份，僅次于湖北武漢國資，湖北國資大手筆好投資，以長江存儲為核心的高端芯片產業將是中國光谷未來發展四大柱石之一。

2023年2月，長存注冊資本增至1052.7億元，今年4月長存母公司長控集團新增16家投資方，注冊資本增至1118.12億元。 ?截至2025年，長江存儲已躋身全球獨角獸企業行列，估值達1600億元。 ?

2023年長江存儲武漢二期工廠投產后，產能提升至全球第三。此次長存三期（武漢）集成電路有限責任公司的成立，無疑將進一步鞏固和提升長江存儲在集成電路產業中的地位，這一模式與此前長江存儲的擴產動作一脈相承，進一步推動其先進制程研發與產能擴張。

據行業人士透露，隨著長存三期公司注冊成立，設備訂單談判已同步開展，包括北方華創、中微公司、拓荊科技、京儀裝備、華海清科、長川科技等國產設備廠商將會充分受益，半導體設備國產化率有望繼續提升。

首條「全國產化」產線今年試產

由于長江存儲從ASML、Applied  Materials、KLA等國際設備供應商取得新設備的能力受限，其計劃大規模導入自研技術與國產設備，支撐其位成長率目標遠高于整體市場的10%~15%。此前有消息報道，為了減少對外國設備的依賴，長江存儲技術在推動“全國產化”制造設備方面取得了重大突破，首條全國產化的產線將于2025年下半年導入試產。

長江存儲利用串堆疊技術繞過限制，并朝向100%設備國產化邁進，正是應美國管制128層堆疊以上堆疊技術設備出口后的對策，亦是中國芯片設備自主化的重要試金石。

全國產線的試產若能成功，有望使比特產量翻倍，助力長江存儲實現市場份額目標。全球內存產能TOP3分別是三星、SK海力士、美光，三家2025年的產能預測分別是66萬片、50萬片和30萬片，若長江存儲能將月產量提升至20萬片，將具備影響全球NAND閃存價格走勢的話語權。但必須清醒認識到，從試驗線到大規模量產并非一蹴而就，國產設備的長期穩定性、不同設備間的工藝兼容性以及成本控制能力都是需要解決的關鍵問題 —— 從良率穩定到成本優化，再到產品迭代，至少還需要3-5年的打磨周期。

中國芯片制造商正在取得漸進式的進步，不過，100%的設備本土化遠遠超出了分析師們認為中國芯片制造商目前可能實現的范圍：長江存儲在中國半導體設備國產化努力中脫穎而出，據摩根士丹利估計的采用率為45%，遠超全國平均水平和其他主要國內晶圓廠（中國最大的晶圓廠中芯國際在其荊城晶圓廠實現了22%的國產化率，在臨港晶圓廠實現了18%），然而45%的采用率仍遠低于100%。

長江存儲的全國產線試產是中國半導體產業在全球競爭中的一次“范式創新”。它證明了即使在單點技術落后的情況下，通過設備、工藝、架構的系統協同，仍能實現產業鏈的整體突破。首條全國產線的拉通具有重大意義：集成電路生產是一個系統化工程，其中涉及九大類核心設備和其他輔助模塊，全國產線的拉通不是單一環節的突破，而是其中所有環節的突破。

我國半導體設備國產化率相對于中國市場的占比而言顯著偏低，2024年，除去膠設備、清洗設備、刻蝕設備和熱處理設備國產化率超30%，PVD/CVD/ALD、CMP、涂膠顯影、離子注入、量檢測和光刻等環節的國產化率仍低于20%，分別為5~20%，30~40%，5~10%，10~20%，1~10%和0~1%。

長江存儲建立技術優勢

值得注意的是，長存三期業務范圍不僅包括傳統芯片制造，還強調“技術服務”與“進出口代理”，表明公司或聚焦高附加值環節，同時通過全球化合作提升競爭力。在下一代NAND方面，長江存儲被認為已走在三星與SK海力士之前：三星與長江存儲簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協議；除了三星，SK海力士也正在開發適用于400層以上NAND產品的混合鍵合技術，未來他們也可能需要與長江存儲簽訂專利授權協議。

在傳統3D NAND架構中，外圍電路約占芯片面積的20~30%。而隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路所占據的芯片面積或將達到50%以上，這也造成了存儲密度的降低。同時，這種方法最多可容納300多層的NAND，否則施加于底部電路上的壓力可能會對電路造成損壞。

為了解決這一問題，長江存儲早在2018年就已經將混合鍵合技術應用于3D NAND制造，并將其命名為「晶棧（Xtacking）」，推動了高堆疊層數的3D NAND制造開始轉向了CBA（CMOS鍵合陣列）架構。而NAND晶圓和CMOS電路晶圓可以在不同的生產線上制造，使用各自優化的工藝節點分別生產，不僅可以縮短生產周期，還可以降低制造復雜度和成本。

最早將混合鍵合應用于3D NAND的長江存儲在相關技術上擁有強大的專利積累，截至目前，長江存儲專利總申請數量超過1萬件。雖然長江存儲近年來發展受到了外部的各種限制，但是已經成功地將存儲密度提升至與行業領先水平相當的高度，實現了目前商業產品中最高的垂直柵密度，使得長江存儲成為了全球NAND閃存市場的有力競爭者。

對于3D NAND廠商來說，要想發展400層以上的NAND堆疊，混合鍵合是一項不得不面對的核心技術。雖然SK海力士和美光分別在2020年和2022年向Xperi拿到了混合鍵合技術的授權，但因為轉向CBA架構遲緩，使得三星、SK海力士等大廠面對已經在CBA架構3D NAND和配套的混合鍵合技術上持續投入多年的長江存儲時，將會不可不避免的面臨專利方面的障礙。除此之外，由于存在許多變化，與長期采用混合鍵合的長江存儲相比，制造成本必然會高得多。

存儲芯片行業已經是成熟市場，三星、SK海力士、美光等巨頭占據了大部分市場份額。與他們相比，長江存儲是后起之秀，最重要的是，在核心技術逐步追上甚至領先行業巨頭之后，如何縮小設備和產量差距的能力也成為長江存儲的關鍵問題，這對能否改寫行業格局也至關重要。