內(nèi)存文章最新資訊

磁芯的過去、現(xiàn)在和未來內(nèi)存技術的巨變變化

《電子設計：時不時》的這一迭代是在我從我們的檔案中閱讀“在計算機中使用磁芯”時受到啟發(fā)的。本文最初發(fā)表于 Electronic Design 1955 年 4 月，第 3 卷第 4 期。這是不久前的事了。事實上，我就是那一年出生的。我們將討論磁芯的常用用途進行存儲，但首先要提及這篇文章。事實證明，鐵芯和磁性元件有很多用途。它們?nèi)匀挥米麟娫春湍M電路中的扼流圈。然而，在這種情況下，我們的想法是使用磁芯來實現(xiàn)邏輯（圖 1）。查看文章了解詳情。盡管這項技術從未進入商業(yè)領域，但它確實奏效了。1
關鍵字：磁芯內(nèi)存

內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應鏈的依賴

根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
關鍵字：內(nèi)存 NAND DRAM

UltraRAM 接近商業(yè)化：DRAM 速度，NAND 耐用性，1000 年數(shù)據(jù)壽命

據(jù) TechNews 報道，引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息，新型存儲技術“UltraRAM”，結合了 DRAM 和 NAND 的優(yōu)勢，在商業(yè)化方面取得了顯著進展。英國半導體初創(chuàng)公司 Quinas Technology，UltraRAM 的開發(fā)者，與 IQE 合作，將其制造推進到工業(yè)規(guī)模。UltraRAM 被認為是一種融合了 DRAM 和 NAND 優(yōu)勢的新型存儲器。據(jù) Tom’s Hardw
關鍵字：存儲內(nèi)存 UltraRAM

內(nèi)存巨頭在 HBM 基板上出現(xiàn)分歧：美光據(jù)報道推遲晶圓廠轉移，面臨失去優(yōu)勢的風險

據(jù)報道，英偉達正在為其 2027 年的生產(chǎn)開發(fā)自己的 HBM 基板，內(nèi)存巨頭的基板制造從 DRAM 轉移到晶圓廠工藝的焦點。據(jù)韓國的 Digital Daily 報道，美光可能采取了最謹慎的做法，由于成本問題，將推遲到 HBM4e 才轉移到晶圓廠。報道解釋說，直到 HBM3e，基板都是使用 DRAM 工藝制造的，因為 DRAM 制造商自己設計了邏輯，并在自己的 DRAM 線上生產(chǎn)。然而，平面 DRAM 工藝在速度、信號完整性和能效方面落后于晶圓廠的 FinFET 技術，促使內(nèi)存制造商進
關鍵字：英偉達 HBM3 內(nèi)存

英偉達計劃于 2027 年開始設計 HBM 邏輯芯片，以在供應鏈中獲得對臺積電、SK 海力的優(yōu)勢

根據(jù)韓國媒體韓聯(lián)社援引消息人士的話，英偉達計劃從 2027 年下半年開始承擔 HBM 價值鏈中“邏輯芯片”的設計工作，這是一個核心組件，同時計劃多樣化其來源。報道指出，行業(yè)消息人士認為英偉達的策略是為了重新平衡其與關鍵合作伙伴如臺積電和 SK 海力的關系，削弱他們的談判能力，并控制供應成本。報道強調，SK 海力和其他內(nèi)存制造商迄今為止都是內(nèi)部生產(chǎn)邏輯芯片。然而，下一代 HBM4——將于今年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)——正推動向代工生產(chǎn)轉型。SK 海力已選擇臺積電承擔這一角色，報道指出，行業(yè)消息人士認為美光也將這
關鍵字： HBM 內(nèi)存英偉達

內(nèi)存漲價輪到NOR Flash！第四季全面漲勢更兇狠

終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業(yè)界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業(yè)界預期，隨著近期市場漲價風聲蠢蠢欲動，NOR Flash價格將從第4季在各區(qū)域市場全面反映報價調漲，單季漲幅將達雙位數(shù)百分比。相較于DRAM市場價格近來明顯走揚，不僅DDR4身價暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現(xiàn)貨價格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個月來現(xiàn)貨價格已上漲約3成多，反映業(yè)界在擔憂
關鍵字：內(nèi)存 NOR Flash

據(jù)報道，英偉達在 2025 年上半年驅動了 SK 海力士 27%的收入，鞏固了 AI 芯片合作

作為英偉達 HBM3 和 HBM3e 的關鍵供應商，也是人工智能繁榮的主要受益者，SK 海力士在其最新發(fā)布的 2025 年半年度報告中展示了其強大的行業(yè)地位，突出了與美國芯片巨頭的緊密合作關系。據(jù) Yonhap News 報道，該公司僅從英偉達處在本年度上半年就據(jù)報道賺取了約 110 萬億韓元收入。值得注意的是，據(jù) SK 海力士提供的數(shù)據(jù)，Yonhap 報道稱，來自單個“主要客戶”的收入在 2025 年上半年達到了 108.9 萬億韓元。同期，SK 海力士合并總收入為 398.7 萬億
關鍵字：英偉達海力士內(nèi)存

據(jù)報道，英偉達計劃于 2027 年進行小規(guī)模 HBM 基板晶圓生產(chǎn)：震動內(nèi)存、芯片市場

市場傳聞稱，英偉達已開始開發(fā)自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動正在供應鏈中引起漣漪，因為它可能重塑下一代 HBM 格局。據(jù)《商業(yè)時報》報道，該芯片預計將基于 3 納米工藝節(jié)點，小批量試生產(chǎn)計劃于 2027 年下半年進行。英偉達的策略和 HBM4 路線圖根據(jù) TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發(fā)展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統(tǒng)的整體性能。值得注意的是，根據(jù) TrendForce 的觀察，英偉達將在 2027 年上半年
關鍵字：英偉達內(nèi)存 HBM4

Yole評2025數(shù)據(jù)中心半導體趨勢：人工智能重塑計算和內(nèi)存市場

市場研究與戰(zhàn)略咨詢公司Yole Group發(fā)布了新報告《2025 年數(shù)據(jù)中心半導體趨勢》，深入分析了人工智能、高性能計算和超大規(guī)模需求如何推動新的半導體范式
關鍵字： 202508 數(shù)據(jù)中心半導體人工智能內(nèi)存

美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認證

美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴苛環(huán)境使用而設計。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標準進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標準 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
關鍵字：美光內(nèi)存 NAND

中國長江存儲計劃通過使用國產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國制裁

(圖片來源：YMTC)長江存儲技術有限公司（YMTC），中國領先的 NAND 存儲器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來一直被美國商務部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產(chǎn)能力，目標是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲器生產(chǎn)市場的 15%，據(jù)《Digitimes》報道。該公司還計劃建設一條僅使用中國制造設備的試驗生產(chǎn)線。YMTC 將擴大產(chǎn)能至每月 15 萬片晶圓啟動據(jù) DigiTimes 報道，預計到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達到每月
關鍵字：長江存儲 NAND 內(nèi)存

據(jù)報道，2026 年 HBM 價格面臨兩位數(shù)下跌風險，對 SK hynix 構成挑戰(zhàn)

隨著英偉達以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動 HBM 需求增長，分析師警告明年可能面臨價格下跌。據(jù)高盛稱，經(jīng)濟日報報道，競爭加劇和供過于求可能導致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價格下跌——這對市場領導者 SK hynix 構成挑戰(zhàn)。值得注意的是，據(jù)高盛稱，2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數(shù)。此外，競爭加劇以及定價權向主要客戶轉移（SK hynix 受影響嚴重）可能擠壓該公司的利潤空間，高盛警告稱。根據(jù)高盛的預測，HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應的顯著增加
關鍵字： HBM 內(nèi)存海力士

內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：16Gb DDR4 消費者內(nèi)存價格上升，而 PC 內(nèi)存失去動力

根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調。至于 NAND 閃存，供應商逐步釋放產(chǎn)能資源，加上中國國家補貼的減弱效應，導致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
關鍵字：內(nèi)存 DDR4 DRAM

AI驅動內(nèi)存革新臺積電與三星引領存儲技術搶攻萬億商機

全球新興記憶體與儲存技術市場正快速擴張，而臺積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業(yè)IP供應商合作，積極推動先進非揮發(fā)性存儲器解決方案的商業(yè)化。過去兩年，相變內(nèi)存（PCM）、電阻式隨機存取內(nèi)存（RRAM）和自旋轉移矩磁阻式隨憶式內(nèi)存（STT-MRAM）已從實驗室走向次22納米節(jié)點的試產(chǎn)階段，并運用3D堆疊技術實現(xiàn)高密度，以解決傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺積電、三星、美光、英特爾等業(yè)界領導者的合作下，每年超過50億美元的研發(fā)投入加速新材料與制程的成熟。這
關鍵字： AI 內(nèi)存臺積電三星存儲技術

Q3報價談判啟動內(nèi)存供應鏈吃緊報價看漲

隨著第二季即將結束，多家內(nèi)存原廠已展開第三季合約報價談判。原廠持續(xù)執(zhí)行減產(chǎn)、并調整產(chǎn)品組合，市場供需變化牽動價格走勢分歧，尤以高帶寬記憶體（HBM）、LPDDR4X與DDR4等關鍵產(chǎn)品為觀察重點。根據(jù)TrendForce調查，2025年DRAM整體位元產(chǎn)出將年增約25%，但若排除HBM產(chǎn)品，一般型DRAM位年增幅約20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原廠成長幅度僅15%，反映產(chǎn)能資源向HBM傾斜。HBM成為AI服務器核心零組件，供應持續(xù)吃緊，特別是HBM3e更面臨嚴重短缺，推升報價動能。在一般型DR
關鍵字：內(nèi)存供應鏈 TrendForce

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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡介】　　在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細 ]