據(jù)報道，英偉達計劃于 2027 年進行小規(guī)模 HBM 基板晶圓生產(chǎn)：震動內(nèi)存、芯片市場

市場傳聞稱，英偉達已開始開發(fā)自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動正在供應鏈中引起漣漪，因為它可能重塑下一代 HBM 格局。據(jù)《商業(yè)時報》報道，該芯片預計將基于 3 納米工藝節(jié)點，小批量試生產(chǎn)計劃于 2027 年下半年進行。

英偉達的策略和 HBM4 路線圖

根據(jù) TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發(fā)展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統(tǒng)的整體性能。

值得注意的是，根據(jù) TrendForce 的觀察，英偉達將在 2027 年上半年首先采用標準 HBM4e——由 SK 海力士在臺積電的 12nm 工藝上提供——然后在 2027 年下半年至 2028 年過渡到定制化的 HBM4e 設(shè)計，SK 海力士將在臺積電的 3nm 節(jié)點上支持生產(chǎn)。

行業(yè)影響：從內(nèi)存到 ASIC

商業(yè)時報指出，雖然 SK 海力士目前憑借主要采用自研基礎(chǔ)芯片設(shè)計在 HBM 市場占據(jù)主導地位，但要實現(xiàn)超過 10Gbps 的 I/O 速率，需要采用先進的邏輯節(jié)點，如臺積電的 12nm 或更小的工藝進行基礎(chǔ)芯片制造。

報告補充道，由于內(nèi)存制造商缺乏復雜的基板芯片 IP 和 ASIC 設(shè)計能力，報告中引用的消息人士指出，將 UCIe 接口集成到 HBM4 中以實現(xiàn) GPU 和 CPU 的直接連接將顯著增加設(shè)計復雜性。

在此背景下，《商業(yè)時報》報道，英偉達開發(fā)自有 HBM 基板的計劃被視為進入 ASIC 市場的戰(zhàn)略舉措——利用 NVLink Fusion 提供更模塊化的解決方案并加強生態(tài)系統(tǒng)的控制。

然而，由于 CSP 公司已經(jīng)投資 ASIC 以減少對英偉達的依賴，該舉措對 ASIC 供應商的實際影響可能有限，報道總結(jié)道。

與此同時，《商業(yè)時報》援引行業(yè)內(nèi)部人士的話稱，最大的受益者可能是臺積電，其與主要芯片制造商的緊密合作和持續(xù)的過程改進使其成為人工智能快速發(fā)展的核心。