內(nèi)存文章最新資訊

消息稱三星 1b nm 移動內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機開發(fā)

IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內(nèi)存樣品供應延誤的擔憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進 1b nm LPDDR 移動內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
關鍵字：三星內(nèi)存 DDR5

TrendForce：內(nèi)存下半年價格恐摔

根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費型電子需求未如預期回溫，中國大陸地區(qū)的智能型手機，出現(xiàn)整機庫存過高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導致以消費型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價走弱，第二季價格較第一季下跌超過30％。盡管現(xiàn)貨價至8月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性內(nèi)存市場正遭遇嚴峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
關鍵字： TrendForce 內(nèi)存 DRAM

SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達定制 HBM 內(nèi)存意向

IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報道，SK 海力士負責 HBM 內(nèi)存業(yè)務的副總裁 Ryu Seong-soo 當?shù)貢r間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達了希望 SK 海力士為其開發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
關鍵字：海力士 HBM 內(nèi)存

HBM 帶動，三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導體 IDM 企業(yè)營收前四

IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾。▲ 圖源 IDC報告表示，數(shù)據(jù)中心對 AI 訓練與推理的需求飆升，其中對 HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價和對通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動 DRAM 平均價格上升，使總體內(nèi)存市場營收大幅成長。此外終端設備市場回穩(wěn)，AI PC、智能手機逐步發(fā)售，同樣提升
關鍵字：內(nèi)存存儲 HBM

小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車下線全系標配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存

8 月 9 日消息，小鵬汽車今日官宣，小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車下線，全系標配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存。博主@孫少軍09 稱，小鵬 MONA M03的門店展車已經(jīng)提前到店，開票價 15 萬多，所以起步價只會在 14 萬以下。博主還提到，對于小鵬自己，最麻煩的永遠不是產(chǎn)品本身，而是前幾次上市交不出來（車）的“無語”。所以小鵬這次一定要強調(diào)量產(chǎn)下線，這個比其他的都重要。據(jù)此前報道，小鵬 MONA M03 已出現(xiàn)在工信部的新車申報名單中，車身尺寸 4780 x 1896 x 1445mm，
關鍵字：小鵬 MONA M03 高通 8155 芯片內(nèi)存

M31Ｘ高塔半導體 65納米內(nèi)存方案問世

全球領先的硅智財供貨商M31宣布與高塔半導體（Tower Semiconductor）達成重要合作里程碑。雙方連手成功開發(fā)出65納米制程的SRAM（靜態(tài)隨機存取內(nèi)存）和ROM（只讀存儲器）IP產(chǎn)品，并已將設計模塊交付客戶端完成驗證，為半導體產(chǎn)業(yè)帶來全新的先進內(nèi)存解決方案。M31與高塔半導體共同優(yōu)化的設計架構(gòu)，巧妙結(jié)合低功耗組件Analog FET（模擬場效晶體管），不僅能夠完美滿足當前SoC芯片對低功耗的嚴格要求，更為未來物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、智能型穿戴裝置、車聯(lián)網(wǎng)（V2X）以及人工智能（AI）等新興應用領域
關鍵字： M31 高塔半導體 65納米內(nèi)存

消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準備，2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
關鍵字： SK海力士內(nèi)存 NAND

消息稱 SK 海力士考慮推動 NAND 業(yè)務子公司 Solidigm 在美 IPO

IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經(jīng)濟日報》（Hankyung）與 Blocks & Files 報道，SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
關鍵字： SK海力士內(nèi)存 NAND

HBM4持續(xù)加速：AI時代競爭新焦點

HBM4是目前發(fā)布的HBM3標準的進化版，旨在進一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時保持基本特性，例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個芯片和/或堆棧容量 —— 這些對于需要高效處理大數(shù)據(jù)集和復雜計算的應用至關重要，包括生成人工智能（AI）、高性能計算、高端顯卡和服務器。
關鍵字： HBM AI 內(nèi)存

DigiKey宣布與內(nèi)存和存儲解決方案領導者之一的Kingston Technology建立全球合作伙伴關系

全面現(xiàn)貨供應、提供快速交付的全球電子元器件和自動化產(chǎn)品分銷商DigiKey今天宣布與Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產(chǎn)品制造商之一，Kingston面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式OEM客戶，提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM組件在內(nèi)的各種存儲產(chǎn)品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設計師和制造者打造的工業(yè)級 SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。DigiKey與Kingston Technology合作，提供
關鍵字： DigiKey 內(nèi)存存儲 Kingston Technology

長江存儲再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項專利

IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲產(chǎn)品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
關鍵字：長江存儲 NAND 美光內(nèi)存

存儲大廠：CXL內(nèi)存將于下半年爆發(fā)？

據(jù)《ZDNet Korea》報道，三星電子存儲部門新業(yè)務規(guī)劃團隊董事總經(jīng)理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內(nèi)存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協(xié)議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存顆粒。除了CMM-D模塊，三星還在開發(fā)一系列CXL存儲產(chǎn)品。其中包括集成多個CMM-D模塊的CMM-B內(nèi)存盒模塊，以及將DRAM內(nèi)存與NAND閃存顆粒相結(jié)合的CMM-H混合存儲模塊。Choi Jang-seok強調(diào)，隨著CXL3.1技術(shù)的采用，CXL內(nèi)存資源可以在多
關鍵字：存儲 CXL 內(nèi)存

英偉達、臺積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內(nèi)存2026年量產(chǎn)

7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報道，英偉達、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”，為迎接 AI 時代共同推進 HBM4 等下一代技術(shù)。SEMI 計劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動（其影響力可以認為是半導體行業(yè)的 CES 大展），包括臺積電在內(nèi)的 1000 多家公司將展示最新的半導體設備和技術(shù)，促進了合作與創(chuàng)新。預計這次會議的主要焦點是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內(nèi)存，它將開啟市場的新紀元。IT之家援引該媒體報道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
關鍵字：英偉達臺積電 SK 海力士深 HBM4 內(nèi)存

高速運算平臺內(nèi)存爭霸 AI應用推升內(nèi)存需求

在不同AI運算領域中，依照市場等級的需要，大致上可以分成三種，一種是作為高性能運算中心的人工智能、機器學習與圖形處理的超高速運算與傳輸需求；一種是一般企業(yè)的AI服務器、一般計算機與筆電的演算應用；另一種是一般消費電子如手機、特殊應用裝置或其它邊緣運算的應用。現(xiàn)階段三種等級的應用，所搭配的內(nèi)存也會有所不同，等級越高內(nèi)存的性能要求越高，業(yè)者要進入的門坎也越高。不過因為各類AI應用的市場需求龐大，各種內(nèi)存的競爭也異常的激烈，不斷地開發(fā)更新產(chǎn)品，降低成本，企圖向上向下擴大應用，所以只有隨時保持容量、速度與可靠度的
關鍵字：高速運算平臺內(nèi)存 AI 內(nèi)存需求

從應用端看各類內(nèi)存的機會與挑戰(zhàn) 跨領域新市場逐漸興起

內(nèi)存是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組件，隨著科技的進步，內(nèi)存的容量、速度、功耗等特性也不斷提升，為各種應用帶來了新的機遇和挑戰(zhàn)。本文將從應用端出發(fā)，探討各類內(nèi)存的機會與挑戰(zhàn)。動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）DRAM是當前計算器系統(tǒng)中最常見的主存儲器技術(shù)，具備高速讀寫和相對較低的成本。它廣泛應用于PC、服務器、移動設備和游戲機中。隨著人工智能和大數(shù)據(jù)應用的興起，DRAM的需求持續(xù)增長，尤其是在需要高速數(shù)據(jù)處理和低延遲的應用場景。DRAM的主要挑戰(zhàn)在于其揮發(fā)性和功耗問題。DRAM需要持續(xù)供電以維持數(shù)據(jù)，這限制了其在移動
關鍵字：應用端內(nèi)存

共616條 4/42 |‹ « 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 » ›|

內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡介】　　在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細 ]