3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務器，不但規格、性能越來越強，HBM內存也是同步升級，容量、頻率、帶寬都穩步前進。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發布，繼續采用HBM3E內存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升級為下一代HBM4內存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續升級為加強版HBM4E內存；而到了2028年的Feynman全新架構有望首次采用HBM5內存。與此同時，SK海力士、三星、美光三大原廠也紛紛展示
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2月24日消息，Intel放棄了廣為看好的傲騰存儲業務，與之合作的美光也結束了3DX Point存儲技術的研發，但是來自中國的新存科技，卻在非易失性存儲方面取得了重大突破，無論容量還是性能都是一流水準。新存科技2022年7月成立于武漢，是一家專注于新型存儲芯片研發、生產、銷售的高科技企業，主要產品包括阻變存儲、相變存儲、鐵電存儲、磁阻存儲，目前員工約200人，其中約90％為研發人員，碩士及以上學歷占比77％。去年9月，新存科技發布了中國首款最大容量新型存儲芯片“NM101”，現在又宣布了非易失性新型存儲芯
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英特爾 傲騰 內存 非易失性存儲 新存科技
2 月 18 日消息，科技媒體 WccFTech 昨日（2 月 17 日）發布博文，報道稱英偉達正積極研發名為“SOCAMM”的全新內存模塊，主要用于 Project DIGITS 等個人 AI 超級計算機，可在性能方面帶來巨大飛躍。該模塊不僅體積小巧，而且功耗更低，性能更強，有望成為內存市場的新增長點。目前正與三星電子、SK 海力士和美光等內存廠商進行 SOCAMM 原型機的性能測試，預計最快將于今年年底實現量產。援引博文介紹，SOCAMM 擁有最多 694 個 I/O 端口，遠超 PC DRAM 和
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2月17日消息，據BK最新報道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內的主要內存半導體公司進行秘密談判，合作開發新型內存標準SOCAMM，并推動其商業化。16日，業內人士證實了這一消息。此舉標志著內存半導體領域的重大轉轉變，對B2B服務器市場和蓬勃發展的設備端AI領域都有潛在影響。據悉，SOCAMM被譽為新一代HBM（高帶寬存儲器），是系統級芯片高級內存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內存模塊，可極大增強個人AI超級計算機的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
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英偉達 內存 HBM
樹莓派工程師調整了 Pi 的 SDRAM 時序和其他內存設置，在默認的 2.4 GHz 時鐘下實現了 10-20%的速度提升。我當然要測試超頻，這讓我在 3.2 GHz 時獲得了 32% 的速度提升！這些更改可能很快就會在所有 Pi 5 和 Pi 4 用戶的固件更新中推出。樹莓派的工程師們正在進一步調整內存時序，他們與美光公司進行了溝通，并實施了一系列小的調整，這些調整——連同 NUMA 模擬——真正為多核工作負載帶來了性能提升。甚至對單核也有小小的改進！SDRAM 刷新間隔目前使用默認數據表設置。實際上
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三星Galaxy S25系列可能會選擇美光作為第一內存供應商，而非自家的產品。這一決定標志著三星在旗艦智能手機中首次沒有優先使用自家的內存解決方案，這也讓外界對三星內存技術的競爭力產生了質疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機中的第二內存供應商，這次卻打敗三星成為了第一供應商，似乎折射出內部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問題，三星DS（設備解決方案）部門未能按時足量向三星MX（移動體驗）部門交付Galaxy S25系列手機開發所需的LPDDR5X內存樣品，導致MX部門的手
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隨著人工智能技術的廣泛應用，移動產品對內存性能的需求日益增長，尤其需要相較LPDDR5X更為高效的數據處理能力以支撐端側AI模型的運行。一直懸而未決的LPDDR6標準也進入最終的敲定期，預計到2025年下半年我們有望看到采用新一代LPDDR6的產品上市。此前有報道稱，高通第四代驍龍8平臺將支持LPDDR6，以進一步提升定制Oryon內核的性能。LPDDR6帶來了哪些變化？目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月發布。之后，業界又陸續發布了小幅更新、改進版的LPDDR
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12 月 10 日消息，2024 IEEE IEDM 國際電子設備會議目前正在美國加州舊金山舉行。據分析師 Ian Cutress 的 X 平臺動態，英偉達在本次學術會議上分享了有關未來 AI 加速器的構想。英偉達認為未來整個 AI 加速器復合體將位于大面積先進封裝基板之上，采用垂直供電，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模塊設計，3D 垂直堆疊 DRAM 內存，并在模塊內直接整合冷板。IT之家注：Ian Cutress 還提到了硅光子中介層，但相關內容不在其分享的圖片中。在英偉達給出的模型中，每個
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12 月 5 日消息，據 Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據核心職能分工明確責任與權限，業務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發（CDO）和生產（CPO）在內的五大部門。據介紹，新設的 AI 芯片開發部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發能力，著眼于下一代 AI 內存等
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12 月 3 日消息，據韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標準化 LPDDR6-PIM 內存產品。該合作伙伴關系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標準化。報道提到，兩家公司已經確定，有必要建立聯盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進行向聯合電子設備工程委員會（JEDEC）注冊標準化的初步工作。目前正在討論每一個需要標準化項目的適當規格。▲ 圖源三星PIM 內存技術是一種將存儲和計
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三星電子 SK 海力士 內存
12月2日消息，據韓國媒體報道， 在全球內存市場上長期競爭的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結成聯盟，共同推動LPDDR6-PIM內存的標準化。這也意味著兩家公司在面對AI內存技術商業化的共同挑戰時，愿意擱置競爭，共同推動行業標準的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優化的低功耗內存技術的標準化進程，以適應設備內AI技術的發展。隨著設備內AI技術的興起，PIM內存技術越來越受到重視。PIM技術通過將存儲和計算結合，直接在存儲單元進行計算，有效解決了傳統芯片在運行AI算法時的“存儲墻”和“功耗墻
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11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內存。該產品可實現 48GB 的單堆棧容量，預計明年初出樣。雖然一般認為 16 層堆疊 HBM 內存直到下一世代 HBM4 才會正式商用，但參考內存領域 IP 企業 Rambus 的文章，HBM3E 也有擴展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學術會議準備的論文中也提到了可實現 1280G
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10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內存頻率超頻世界紀錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績，通過液態氮極限超頻技術，創下 DDR5-12112 的超頻紀錄。該紀錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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10 月 17 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 當地時間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業務規模，全力聚焦高利潤產品 HBM 以及 CXL 內存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業務的研發投資，同時月產能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠遠落后于競爭對手。同時，SK 海力
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IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發布報告指出，由于服務器終端庫存調整接近尾聲，加上 AI 推動了大容量存儲產品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價格持續上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高，導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環比下降 1%，平均銷售單價上漲了 15%，總營收達 167.96 億美元（IT之家備注：當前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實現環比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時積極回應客戶對
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內存介紹
【內存簡介】
在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存，港臺稱之為記憶體）。
內存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統、打字軟件、游戲軟件等， [
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