半導體投資不妨采用“N+1”政策！

　　近來，有關臺積電在中國大陸投資建設12英寸晶圓制造廠的消息是最為引人關注的新聞之一，任何動向都會引發(fā)媒體的跟風報道。日前有媒體披露“南京市政務服務中心網站發(fā)布招標公告，就三期浦口經濟開發(fā)區(qū)進行場地平整工程招標，內容明示為臺積電地塊”，再次引發(fā)業(yè)界持續(xù)關注。與此同時，重慶、深圳等地對臺積電落戶的招商力度仍然絲毫不減。

　　臺積電能在中國大陸投資建廠，特別還是1座12英寸的晶圓當然是好事一件，此前臺積電在中國大陸的上海松江設有8英寸廠。然而考慮到此次臺積電在大陸建立的12英寸廠中引入的工藝技術，最先進的可能也僅為28納米，卻又不能不說是一大遺憾了。畢竟在國際上，英特爾、三星和格羅方德已經量產14納米工藝，臺積電16納米工藝也于近期實現量產(據聞于7月份量產，年底放量)，而且即使在中國大陸范圍內，中芯國際已經在今年年中實現了28納米的量產，年底即可放量。

　　當然，臺積電做出這樣的決定并不出人意料，因為這是根據中國臺灣有關半導體廠赴大陸設廠的規(guī)定，所輸出的制程技術必須落后該公司在中國臺灣制程技術一個世代以上(N-1)。目前臺積電制程最先進工藝為16納米。20納米為一個小節(jié)點，目前鮮少有采用該節(jié)點進行產品開發(fā)的設計公司，臺積電的中國臺灣廠在該節(jié)點上的訂單也不多，沒有必要在大陸另建新廠，所以最有可能進入大陸的就是28納米。

　　可是，將這樣一個技術節(jié)點引入，并不令人興奮，甚至可能對我們的產業(yè)發(fā)展存在一定影響：中芯國際在北京及上海的2座12英寸廠，今年年底就將跨入28納米，臺積電的投資對中國大陸半導體制造行業(yè)的技術進步并沒有帶來促進作用，反而有可能過早形成壓力。

　　如果拉長視角，可以更好地理解當初我們?yōu)楹螛酚诮邮車H上非先進技術的投資。因為那時中國大陸的晶圓制造水平與國際先進水平差距較大。本世紀初中國大陸的制造工藝尚停留在1微米到0.8微米節(jié)點，國際上的主流工藝已經達到0.18微米到0.13微米了，所以即使是處于N-1政策下的中國臺灣廠商投資，仍有其先進性，落戶城市自然也是十分歡迎的。

　　然而目前的形勢已經改變了。中國大陸半導體技術與國際先進技術的差距逐漸拉近，中國大陸半導體業(yè)也并不缺少資金，最需要的是更加先進的工藝技術和人才。所以，如果臺積電此次投資能夠引入16納米先進工藝，那么我們應當歡呼，應當給予一系列優(yōu)惠政策。

　　所以，在這里我不妨提出一個建議，既然中國臺灣為了保護本地產業(yè)，可以出臺“N-1政策”，那么，中國大陸為什么不能出臺“N+1”的規(guī)定呢?如果想來大陸投資，想要得到更多優(yōu)惠政策，想要獲得更多市場份額，那么就請投資比現有工藝水平更先進一代的技術吧。如此，方有利于我們技術的進步與趕超，更有利于本土產業(yè)的發(fā)展。以現在中國大陸的半導體產業(yè)的發(fā)展水平和整體經濟實力，已經到了可以對外大聲說“想來這里投資賺錢，那就把好東西拿出來吧”的時候了。

　　另外，再補充一個消息：近日中國臺灣投審會正式駁回了清華紫光在臺設立“紫光展訊分公司”的申請，理由是對紫光集團有大量挖角臺灣IC人才的疑慮，不利臺產業(yè)發(fā)展。而大陸這里卻有多個城市在為臺積電投資建廠而爭奪。新聞要對比著看才有意思。