我國IC制造與先進水平鴻溝加寬

　　近日，有消息稱受英特爾與三星等競爭壓力所致，國際IC代工制造龍頭臺積電將加快先進工藝開發量產步伐，除加速南科廠16納米產能布建之外，還將加快10納米生產線的建設，計劃于明年下半年完成10納米的產品設計，2016年下半年量產。隨著集成電路工藝逐漸接近物理極限，技術難度加大，摩爾定律一度逐漸減慢，這也在一定程度上給了我國IC產業追趕國際先進水平的機會。然而，受到競爭加劇影響，業內龍頭大廠在先進制程推進上似乎又有重新加速的跡象。這是否將導致我國大陸IC代工制造水平與國際先進水平之間的差距進一步拉大呢?

　　根據臺積電在近日舉辦的法說會上發布的技術路線圖，臺積電16納米工藝預計在明年第一季度拉升至每月5萬片，由此量產時程可望提前至明年第二季度，比預定時間提前一個季度;10納米工藝從2013年開始進行技術開發，計劃明年第一季度于中科廠建置10納米試產線，量產時程則落在2016年下半年。不過受制于EUV技術的輸出率仍未達到量產需求，屆時10納米工藝仍將采用多重曝光的方式，并集中于12英寸晶圓廠生產。

　　集成電路芯片制造業是集成電路產業鏈的核心主體，大力發展集成電路芯片制造業一直是我國推進集成電路產業的重要方向之一。一直以來，在先進工藝方面，我國大陸制造技術與先進水平的差距大體相差2代。目前，中芯國際最先進的制造技術為40納米，與國際先進水平相差1.5代，實際已經追近了一步，至少是沒有被落下。而中芯國際的28納米工藝有望于今年年底進行試量產，明年初實現量產。這樣，與臺積電仍將保持1.5代到2代的差距(將視臺積電16納米工藝量產是否順利而定)。同時，中芯國際也在開發14納米、10納米的工藝技術，根據計劃，預計在2016年到2017年可實現14納米的工藝開發，順利的話可能進行試產。這樣算來，并沒有與先進水平拉大差距。

　　其實，IC制造的競爭不僅表現在先進工藝的開發與量產上，僅僅是因為它更引人注目。實際上，我國IC制造的弱勢更多存在于設計服務能力和支持體系的不完善之上。隨著技術的發展，當前IC設計、制造、ENA工具，甚至是封裝的工藝流程，有越來越多相互融合的趨勢，衡量IC制造業實力強弱的重點越來越多地體現在企業是否能夠建立起完整的設計服務和支持體系，是否能夠充分進行IP核的研發以滿足工藝開發需求，甚至更高地建立在對設計方法學的理解程度之上。而國內很多IC制造廠在這些方面都存在明顯不足。這些軟硬實力的補足，才是我國IC制造企業下一步亟須強化的重點。