Sandisk閃迪與SK海力士攜手推動高帶寬閃存技術標準化

Sandisk閃迪公司正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄（Memorandum of Understanding，MOU），雙方將攜手制定高帶寬閃存（High Bandwidth Flash，HBFTM）技術規范。這項新興技術旨在為下一代人工智能推理提供突破性的存儲容量和性能支持。通過此次合作，雙方將致力于推動該技術規范標準化，明確技術要求，并共同探索構建高帶寬閃存技術生態系統。

閃迪公司執行副總裁、首席技術官兼HBF技術顧問委員會成員Alper Ilkbahar表示：“當前，AI行業對可擴展內存的需求日益迫切。為了積極應對這一關鍵挑戰，我們與SK海力士攜手制定高帶寬閃存技術規范以加快技術創新進程，賦能產業應對未來指數級增長的數據處理需求。我們的合作將有助于提供更高效的解決方案，以滿足全球技術需求，并不斷超越客戶的期望。”

SK海力士公司開發總管（CDO）安炫社長表示：“隨著下一代計算不斷演進，業界亟需突破性解決方案以應對新興挑戰。此次我們與閃迪協作推動高帶寬閃存技術規范的標準化，以加速這一前沿技術的商業化進程。我們相信，該技術將在釋放AI潛能和應對下一代數據負載方面發揮關鍵作用。”

隨著AI模型不斷擴展并日趨復雜，其推理工作負載對帶寬和內存容量的需求大幅提升。HBF技術專為滿足大型數據中心、小型企業以及邊緣應用中的AI推理工作負載需求所設計。該技術可在成本相近的條件下，提供與高帶寬內存（High Bandwidth Memory，HBM）相當的帶寬水平和高達8至16倍的容量。

閃迪HBF技術基于先進的BiCS技術和其自主研發的CBA晶圓鍵合技術，并于過去一年內在AI行業參與者的支持下進行開發。該項技術在FMS 2025上榮獲“杰出展示獎：最具創新技術”。閃迪公司預計，首批HBF產品將于2026年下半年出樣，同時首款搭載HBF技術的AI推理設備將于2027年初出樣。

閃迪近日宣布成立技術顧問委員會，為其開創性的HBF技術提供發展與戰略指導。該委員會由來自公司內部與外部的行業專家以及資深技術領袖組成，將提供戰略指導、技術洞察與市場前瞻，并構建以相關技術標準驅動的生態系統。