據SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國利川M16工廠成功引進了業界首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），并舉行了設備入廠慶祝儀式。此次引進的設備為荷蘭ASML公司開發的TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量產型High-NA EUV設備。相比現有EUV設備（NA 0.33），其光學性能（NA 0.55）提升了40%，能夠繪制精密度高達1.7倍的電路圖案，同時將芯片集成度提升2.9倍。這一技術突破將顯著推動半導體制造向更微細化和高集成度方向發展。SK海力士自
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據TrendForce集邦咨詢數據顯示，2025年第二季度，全球DRAM產業營收達到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價的上漲以及出貨量的顯著提升，同時HBM出貨規模的擴大也起到了推動作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機以及CSP廠商的采購需求逐步回升，推動DRAM原廠加速去庫存化，多數產品的合約價已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續穩居前三。三星在第二季度的表現相對平穩，其售價和位元出貨量均
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當地時間8月29日，根據美國《聯邦公報》（Federal Register）發布的通知顯示，美國商務部工業與安全局（BIS）修訂《出口管理條例》（EAR），將英特爾半導體（大連）有限公司（已于今年完成交割至SK集團Solidigm相關資產體系）、三星中國半導體有限公司以及SK海力士半導體（中國）有限公司從對中華人民共和國（PRC）現有經驗證最終用戶（Validated End-User, VEU）授權名單中移除。值得一提的是，臺積電在中國大陸的晶圓廠此次并沒有被提及，或許其之前獲得的永久豁免依然有限。這一
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美國總統唐納德·特朗普的政府將使三星電子和SK海力士更難將關鍵設備運送到其在中國的芯片制造業務，從而對兩家公司在全球最大半導體市場的生產造成潛在打擊。美國商務部在周五發布的一份通知中表示，它將撤銷三星和 SK 海力士在其中國業務中使用美國技術的豁免。這些公司一直在中國運營，規定允許他們進口芯片制造設備，而無需每次都申請新的許可證。此舉將修改所謂的驗證最終用戶 （VEU） 規則，限制在該國制造芯片的能力，并危及北京獲得某些技術的機會。這些豁免可以追溯到 2023 年，當時美國總統喬·拜登 （Joe Bide
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在AI需求爆發與高價值產品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現量價齊升。根據CFMS最新數據，二季度市場規模環比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發優勢，二季度DRAM銷售收入達122.71億美元，環比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續第二個季度穩居全球第一，并進一步拉開與三星的差距。· 三星以107.58億美元收入位列第二，環比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術路線圖和可持續創新的方向。SK海力士首席技術官（CTO）車善勇于6月10日發表了題為“推動DRAM技術創新：邁向可持續未來”的全體會議。首席技術官 Cha 在演講中解釋說，通過當前的技術平臺擴展來提高性能和容量變得越來越困難。“為了克服這些限制，SK海力士將在結構、材料和組件方面進行創新，將4F2 VG（垂直門）平臺和3D DRAM技術應用于10納米級或以下的技術。4F2 VG平臺是下一代
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據韓媒ZDNet Korea援引業界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業資金更多集中于DRAM和封裝領域，導致對NAND的投資負擔加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進轉換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現有設備，效率較高。然而，近期三星針對最先進NAND的轉換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉換投資
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韓國SK海力士（SK Hynix）一位高級管理人員在接受路透社采訪時表示，到2030年，專為人工智能設計的專用存儲芯片市場將以每年30%的速度增長。對用于人工智能的高帶寬內存 （HBM） 全球增長的樂觀預測消除了人們對該行業幾十年來一直被視為石油或煤炭等商品的價格壓力上升的擔憂。“最終用戶對人工智能的需求非常非常堅定和強勁，”SK 海力士 HBM 業務規劃主管 Choi Joon Yong 說。Choi 表示，亞馬遜、Microsoft 和 Alphabet 旗下的谷歌等云計算公司預計的數十億美元的人工智
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Sandisk閃迪公司正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄（Memorandum of Understanding，MOU），雙方將攜手制定高帶寬閃存（High Bandwidth Flash，HBFTM）技術規范。這項新興技術旨在為下一代人工智能推理提供突破性的存儲容量和性能支持。通過此次合作，雙方將致力于推動該技術規范標準化，明確技術要求，并共同探索構建高帶寬閃存技術生態系統。閃迪公司執行副總裁、首席技術官兼HBF技術顧問委員會成員Alper Ilkbahar表示：“當前，AI行業對可擴
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嚴格的等級制度和規避風險的文化正在推動韓國芯片巨頭悄然外流在三星電子監督 DRAM 工藝十年后，一位名叫 A 的 43 歲工程師于 2023 年接受了 SK 海力士的工作。最讓他驚訝的不是技術工作，而是從他所謂的“偽造報道文化”中解放出來。在三星，跨部門項目經常暴露工藝或設計方面的缺陷，但這些缺陷通常被淡化以避免內部指責。“每個人都知道這場比賽，”他說。“盡量減少問題，否則你的團隊會被燒毀。”工程師B從頂尖工程大學畢業后加入三星，在公司工作了八年，他也表達了同樣的觀點。他預計韓國領先的芯片制造商之間幾乎沒
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根據全球咨詢公司麥肯錫公司(McKinsey & Company)7月20日發布的一份報告,半導體行業排名前5%的公司(基于年銷售額),包括NVIDIA,臺積電,SK海力士和博通(Broadcom)去年創造了所有利潤。前5%的公司獲得的經濟利潤為1590億美元,而公司利潤的中間90%被限制在50億美元。最底層的5%公司實際上遭受了370億美元的損失。實際上,前5%的公司收到的成績單,超過了整個半導體市場創造的經濟利潤(1470億美元)。這種市場轉變發生在2-3年內。在COVID-19大流行期間(2
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美國商務部正在考慮撤銷此前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證——這一舉措可能為它們在中國的運營制造新的障礙，據路透社報道。引自華爾街日報，Wccftech 指出，工業與安全 Under Secretary 詹姆斯·克勒森正推動結束允許美國芯片設備制造商向這些公司中國工廠出售關鍵工具的豁免。報道補充說，這可能導致它們獲取美國制造設備的規定更加嚴格。根據 Tom's Hardware，該審查針對的是在美國于 2022 年底限制向中國出口芯片制造工具后授予非中國芯片制造商
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據路透社報道，美國商務部正在考慮撤銷之前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證，此舉可能會給它們在中國大陸的業務制造新的障礙。
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美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數據傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發并評估量產可行性，目標是在2030年前實現商業化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理，而芯片的制造環節則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發揮
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在英偉達H20受到最新出口限制之后，其正在開發該芯片的降級版本，以尋求在有限政策空間內繼續開拓中國市場，最早可能在7月發布。降級版H20性能預計會有較為明顯的下調，尤其是在內存容量方面，據TrendForce報道英偉達可能會用GDDR取代HBM。英偉達HBM3的供應商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供應商，如果降級版H20選擇換用GDDR，那么可能會對現有的供應鏈產生一定的干擾。同樣，三星和SK海力士也都有與英偉達在GDDR7上合作的經驗，值得注意的是，現階段GDDR7的供應主要由三星提供支持，S
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