為什么三星的頂尖人才會被SK海力士奪走

嚴格的等級制度和規避風險的文化正在推動韓國芯片巨頭
悄然外流在三星電子監督 DRAM 工藝十年后，一位名叫 A 的 43 歲工程師于 2023 年接受了 SK 海力士的工作。最讓他驚訝的不是技術工作，而是從他所謂的“偽造報道文化”中解放出來。在三星，跨部門項目經常暴露工藝或設計方面的缺陷，但這些缺陷通常被淡化以避免內部指責?！懊總€人都知道這場比賽，”他說。“盡量減少問題，否則你的團隊會被燒毀?！?br/>工程師B從頂尖工程大學畢業后加入三星，在公司工作了八年，他也表達了同樣的觀點。他預計韓國領先的芯片制造商之間幾乎沒有什么區別，但發現 SK 海力士的運作模式完全不同：自下而上的決策和公開的內部競爭?！霸谌?，對任何新提案的第一反應是，'如果失敗了，你會承擔責任嗎？'“僅此一項就扼殺了創新。”
隨著三星在存儲芯片領域的主導地位減弱，尤其是在高帶寬內存 （HBM） 和 DRAM 領域，行業分析師表示，頂尖工程人才的流失正在加速一場更深層次的危機。C 現年 51 歲，在三星設計 DRAM 工藝近 20 年，現在領導 SK 海力士的第六代 （1c） 10nm 級 DRAM 開發。他說，近年來三星與 SK 海力士的合作激增?！斑@不僅僅是薪水的問題，”他說。“這是關于僵化的等級制度、表演性政治和阻止風險的人力資源系統。”

圖形：Chung Seo-hee

在人工智能時代記憶主導地位的競賽中，內部創新的退縮越來越明顯。B 表示，SK 海力士鼓勵團隊之間的競爭，推動競爭對手的封裝技術（例如 MR-MUF 和混合鍵合），然后根據性能和成本進行選擇。他說，在三星，主要關注的是如果出現故障，誰會受到指責。
賭注很高。SK海力士的內部競爭取得了突破：工程師們曾經認為MR-MUF無法擴展到16層以上。但通過內部迭代，該公司將其擴展到 20 層，從而顯著提高了效率。B 將這種方法與臺積電的方法進行了比較：“將現有工具推向邊緣，以降低成本并在性能上領先。
相比之下，在三星，規避風險的心態仍然存在。“當第一個問題是'你能保證它會奏效嗎？'你就不會得到新的想法，”B 說。
隨著下一代HBM4集成了邏輯芯片（需要先進的代工工藝），SK海力士已開始招聘三星的FinFET工程師。自 2024 年以來，小團隊已經跳躍，一次兩到三個。

43 歲的前鑄造工程師 Son Min-gyun

D 的圖形表示，長期虧損、產能利用率低以及對分拆的猜測是他離職的因素。他還指出，三星著名的內存部門與其代工業務之間存在士氣分歧。
現任職于SK海力士的高級研究員E將矛頭對準了三星的“血脈心態”。“除非你通過這個系統上來，否則幾乎不可能在內存部門達到領導地位，”他說。
相比之下，SK 海力士無論血統如何，都會獎勵績效，不僅讓三星資深人士，還讓鮮為人知的軟件專業人士擔任關鍵角色。這種開放性已經取得了成果。曾經在NAND閃存技術上落后，SK海力士已經縮小了差距。最近的高利潤產品現在與三星和美光的產品相當或超過。
關鍵員工發揮了作用。崔正達曾在SK海力士領導全球首款321層NAND的開發，他是三星前高管，也是三星“驕傲三星獎”的獲得者。他的前任鄭泰成在加入SK海力士之前也在三星工作了二十年。
專家表示，三星的問題不在于技術，而在于結構?！斑@是一個管理至上的組織，”西江大學商學院教授金永鎮說。“工程決策是通過財務指標過濾的。如果領導層不重置系統，三星的半導體優勢可能會繼續受到侵蝕。