特斯拉明年將采用臺(tái)積電3nm芯片

據(jù)外媒，除了傳統(tǒng)客戶聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達(dá)、英特爾、高通外，特斯拉也已確認(rèn)參與臺(tái)積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設(shè)計(jì)定案（New Tape-Outs，NTOs）。報(bào)道稱，特斯拉成為臺(tái)積電N3P的客戶也表明，其打算利用該尖端技術(shù)生產(chǎn)下一代全自動(dòng)駕駛(FSD)智能駕駛芯片。

據(jù)了解，臺(tái)積電N3P工藝計(jì)劃預(yù)計(jì)在2024年投產(chǎn)，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺(tái)積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標(biāo)，以及技術(shù)成熟度，都超過了英特爾的18A工藝。