ASML：數值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場

據日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時imec年度盛會ITF World 2023表示，半導體產業需要2030年開發數值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術，滿足半導體發展。

Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術越來越成熟，半導體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進，不過速度可能會在2030年放緩。

故ASML計劃年底前發表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設備（原型制作），2025年量產出貨。2025年開始，客戶就能從數值孔徑為0.33傳統EUV多重圖案化，切換到數值孔徑為0.55 High-NA EUV單一圖案化，降低制程成本，提高產量。

High-NA EUV預估會有五大客戶：英特爾、臺積電、三星、SK海力士、美光，可最早使用設備。科林研發、柯磊、HMI和JSR及TEL等正與ASML合作，開發High-NA EUV材料與特用化學品。

Fouquet表示，EUV光源輸出功率一直穩步增加，ASML傳統型號EUV光源輸出功率為250W~300W，最新型號3600D增加到350W，現在研究層面已做到600W，800W指日可待。

到2030年，使用High NA EUV的多重圖案將與單一圖案一起完成，以提高產量，并降低制程成本，需要更高數值孔徑的EUV曝光（NA=0.75）。藉DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技術形成圖案的每個晶體管成本都不斷變化，考量到新技術價格一定高于EUV每套3億美元，High-NA EUV價格將非常可觀，但仍取決于客戶要求和開發成本。