臺(tái)積電 投資中國(guó)大陸意愿恐降

研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技（TrendForce）表示，美國(guó)商務(wù)部近期基于《芯片法案》釋出補(bǔ)貼細(xì)則，其中明文規(guī)定獲補(bǔ)助者未來(lái)十年在中國(guó)大陸、北韓、伊朗與俄羅斯等，將被限制包含先進(jìn)制程與成熟制程在內(nèi)的相關(guān)投資活動(dòng)，恐進(jìn)一步降低跨國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者未來(lái)十年在中國(guó)大陸的投資意愿，其中臺(tái)積電（2330）由于在美中兩地皆有設(shè)廠，未來(lái)可能將降低臺(tái)積電在中國(guó)大陸的投資意愿。

美近年陸續(xù)祭出的出口禁令、《芯片法案》等，使得供應(yīng)鏈去中化影響程度加劇。以晶圓代工的供應(yīng)端來(lái)看，回溯當(dāng)時(shí)的出口禁令，雖以「非平面式晶體管架構(gòu)」制程（16／14nm及更先進(jìn)的制程）設(shè)備管制為主，但隨著日本、荷蘭陸續(xù)宣布將加入制裁行列，恐導(dǎo)致同時(shí)可用于生產(chǎn)16納米以下及40／28納米等成熟制程的關(guān)鍵曝光設(shè)備DUV浸潤(rùn)式（immersion）微影被劃入禁令范疇。

再加上本次《芯片法案》限制，意即中系晶圓代工業(yè)者、跨國(guó)晶圓代工業(yè)者在中國(guó)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，不論是先進(jìn)或成熟制程皆可能受到程度不等的抑制。

需求端方面，自2023年上半年開始，IC設(shè)計(jì)業(yè)者或因終端客戶要求、自主風(fēng)險(xiǎn)規(guī)避等因素，陸續(xù)轉(zhuǎn)單或新開案至臺(tái)系晶圓代工業(yè)者，尤以成熟制程為生產(chǎn)主力的Tier 2、Tier 3業(yè)者如世界先進(jìn)（5347）、力積電（6770）明顯受惠。集邦科技認(rèn)為，對(duì)現(xiàn)階段遭庫(kù)存修正沖擊、產(chǎn)能利用率低落的晶圓代工廠無(wú)疑為一大幫助，預(yù)期至2023下半年至2024年對(duì)產(chǎn)能利用率的挹注將更顯著。

集邦科技指出，臺(tái)積電在本次更新的法案中首當(dāng)其沖，主要是因其在中美兩地均有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃所致。目前臺(tái)積電在中國(guó)大陸的擴(kuò)產(chǎn)以Fab16的28納米為主，且已于2022年啟動(dòng)，擴(kuò)產(chǎn)相關(guān)設(shè)備均已陸續(xù)移入，加上2022年10月后臺(tái)積電已取得為期一年之相關(guān)設(shè)備進(jìn)口許可，預(yù)計(jì)2023年中前將擴(kuò)產(chǎn)完畢。

不過，據(jù)《芯片法案》新細(xì)則來(lái)看，臺(tái)積電獲美補(bǔ)貼后十年內(nèi)，F(xiàn)ab16的16／12奈米以及28／22奈米產(chǎn)能擴(kuò)充將受限，且當(dāng)中85％產(chǎn)出須滿足中國(guó)大陸當(dāng)?shù)厥袌?chǎng)需求，加上美出口規(guī)范要求跨國(guó)晶圓代工業(yè)者需申請(qǐng)?jiān)O(shè)備進(jìn)口許可證等，此將降低臺(tái)積電未來(lái)在中國(guó)大陸的投資意愿。