ASML：現(xiàn)有技術(shù)能實現(xiàn)1nm工藝

　　5月17日消息，為了強調(diào)光在推進科學(xué)進步過程中的重要作用，聯(lián)合國教科文組織將每年的5月16日定為“國際光日”。5月13日，ASML在一篇公眾號文章中稱，現(xiàn)有技術(shù)能實現(xiàn)1nm工藝，摩爾定律可繼續(xù)生效十年甚至更長時間。

　　ASML稱，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，摩爾定律——這一誕生于1965年的前瞻推斷，就扮演著如同光一樣的角色，指引芯片制造的每一次創(chuàng)新與突破。在過去的50多年里，摩爾定律不斷演進。摩爾關(guān)于以最小成本制造復(fù)雜芯片的最初預(yù)測，也在演進過程中被轉(zhuǎn)述成各種各樣的表述，現(xiàn)在這個定律最常被表述為半導(dǎo)體芯片可容納的晶體管數(shù)量呈倍數(shù)增長。1975年，摩爾修正了自己的預(yù)測：晶體管數(shù)量翻倍的時間從最初的一年上升到兩年。

　　摩爾認為，增加芯片面積、縮小元件尺寸以及優(yōu)化器件電路設(shè)計是實現(xiàn)晶體管數(shù)量翻倍的三個重要因素。

　　ASML稱，在過去的15年里，很多創(chuàng)新方法使摩爾定律依然生效且狀況良好。從整個行業(yè)的發(fā)展路線來看，它們將在未來十年甚至更長時間內(nèi)讓摩爾定律繼續(xù)保持這種勢頭。在元件方面，目前的技術(shù)創(chuàng)新足夠?qū)⑿酒闹瞥掏七M至至少1納米節(jié)點，其中包括gate-all-around FETs，nanosheet FETs，forksheet FETs，以及complementary FETs等諸多前瞻技術(shù)。此外，光刻系統(tǒng)分辨率的改進（預(yù)計每6年左右縮小2倍）和邊緣放置誤差（EPE）對精度的衡量也將進一步推動芯片尺寸縮小的實現(xiàn)。

　　ASML稱，只要我們還有想法，摩爾定律就會繼續(xù)生效。