臺積電發力“硅基氮化鎵”元件受托業務

　　臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產服務的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術生產GaN晶體管。

　　臺積電打算開展受托生產的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產品。

　　其中，耐壓650V的常關型HEMT已開始受托生產。臺積電在演講中介紹了該元件的特性。在運行時導通電阻會升高的崩潰(Collapse)特性方面，僅為運行前電阻值的1.3～1.4倍。

　　此外，關于常關型HEMT，臺積電將于2016年6月開始受托生產耐壓100V的產品。關于常開型HEMT，該公司預定從2016年9月開始受托生產耐壓100V的產品。常開型MISFET方面，預定從2016年6月開始受托生產耐壓650V的產品和耐壓100V的產品。

　　目前臺積電設想使用直徑150mm的硅基板，將來還打算使用更大尺寸的基板。該公司的演講者表示，“具體情況不便透露，3年后也許可以使用200mm(8英寸)基板”。