7nm制程將成臺積電力壓英特爾主戰(zhàn)場

　　安謀(ARM)與臺積電共同宣布一項為期多年的協議，針對7納米FinFET制程技術進行合作，包括支援未來低功耗、高效能運算系統單晶片(SoC)的設計解決方案。 這項協議延續(xù)先前采用ARM Artisan 基礎實體IP之16納米與10納米FinFET的合作。

　　事實上，以臺積電目前先進制程之生產時程來看，屬于同一世代的10納米、7納米進度已經追上，甚至超越競爭對手英特爾(Intel)。

　　臺積電先進制程10納米、7納米、5納米等部分，所有制程皆on schedule10納米制程2016第1季完成產品認證，而10納米/7納米應用非常廣泛，如手機、高階networking、Gaming、wearable等，具有快速的傳輸效率及低耗電量，而7納米預計2018年第1季開始量產。

　　據了解，英特爾估計在2018年確定10納米量產，7納米估計要到2019年，而三星電子(Samsung Electronics)目前10納米進度較不確定，臺積電在10/7納米世代已經展現雄心，并且展開多方客戶布局。

　　部分相關下游業(yè)者表示，未必會使用10納米產品，如20納米為16納米制程之過渡期產品，反而7納米才是下一世代鎖定的主力目標，而此次臺積電與ARM的長期合約訂立，也確立7納米未來將成為國際大廠的主戰(zhàn)場。

　　據臺積電于先前公開法人說明會之說法，7納米制程可在2018年第1季提供，而依照臺積電之計劃，5納米將會在7納米制程的2年后推出，約在2020年上半可見端倪。