ASML提升新EUV機臺技術生產效率

　　微影設備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術的生產效率，在2012年購并光源供應商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每小時晶圓產出片數為43片，預計2013年底前，可達到80瓦的目標，2015年達250瓦、每小時產出125片。

　　半導體生產進入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進行多次的微影制程曝光，將導致生產流程拉長，成本會大幅墊高，半導體大廠為避免摩爾定律面臨極限挑戰，因此積極投入EUV機臺技術開發，延續半導體制程微縮、大幅降低成本的步伐。

　　2012年ASML發起的「客戶聯合投資專案」(Customer Co-Investment Program)，獲得全球三大半導體客戶臺積電、英特爾(Intel)和三星電子(Samsung Electronics)投資，共同開發EUV機臺技術和18寸晶圓的微影設備。

　　ASML認為EUV瓶頸是在光源上，因此2012年也購并光源供應商Cymer，積極提升光源效率，讓EUV機臺可應用在實際量產上。