臺(tái)積電加573億先進(jìn)制程 主攻20nm及FinFET
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時(shí)間：2013-08-16
來(lái)源：經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)
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晶圓龍頭臺(tái)積電13日董事會(huì)通過(guò)573.65億元資本支出，連同上次核準(zhǔn)金額，合計(jì)為2033.65億元，約占臺(tái)積電全年資本支出上限100億美元的68%，顯示臺(tái)積電加速先進(jìn)制程腳步。
本文引用地址：http://www.czjhyjcfj.com/article/159051.htm臺(tái)積電將今年資本支出上修至95至100億美元(約新臺(tái)幣2990億)，只少許落后英特爾的110億美元，是臺(tái)灣投資計(jì)劃最大的電子大廠。
設(shè)備廠商透露，臺(tái)積電加緊20納米及16納米先進(jìn)制程量產(chǎn)及試產(chǎn)時(shí)程，添購(gòu)所需設(shè)備，推估今年臺(tái)積電全年資本支出，絕對(duì)會(huì)在上限100億美元，而且明年也可能與今年相近。
設(shè)備商表示，臺(tái)積電追加573.65億元的資本支出，主要用于20納米、16納米鰭式晶體管(FinFET)以下制程產(chǎn)能，有助于明年?duì)I收、獲利成長(zhǎng)。
臺(tái)積電日前公布28納米上半年?duì)I收占比為29%，創(chuàng)單季新高，遙遙領(lǐng)先對(duì)手，預(yù)估今年28納米占營(yíng)收比重將比去年成長(zhǎng)3倍。
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