瑞薩第七代650V和1250V IGBT建立新技術標準

　　瑞薩電子公司(TSE: 6723)，高級半導體解決方案的主要供應商，日前宣布為其第七代具有業界領先性能的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)陣列增加13款新產品。新的IGBT包括采用650V電壓的RJH/RJP65S系列和采用1250V電壓的RJP1CS系列。新的IGBT作為功率半導體器件，用于將DC轉換成AC電源的系統中，設計用于對應高電壓和大電流的應用，如太陽能發電機和工業電機用功率調節器(功率轉換器)。第七代技術，采用增強型薄化晶圓工藝，在傳導、開關損耗以及耐受能力之間達到了低損耗平衡，以承受短路情況的發生?！　?/p>本文引用地址：http://www.czjhyjcfj.com/article/135024.htm

 

　　與之前采用第六代技術的600V和1200V產品相比，第七代產品系列具有650V和1250V的更高額定電壓，以滿足低溫性能要求和過壓阻斷能力。

　　瑞薩IGBT適用于電機控制應用。在這些應用中，器件的短路保護性能是一個設計中的重要參數選擇。第七代IGBT系列具有了10 µs的額定短路耐受力，使其適用于通用電機。

　　最近，對環保和其它因素的關注推動了對于提高電子設備能效的要求，并且要求向著太陽能和風能等清潔能源進行轉換。在處理高電壓和大電流的設備(如太陽能逆變器、噴水泵，和大電流逆變控制電機)的領域，這種提高效率的努力尤為積極。對用于DC-AC功率轉換這類設備的IGBT產品，這促進了對其大幅降低損耗的需求。然而，在對于降低功耗至關重要的飽合電壓(注1)和處理大電流的設備所要求的高短路耐受力之間存在平衡。我們很難實現低功耗和大約10微秒的高短路耐受力(注2)，而這是在電機驅動等應用中至關重要的考慮因素。基于此，瑞薩開發了這一高性能IGBT新產品。

　　新款IGBT的主要特性：

　　(1) 650V版本飽和電壓降為1.6V，1250V版本飽和電壓降為1.8V，從而實現更高的效率

　　獨有的超薄晶圓技術使飽和電壓從瑞薩早期版本產品的1.8V(標準值)降低到現在650V版本的1.6V(標準值)，從早期版本產品的2.1V降低至1250V版本的1.8V，分別降低了約12%和15%。這就降低了功耗并有助于提高效率。

　　(2) 10微秒的高短路耐受力，可實現更高的可靠性水平

　　對于大電流的應用設備中至關重要的高短路耐受力，通過最優的單元結構技術，已經從瑞薩相對早期產品的8微秒(µs)提高到10µs或者更高。這就保證了用于太陽能逆變器的功率調節器等系統具有出色的穩定性和強勁的性能。