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    中芯國際65納米晶圓出貨超萬片 成功進入量產階段

    作者: 時間:2010-08-04 來源:美通社 收藏

      集成電路制造有限公司日前宣布,其自2009年第三季開始在北京12寸廠生產的技術出貨累計已超過10,000片,目前已成功進入量產。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/111421.htm

      中芯目前擁有超過10個 FOT (Foundry Owned-Tooling) 和 COT(Customer Owned-Tooling) 客戶在各個開發以及生產階段。邏輯技術顯著改善產品集成度,并具有高性能,低功耗以及尺寸更小的高水平。目前涉及的產品應用包括 Wi - Fi,藍牙,高清電視,影音解碼器,應用處理器以及 TD-SCDMA 芯片。工藝由中芯國際設計服務部門秉持嚴格的設計標準為客戶提供具有符合 DFM 標準的產品和服務。除了中芯國際自主設計的 IP,中芯完整的解決方案也包含了第三方 IP。綜合 IP 解決方案為客戶提供靈活的優勢,以簡化設計流程,縮短設計時間,讓客戶產品能夠更快打地入市場。

      從65納米過渡到55納米技術也正在開發中,中芯55納米技術按照65納米制程(包含輸入輸出和模擬電路)作90%的線性比例縮小。“中芯國際的 65納米設計可以為目前65納米客戶提供未來提升到55納米的方便以及益處,中芯國際的65/55-nm 項目小組的進展如火如荼,”中芯國際資深副總裁兼首席商務官季克非表示。“我們的65納米技術為我們的先端客戶提供前所未有的機遇,能幫助先端客戶進一步鞏固在各自行業的領導地位。中芯65納米使芯片尺寸大幅減小,耗能度改善,速度提升以及低漏電的特性,能為中芯國際客戶提供具有高度差異化的產品以進一步打入市場。”

      因應日益劇增的客戶需求中芯國際的65納米產能擴充計劃持續進行中。目前中芯為客戶提供每兩個月一次的65納米多項目服務。

      中芯國際65納米匯萃

      * 全面的 IP 解決方案(包括 RF, PDK and DFM),能更節省客戶設計成本以及方便客戶根據產品定制調試 IP 方案。

      * I/O 選擇包含:1.8V/2.5V/3.3V & Triple Gate Oxide (1個核心以及2個 I/O) 。關于2.5V 的 I/O 可以有額外驅使到3.3V 或者降低到1.8V 的選擇以滿足客戶廣泛產品不同的需求。

      * 65LL and 65G 基本制程一致,不過65G 具備額外增強性能的 NMOS 模塊。

      * 中芯55納米低成本的技術正在開發中,年底將有突破性進展。

      * 金屬選項:多達10個銅金屬層。

      * 中芯目前有10個以上的 FOT 以及 COT 客戶進入各個開發以及生產階段。

      * 為客戶提供每兩個月一次的65納米多項目服務。

      * 芯片尺寸大幅減小,耗能度改善,速度提升以及低漏電等特性。



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