- IC卡型H8/310系列單片機H8/310SeriesMicrocomputer
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IC
- 1 GaN 功率管的發展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- 1 GaN 功率管的發展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- MACOM GaN在無線基站中的應用 用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線基站的系統性能和運營成本產生深遠的影響。氮化鎵顯而易見的技術優勢(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為LDMOS的天然繼承者服務于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高，但是MACOM公司
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GaN MACOM
- 有鑒于全球環保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發優勢，其功率模組在再生能源與車用電子領域，商機已紛紛涌現。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進軍中功率市場。
可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。
臺達電技術長暨總
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SiC GaN
- 看好中國半導體行業未來持續的蓬勃發展，工藝控制與成品率管理解決方案提供商KLA-Tencor (科天)透過半導體檢測與量測技術，以最快的速度及最有效的方式 ，幫助客戶解決在生產時面對的良率問題。KLA-Tencor立志于幫助中國客戶一起提升良率，降低生產成本，提高生產效率，并與中國半導體行業一同成長。 KLA-Tencor中國區總裁張智安表示，KLA-Tencor成立至今40年，現于全球17國擁有6000多位員工。2016財年，KLA-Tencor營收表現來到30億美元。從硅片檢
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KLA-Tencor IC
- 國內IC業近年來熱鬧非凡，隔三差五某個收購、某個新項目開工的消息此起彼伏，大基金和社會資本的注入、老牌企業的橫縱聯合、新興企業的雨后春筍，讓人難免生出“春風得意馬蹄急”的感覺。
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集成電路 IC
- 市場研調機構Transparency Market Research(TMR)最新研究報告指出，科技進步正在塑造全球電源管理IC市場動態，可配置性和可程式性方面的創新則在推動全球電源管理IC市場成長。汽車產業和消費性電子產業對先進系統的需求尤其明顯。TMR預估，2013~2019年，全球電源管理IC市場年復合成長率(CAGR)將達6.1%。
根據openPR報導，TMR最新研究報告詳細分析全球電源管理IC市場的創新趨勢和其他主要趨勢，并深入分析這些趨勢對各區域市場成長的影響，并以應用、產品類型和
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電源管理 IC
- 隨著設計采用奈米微縮制程的演變，與 IC 設計復雜度與設計規模日趨復雜，嵌入式內存在各項產品的需求比重愈來愈高，內存缺陷成為影響芯片良率的變因之一，因此內存測試解決方案的重要性也與日俱增，尤其是車用電子及物聯網(IoT)的相關產品，更需要內建自我測試技術(MBIST, Memory Built-In Self-Test);而車用電子產品對于其可靠性與安全性已被 ISO26262 規范，其內存自我檢測(MBIST, Memo
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物聯網 IC 設計
- 中國半導體產業要實現跨越式發展，就要迅速成就一批行業的龍頭企業，這不是一件容易的事，需要有一個漫長的培育過程，中國IC產業已走出萌芽狀態，進入成長階段。在這個跳躍性的成長中，對研發投入的標準會越來越高，對技術創新的要求也會越來越高。
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IC 集成電路
- IC與驅動電路四對分立器件互補管及RM8Z磁芯電路圖圖IC與驅動電路四對分立器件互補管及RM8Z磁芯電路圖驅動電路及RM8Z變壓器繞組實際參數見圖。
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IC 驅動電路 分立器件 互補管 磁芯電路
- 松下被動元件展區，松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團隊產品市場經理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流。 ZK和ZC產品在125C下可工作4000小時。三種類型產品都有更低的ESR(等效串聯電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合。 松下集團汽車&工業系統公司介紹了其網上工具--LC Simulator，可加速
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松下 X-GaN
- 實現互聯世界的創新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進的通信、雷達和國防RF系統應用而言甚為關鍵。
該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關模型的制造工藝采用了業內獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達25 GHz，支持芯片級設計，通過K頻段應用提供頻率更
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Qorvo GaN
- 類比工程師的轉職活動在近來確實大幅減少，很多大型類比半導體供應商雖然在整并之后規模變得更大，但目前仍在業務/人員盤點階段…
大型類比半導體廠商近來為尋求“成本協同效應”而掀起的整并風潮，可能造成各家廠商的職位縮減并對工程師們帶來影響;對此在類比技術領域的知名人才招募網站Analog Solutions總裁暨創辦人Gary Fowler表示，類比工程師確實找工作會更困難，很多公司的人才招募已經凍結，而這一切都拜企業整并之賜。
Fowler指出，類比工程師
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IC 博通
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