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電源設(shè)計(jì)控必須了解的2017三大趨勢(shì)

　　2017電源市場(chǎng)需求和技術(shù)趨勢(shì)風(fēng)向如何?來e星球，與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!　　需求往往是推動(dòng)創(chuàng)新的源泉，無論是時(shí)尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求，潛在的創(chuàng)新動(dòng)力才會(huì)被激發(fā)，也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點(diǎn)在哪?帶著疑問與期盼請(qǐng)來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國際博覽中心，深度探討2017年中國電源市場(chǎng)需求與走勢(shì)，
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下一波功率轉(zhuǎn)換浪潮—專為實(shí)現(xiàn)太陽能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設(shè)計(jì)

　　引言　　太陽能不再是一項(xiàng)新興技術(shù)，而是正在經(jīng)歷重大技術(shù)變革的技術(shù)，日趨成熟。我們朝著電網(wǎng)平價(jià)(太陽能成本與傳統(tǒng)能源發(fā)電類型的成本相當(dāng))，并且改進(jìn)傳統(tǒng)能源發(fā)電類型構(gòu)成的目標(biāo)前進(jìn)，因?yàn)閷⒚姘逯械闹绷麟娹D(zhuǎn)換為可用交流電的過程變得更加高效且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠?！　〉?，雖然太陽能面板在近幾年價(jià)格顯著降低，但下一波太陽能發(fā)展浪潮將由功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的新技術(shù)推動(dòng)。先進(jìn)復(fù)雜的多級(jí)功率開關(guān)拓?fù)涞呐d起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料，加上更高的工作電壓(最高1600 VDC)，實(shí)現(xiàn)更加快速的功率開關(guān)，與傳統(tǒng)系
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日研究團(tuán)隊(duì)制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

　　日本三菱化學(xué)及富士電機(jī)、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術(shù)，GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)用化，將處于世界優(yōu)勢(shì)地位。　　功率半導(dǎo)體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導(dǎo)體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設(shè)備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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常見的IC芯片解密方法與原理解析！

　　其實(shí)了解芯片解密方法之前先要知道什么是芯片解密，網(wǎng)絡(luò)上對(duì)芯片解密的定義很多，其實(shí)芯片解密就是通過半導(dǎo)體反向開發(fā)技術(shù)手段，將已加密的芯片變?yōu)椴患用艿男酒?，進(jìn)而使用編程器讀取程序出來。　　芯片解密所要具備的條件是：　　第一、你有一定的知識(shí)，懂得如何將一個(gè)已加密的芯片變?yōu)椴患用??！　〉诙?、必須有讀取程序的工具，可能有人就會(huì)說，無非就是一個(gè)編程器。是的，就是一個(gè)編程器，但并非所有的編程器是具備可以讀的功能。這也是就為什么我們有時(shí)候?yàn)榱私饷芤粋€(gè)芯片而會(huì)去開發(fā)一個(gè)可讀編程器的原因。具備有一個(gè)可讀的編程器，那我們就
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扭轉(zhuǎn)“兩頭在外”處境中國IC產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)亟需調(diào)整

IC設(shè)計(jì)行業(yè)正在發(fā)生變化，未來真正的“中國芯”——以中國制造為主、供應(yīng)內(nèi)需市場(chǎng)將是大勢(shì)所趨。
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2017誰將成為功率器件市場(chǎng)亮點(diǎn)？

　　通信、汽車驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)增長，國有品牌競(jìng)爭(zhēng)力提升　　市場(chǎng)規(guī)模繼續(xù)擴(kuò)大，增速較2015年有所回升　　2016年，中國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩(wěn)，增速有所加快，受此影響，中國功率器件市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到1496.1億元，同比增長7.2%，增速較2015年有所回升。　　通信、汽車成為2016年市場(chǎng)增長亮點(diǎn) 　　從下游應(yīng)用產(chǎn)品的需求來看，通信和汽車領(lǐng)域是推動(dòng)功率器件市場(chǎng)增長的主要驅(qū)動(dòng)力。　　從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來看，1-10月，我國生產(chǎn)手機(jī)17億部，同比增長19.9%，其中智能手機(jī)12
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預(yù)計(jì)今年全球IC市場(chǎng)規(guī)模年增5%

　　調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights表示，有別于2010年之前，現(xiàn)今全球IC產(chǎn)業(yè)成長深受全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展?fàn)顩r影響。諸如利率、石油價(jià)格、財(cái)政激勵(lì)等外在經(jīng)濟(jì)環(huán)境因素都會(huì)成為影響IC市場(chǎng)規(guī)模成長的重要因素。　　該機(jī)構(gòu)表示，在2010年之前，IC產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)周期主要是受到如業(yè)者資本支出、IC產(chǎn)能，以及產(chǎn)品價(jià)格等因素影響。　　根據(jù)1992年以來全球生產(chǎn)毛額(GDP)年增率與IC市場(chǎng)規(guī)模年增率資料，在1992~2010年期間，全球GDP年增率與IC市場(chǎng)規(guī)模年增率呈現(xiàn)出不規(guī)則變化，并且彼此間也沒有顯現(xiàn)出相關(guān)性。　　然
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臺(tái)媒：大陸2025年IC自主目標(biāo)恐難達(dá)成海外技術(shù)取得成關(guān)鍵

　　中國大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場(chǎng)，但自給自足率卻明顯偏低，必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進(jìn)口。為此中國國務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國制造”(MIC 2025)計(jì)劃，目標(biāo)到了2020年達(dá)到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標(biāo)，到了2025年更要達(dá)到7成水準(zhǔn)。不過市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights分析認(rèn)為，這項(xiàng)目標(biāo)恐難達(dá)成，而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。　　國家層級(jí)IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思　　根據(jù)IC Insights報(bào)導(dǎo)指出，現(xiàn)實(shí)情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)
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中國最大半導(dǎo)體并購案:建廣資產(chǎn)收購NXP標(biāo)準(zhǔn)件業(yè)務(wù)完成交割

雖然收購恩智浦的標(biāo)準(zhǔn)件業(yè)務(wù)讓建廣資本聲名鶴立，但絕不是一戰(zhàn)成名。鮮為人知的是，建廣資本已經(jīng)在一系列產(chǎn)業(yè)投資與跨國并購中取得了斐然的成績。
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紫光集團(tuán)300億投資南京建IC國際城

　　據(jù)紫光集團(tuán)官網(wǎng)，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地及新IT投資與研發(fā)總部項(xiàng)目在南京正式簽約。　　紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)投資建設(shè)，主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲(chǔ)芯片等，占地面積約1500畝，總投資超300億美元。項(xiàng)目一期投資約100億美元，月產(chǎn)芯片10萬片。　　除投資額300億美元的芯片工廠建設(shè)外，紫光集團(tuán)還將投資約300億元人民幣建設(shè)配套IC國際城，包含科技園、設(shè)計(jì)封裝產(chǎn)業(yè)基地、國際學(xué)校、商業(yè)設(shè)施、國際人才公寓等綜合配套設(shè)施。　　新IT投資與研發(fā)總部項(xiàng)目，由紫光集團(tuán)旗
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技術(shù)路線圖指導(dǎo) 做強(qiáng)中國功率半導(dǎo)體

在我國綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為建設(shè)節(jié)約型社會(huì)、促進(jìn)國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展、踐行創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略的重要支撐。
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“十三五”期間，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖？

　　如果說中央處理器(CPU)是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的心臟，功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟，它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計(jì)算，我國功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
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手機(jī)及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器

　　充電和電池管理對(duì)智能手機(jī)來說，仍是關(guān)鍵的功能，未來多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無線充電的改進(jìn)可能大大擴(kuò)展便攜式產(chǎn)品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機(jī)和平板電腦)的設(shè)計(jì)都具高能效。安森美半導(dǎo)體專注于這兩大應(yīng)用，提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案，以滿足所有這些產(chǎn)品的功率要求。　　市場(chǎng)對(duì)于更快充電時(shí)間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機(jī)和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
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國家戰(zhàn)略助IC產(chǎn)業(yè)“彎道超車” 5G能否成產(chǎn)業(yè)機(jī)遇期？

　　隨著紫光集團(tuán)有限公司一次出資協(xié)議公開，到目前為止，中國半導(dǎo)體行業(yè)(也被稱為IC產(chǎn)業(yè))最大一筆投資落地。　　日前，紫光集團(tuán)對(duì)外公布，計(jì)劃通過其下屬控股子公司紫光控股，與長江存儲(chǔ)現(xiàn)有股東共同出資設(shè)立長江控股以實(shí)現(xiàn)對(duì)長江存儲(chǔ)的控制，其中，紫光控股出資197億元，占長江控股注冊(cè)資本的51.04%，擔(dān)任長江存儲(chǔ)的控股股東。　　“這是我國IC產(chǎn)業(yè)目前落地的最大規(guī)模項(xiàng)目。”一位立足湖北的券商研究員對(duì)21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示，近幾年來，中國加大對(duì)IC產(chǎn)業(yè)的政策扶持，特別是在資金方面的投
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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