最新Qorvo技術支持更高性能的GaN分立式LNA和驅動器

　　實現互聯世界的創新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進的通信、雷達和國防RF系統應用而言甚為關鍵。

　　該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關模型的制造工藝采用了業內獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達25 GHz，支持芯片級設計，通過K頻段應用提供頻率更高且經濟高效的分立式技術。

　　Qorvo高性能解決方案事業部總經理Roger Hall表示：“高性能GaN產品、互補模塊和專業的應用工程支持有機結合，使得Qorvo脫穎而出。我們幫助設計人員將產品加速推向市場。”

　　支持迅速、準確的性能測試并加速生產就緒過程的線性、非線性以及噪聲模型由我們的合作伙伴、仿真技術領域的領先企業Modelithics, Inc.提供。這些模型提供的功能包括擴展工作電壓、環境溫度和自熱效應，以及針對波形優化的固有電壓/電流節點訪問。

　　下表簡要介紹了QGaN15產品的特性。

　　10GHz時的數據：

　　Qorvo是國防和有線行業的領先GaN RF供應商*。自1999年起，Qorvo 就一直在推動GaN研究和創新，提供經過檢驗的GaN電路可靠性和緊湊型、高效率產品。Qorvo于2014年完成了美國國防生產法案第三法令的GaN on SiC計劃，是獲得國防制造電子機構認證的1A類可信來源。公司還是唯一一家達到制造成熟度(MRL)9級的GaN供應商。Qorvo一直推動GaN產品的下一代系統創新(從直流到Ka頻段)，憑借其可靠的性能、低維護和長運行壽命，成功實現從工廠到現場的轉變。